6.1选择正确答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（3）设二极管的端电压为vD，则二极管的电流方程是 c 。
A. ISeD B. ISevvDVT
C. IS(evDVT－1)
（4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （5）稳压管的稳压区是其工作在 c 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（6）稳压二极管稳压时，其工作在(c )，发光二极管发光时，其工作在( a )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.2将正确答案填入空内。 （1）图P6.2（a）所示电路中二极管为理想器件，则D1工作在 状态，D2工作在 状态，VA为 V。
D1
_ 3V D2 R 5kΩ 6V + VA
+ + _ _ + A1 1.5?k?
Vi=30V 2CW
5 _ R1 A22 V S R2 ??k?
图P6.2 (a) 图P6.2 (b)
解：截止，导通，?2.7?V。
（2）在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为：稳定电压Vz???12?V，最大稳定电流IZmax???20?mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为 、 、 ；当开关S断开时，其读数分别为 、 、 。
解：12?V，12?mA，6?mA，12?V，12?mA，0?mA。
6.3 电路如图P6.3所示，已知vi＝56sinωt(v)，试画出vi与vO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 + vi _ D R + vo _ + vi _ R D1 D2 + _ vo
+ 3V _ 3V + _
6.4 电路如图P6.4所示，已知vi＝5sinωt (V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出电路的传输特性及vi与vO的波形，并标出幅值。
图P6.3 图P6.4
6.5 电路如图P6.5（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。
vi1/V +VCC（5V） 3 R 0.3 D1 t vi1 vi2/V vo 3 D2
vi2 0.3 t
(a) (b)
图P6.5
解：uO的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
6.6电路如图P6.6所示，（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
R＝1kΩ VCC D1 （10±1V） D2
+ vo _
图P6.6