计算机组成原理教案
3．3．2 闪速存储器
闪速存储器的存储元电路是在CMOS单晶体管EPROM存储元基础上制造的，因此它具有非易失性。不同的是，EPROM通过紫外光照射进行擦除，而闪速存储器则是在EPROM沟道氧化物处理工艺中特别实施了电擦除和编程次数能力的设计。
闪速存储器的性能：
闪速存储器的特点：
固有的非易失性
廉价的高密度
可直接执行
固态性能
闪速存储器的逻辑结构，包含一个指令寄存器，用于擦除和重写。
闪速存储器工作模式
闪速存储器与CPU的连接较为简单。
3．4 高速存储器
传统存储器的问题：速度慢，和CPU的速度不匹配，原因如下：
CPU和主存储器是用不同的材料制成的
一个CPU周期可能需要几个存储器字
这种情况便成为限制高速计算的主要问题，解决方法有：
主存储器采用更高速的技术来缩短存储器的读出时间，或加长存储器的字长
采用并行操作的双端口存储器
在CPU和主存储器之间插入一个高速缓冲存储器(cache)，以缩短读出时间 在每个存储器周期中存取几个字
3．4．1 双端口存储器
双端口存储器的典型实例是显示存储器（显存），CPU向显存的一个端口中写入数据，显示控制器从另一个端口中读出数据送显示器。
图3.27是双端口存储器的逻辑结构框图，图中两个端口共享同一存储矩阵，但其地址、数据和控制信号都是独立的。
当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作，则不会发生冲突。当两个端口同时存取存储器同一存储单元时，便发生读写冲突。此时，由判断逻辑来决定哪一个端口进行读写操作。判断的方法有两种：
(1) 如果地址匹配且在 之前有效，片上的控制逻辑在 和 之间进行判断来选择端口（ 判断）。
(2) 如果 在地址匹配之前变低，片上的控制逻辑在左、右地址间进行判断来选择端口(地址有效判断)。
3．4．2 多模块交叉存储器
多模块存储器的两种编址方式：顺序方式和交叉方式
顺序方式的可靠性高，可扩展性好，但其是串行工作，存储器的带宽受限制。
交叉方式的存储器可以实现多模块流水式并行存取，大大提高存储器的带宽。由于CPU的速度比存储器快，假如我们能同时从存储器取出M条指令，这必然会提高机器的运行