第一部分 半导体的基本知识
二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。
1、 导体导电和本征半导体导电的区别：
导体导电只有一种载流子：自由电子导电
半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电
自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。 2、 本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、 杂质半导体
（1）N型半导体——掺入五价元素 （2）P型半导体——掺入三价元素
4、 PN结——P型半导体和N型半导体的交界面
在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压
5、 PN结的单向导电性——外加电压
正向偏置 反向偏置 6、 二极管的结构、特性及主要参数
（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极
温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。
其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。
（2）主要参数
1）最大整流电流I：最大正向平均电流
2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半
3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对
温度越敏感
4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管
在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特
性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
（1） 稳压管的伏安特性
（2）主要参数
1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压
2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根
本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。
【附加】限流电阻：由于稳压管的反向电流小于I时不稳定，大于最大稳定电
流时会因超过额定功率而烧坏，故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。
3）额定功率P：等于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过
高而损坏。
4）动态电阻r：在稳压区，端电压变化量与电流变化量之比。r越小，说明电流变化时稳定电
压的变化越小，稳压特性越好。 5）温度系数α：表示电流不变时，温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=△U/△T。 U<4V时，α为负值，即温度升高时稳定电压值下降；
U>7V时，α为正值，即温度升高时稳定电压值上升； 4 7、 双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数 主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性 曲线和主要参数 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。 Ie：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低，大量自由电子越过发射结到达基区。 Ib：基区很薄，杂质浓度低 Ic：集电结外加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。 P区很薄且杂质浓度很低，发射区-上层的N区杂质浓度很高，集电区-下层的N区面积很大——上述三个区域的特点与晶体管的外特性紧密相关。 （2）特性曲线 （3）主要参数 1)直流参数 ①共射直流电流系数β ②共基直流电流放大系数α ③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗管的好 发射极开路时集电结的反向饱和电流——Icbo 基极开路时集电极与发射极间的穿透电流——Iceo 2）交流参数 ①共射交流电流系数β ②共基交流电流放大系数α ③特征频率fT——使β下降到1的信号频率称为特征频率 3）极限参数——为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率耗损的限制 ①最大集电极耗散功率P——是一个确定的值 决定于晶体管的温升。P=iu=常数 ②最大集电极电流I 使β明显减小的i即为I ③极间反向击穿电压