100 10-1 H G10-2 10-3 10-4 FE10 -5DV10-6 10-7 与初始引发有关 10-8 CA100Vs200Vf300着火电压 10 -9400
5 试说明注入电致发光和高场电致发光的基本原理。 答:注入电致发光是在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光。高场电致发光是将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间,外施电压,由电场直接激励电子与空穴复合而发光
100 10-1 H G10-2 10-3 10-4 FE10 -5DV10-6 10-7 与初始引发有关 10-8 CA100Vs200Vf300着火电压 10 -9400
5 试说明注入电致发光和高场电致发光的基本原理。 答:注入电致发光是在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光。高场电致发光是将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间,外施电压,由电场直接激励电子与空穴复合而发光
下一篇:通信电缆试题概述