C、要有一个谐振腔 D、需要负载
33、下面属于冷光源的是：（C） A、太阳 B、白炽灯 C、发光二极管 D、卤钨灯
34、下面哪一项可以作为光电耦合器件的发光件：（D） A、光电三极管 B、光电池 C、光敏电阻 D、半导体激光器
35、下列哪一项不属于线阵 CCD 的结构（D） A、输出大器 B、光栅
C、模拟移位寄存器 D、乘法器
36、我国电视的采用的制视是（A） A、PAL B、NTSC C、SECAM D、VGA
37、CCD 图像传感器的输出方式为是（D） A、电压输出方式 B、电流输出方式
C、经 A/D 转换后的数字输出方式
D、以上都不对
38、下列哪一项不属于 CMOS 图像传感器的结构（A） A、地址码器 B、A/D 转换器 C、图像预处理电路
D、SRAM 存储结构
1、 光照度的单位是勒克斯（lx）。√
2、 半导体对光的吸收仅包括本征吸收和杂质吸收。× 3、 辐射出射度与辐射照度是两个意义相同的物理量。×
4、 光电发射器件的光谱响应范围一般比半导体光电器件宽。× 5、 发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。√
6、 假设将人体作为黑体，正常人体体温为 36.5℃，那么由维恩定律，可以计算出正常人
体的峰值辐射波长为 0.936um。×
7、 光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。× 8、 光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。× 9、 光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。 × 10、 当没有光辐射时，硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线是一样的。√ 11、 光生伏特效应是多数载流子导电的光电效应。×
12、 对于光电二极管，减薄 PN 结的厚度可以使短波长的光谱响应得到提高。√ 13、 硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的 PN 结光电器件。× 14、 越远离 PSD 几何中心位置的光点，其位置检测误差越小。× 15、 以 GaAs 为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。× 16、 雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。√
17、 影响 PN 结硅光电二极管时间响应的主要因素是 PN 结区外载流子的漂移时间。× 18、 PIN 型光电二极管不仅提高了 PN 结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵
敏度。×
19、 光电倍增管的暗电流是指在施加规定电压后测定的阳极电流。×
20、 光电倍增管各倍增极的发射系数δ与很多因素有关，最主要的因素是倍增极的材料结
构。×
21、 根据窗口材料的不同，将直接影响光电倍增管光谱响应的长波限。×
22、 阴极和第一倍增级之间，以及末级倍增级和阳极之间的级间电压应设计得与总电压无
关。×
23、 为使阴极面各处的灵敏度均匀，受光均匀，常把光电倍增管的光电阴极做成半球面。
√
24、 在较强辐射作用下倍增管的灵敏度下降的现象称为衰老。×
25、 电压分压器中流过的电流不应该大于期望的最大阳极电流1000倍，即1mA。√ 26、 由发光二极管和光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比不可能大于1. √ 27、 光电耦合器件既具有耦合特性又具有隔离特性。×
28、 光电耦合器件的发送端与接收端是电、磁绝缘的。×
29、 发光二极管的响应时间取决于注入载流子非发光复合的寿命和发光能级上跃迁的几
率√
30、 发光光谱与器件的几何形状和封装方式有关。×
31、 栅极电压相同的情况下，不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量
不同，氧化层厚度越薄电荷的存储容量越大√
32、 目前技术范围内，光注入是CCD唯一的电荷注入方式× 33、 P型沟道CCD的工作速度要高于N型沟道CCD × 34、 一般的CMOS图像传感器采用线性-对数输出方式√
35、 三相线阵CCD必须在三相交叠脉冲的作用下才能进行定向转移√