陶瓷材料学结课论文(3)

2019-05-26 22:09

陶瓷材料学

(7)可用作电接触材料。由于Ti3SiC2高导电、高导热性能,同时又具有摩擦系数低,良好的自润滑性能,可代替传统的电极、电刷材料【8】。

(8)低摩擦系数材料。如果能够生长出高度取向的足够大的Ti3SiC2单晶,那就很可能生产出基平面光滑性很重要的低摩擦系数材料。最后,同其它的材料相比较,必须认识到,报道单相Ti3SiC2材料的性能不过几年的时间,这一点很重要。随着对该材料制备方法、结构特征及性能的进一步研究很有可能大幅度的提高其性能,尤其是力学性能。那就是说,同那些工业上很重要的材料的发展阶段相比较的话, Ti3SiC2材料的应用前景是很广阔的。我们有理由相信, Ti3SiC2及其相关的三元化合物在工业上发挥重大作用的时间不会太久【8】。

主要参考文献

【1】 章为夷,高宏.可加工陶瓷的结构、性能和制备.人工晶体学报.2005,02

【2】 Enyashin A N, Ivanovskii A L. Prediction of atomic structure and electronic properties of

Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory[J]. Materials Letters,2008,62:663-665.

【3】 M.W.Barsoum, T. El-Raghy, Synthesis and Characterization of a Remarkable

Ceramic Ti3SiC2, J. Am. Ceram. Soc.,1996, 1953-6

【4】 尹洪峰,卢琳琳,袁蝴蝶. Ti3SiC2陶瓷的制备、性能与应用. 西安建筑科技大学学报.2010.12 【5】 朱教群,梅炳初,陈艳林.放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2的研究.硅酸盐学报,

2002,30(5):649-652

【6】 Radhakrishnan R, WilliamsJJ, Akinc M. Synthesis and high一temperature stability of

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【7】 Zhou Y C, Sun Z M. Temperature fluetuation/hot pressing synthesis of Ti3SiC2. J

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陶瓷材料学

Mater Sei,2000,35:4343

【8】 Zhang Z F,Sun Z M, Hashimoto H,et al, Applieation of pulse discharge

sintering(PDS) teehnique to rapid synthesis of Ti3SiC2 from Ti/Si/C powders, J Eur Ceram Soc,2002, 22:2957

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