2、输出功率：500W
3、移相范围0º~180º
（八）单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（反电势、电阻负载） 设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz
2、输出功率：500KW
3、移相范围30º~150º
4、反电势：E=70V
（九）单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（带续流二极管）（阻感负载）
设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz
2、输出功率：500W
3、移相范围0º~180º
（十）单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（带续流二极管）（反电势、电阻负载）
设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz
2、输出功率：500KW
3、移相范围30º~150º
4、反电势：E=70V
（十一）MOSFET降压斩波电路设计（纯电阻负载）
设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、开关频率5KHz
4、占空比10%~90%
5、输出电压脉率：小于10%
（十二）IGBT降压斩波电路设计（纯电阻负载）
设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、开关频率5KHz
4、占空比10%~90%
5、输出电压脉率：小于10%
（十三）MOSFET升压斩波电路设计（纯电阻负载）
设计条件：1、输入直流电压：Ud=50V
2、输出功率：300W
3、开关频率5KHz
4、占空比10%~50%