集成电路ESD方面的资料
住¨微米时代，栅氧化层已成为徽电子器仆可靠性研究的晟土要方面，热载流于效应！｛ｌＩｌ随Ｒ寸减小而降低了其对器仃”ｒ耜性的威胁。静电放电除了提高保护电路的效率外．还需要发展内部ＥＳＤ保护电路这一新概念。金属化ｆｌ！Ｊ』住如何协调蚶传导性与抗【乜迁移之间关系上有很多ｌ＝作要做。参考文献：
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Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ．ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
１９９８
作者简介
黎想：男．１９７３年出生，华东师范大学电子系９７级研究生，研究方向为徽电子器件可
范焕章：蓦譬‘１
范焕章：男，
工作。
９４８年出生，华东师范大学电子系副教授，长期从事徽电子器件的可靠性年出生，华东师范大学电子系副教授，长期从事徽电子器件的可靠性
点矗
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