5、输出电压脉率：小于10%
（十四）IGBT升压斩波电路设计（纯电阻负载）
设计条件：1、输入直流电压：Ud=50V
2、输出功率：300W
3、开关频率5KHz
4、占空比10%~50%
5、输出电压脉率：小于10%
（十五）MOSFET单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载） 设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、输出电压波形：1KHz方波
（十六）IGBT单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载） 设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、输出电压波形：1KHz方波
（十七）MOSFET单相半桥无源逆变电路设计（纯电阻负载） 设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、输出电压波形：1KHz方波
（十八）IGBT单相半桥无源逆变电路设计（纯电阻负载） 设计条件：1、输入直流电压：Ud=100V
2、输出功率：300W
3、输出电压波形：1KHz方波
（十九）单相交流调压电路（反并联）设计（纯电阻负载） 设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz
2、输出功率：500W
3、移相范围0º~180º
（二十）单相交流调压电路（混合反并联）设计（纯电阻负载） 设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz
2、输出功率：500W
3、移相范围0º~180º
（二十一）单相桥式晶闸管有源逆变电路设计（反电势阻感负载） 设计条件：1、电源电压：交流50V/50Hz
2、逆变功率：200W
3、反电势：E=70V