b) 然后根据有效图形加划片道画一个大的矩形把图形B包围起来，注意图形边缘对称，把“Boolean”中的“ A”点红。
c) 再按 “A sub B”，可实现图形B图形反转操作。
4.3.7 图形层间的布尔运算与图形反转
利用已有的图形层通过运算产生新工艺图形层的操作。
注意：这里只适用于矩形、45°/90°的多边形或连线。不能处理圆形和任意角度的图形。
4.3.7.1 进入生成层设置操作
a) 打开Setup/Layers/Derivation/Derived 进入生成层推导界面。 b) 打开“Derivation”对话框，可以有四种推导类型：
◇ Boolean 采用布尔运算产生推导层。
◇ Selection 采用图形层选择的方法产生推导层。 ◇ Area 采用图形层面积计算的方法产生推导层。 ◇ Density 采用图形层密度计算的方法产生推导层。 4.3.7.2 采用布尔运算产生推导层
a） 确认已经有两个以上图形层有图形数据。
b） 用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择将要
生成的目标层位置。
c） 选择 “Boolean” 布尔运算方式。 d） 选择 “Enable Derivation” 激活推导。
e） 在源图层模块 Source Layers（ Locator Units定位器单位-微米）中分别选择各源图层的层名及各种布尔运算参数：
◇ 打开“Layer” 选择各层的层名，一次最多只能有三层图形进行运算。多于三层的，可以采用其他层图形与前三层图形运算结果生成的新图层合成运算。
◇ 如果要对该层图形反转，要在该层选择“NOT”，进行“非” 运算。
◇ 如果该层图形需要尺寸专程再造（即图形每边涨缩设置的定位器单位，
如-0.2,则该层所有图形的边缘每边缩小0.2微米）。
◇ “Operation”中选择 “AND”,则生成的新图层只有上下两层重合的
部分的图形, 两层没有重合的部分去除。
◇ “Operation”中选择 “OR”,则生成的新图层包含上下两层所有的图形，即两层图形进行加法运算。
f） 确定完成布尔运算推导层的参数设置。
4.3.7.3 进行布尔运算生成新图层的操作
a) 打开 Tools/Generate Layers 进入生成新图层对话框。
b) 在“Target”中选择 “ Layer”，在其中下拉菜单中选择生成新图层的层名。
（如果选中 “All Layer” ，则生成新图层时同时生成推导层的轮廓线图形。）
c）选中 “Delete derived layers”，则在生成新图层时删除推导层的图形（在标像层上的各源图层轮廓线），只留下生成新图和源图层。（如果不选中，还保留推导层的轮廓线图形。）
d） 扫描场（扫描格 Binning）参数设置
在 “Bin”中设置扫描格的尺寸（定位器单位-微米）。
如果选中 “Merge objects after generation” ，则生成新图为合并的图形，（如果不选中，则生成新图是按扫描场分割的图形）。
e） 按“OK”，进行布尔运算, 运算结果生成新图层, 新图层和源图层一样可以进行各种处理。
f） 要删除生成的新图层和推导层的轮廓线，进行如下操作：
打开 Tools/Clear Generated layers，进入删除生成的新图层和推导层图形的 “Delete Objects on Generated Layers”对话框。
选择“ This Cell”删除当前图形单元中生成的新图层和推导层的轮廓线。
4.3.7.4 掩模图形层的图形反转操作
a) 要对图形层进行图形反转, 建议在设计掩模图形时,每层图形(包含每边加半个划片道)的最大点和最小点上各作一个位置相同、大小一样的定位小矩形（尺寸可以是1 微米以下。用于保证数据处理时各层数据中心一致，并且可以确定图形反转的范围。
b） 参见“4.3.7.2” 用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择将要生成的目标层位置。 c） 选择 “Boolean” 布尔运算方式。
d） 在源图层模块 Source Layers（ Locator Units定位器单位-微米）中选择需要进行图形反转的层名。
e） 选择“NOT”，进行“非” 运算。
f） 参见“4.3.7.3” 打开 Tools/Generate Layers 进入生成新图层对话框。 g） 在“Target”中选择 “ Layer”，在其中下拉菜单中选择生成新图层的层名。
h） 选中 “Delete derived layers”，在生成新图层时删除推导层的图形，只留下生成新图和源图层。
i） 根据图形复杂程度，在 “Bin”中设置适当的扫描格的尺寸。
j） 选中 “Merge objects after generation” ，生成新图为合并的图形。 k） 按“OK” ，进行图形反转运算。
4.3.8 利用宏进行图形编辑功能的二次开发 4.3.8.1 打开 Tools/Macro 进入宏界面。
4.3.8.2 在 “Macro Files” 中打开 “Load”出现查找已经编释的宏文件。 例如：d：\\Ledit750-hy\\Leditdlg.dll。
把已经编释好的宏文件Leditdlg.dll读入界面。 4.3.8.3 选中d：\\Ledit750-hy\\Leditdlg.dll。
则自动选择 “Macros：” 宏表格中的“ Advance tool ” 。 4.3.8.4 点击 “Run” 运行编释宏文件。
即出现 “Advance tool ” 任意角度、任意曲线微光刻图形生成工具条。可以方便地处理各种波带片、园环、螺旋线、扇形、扇形环、椭圆、椭圆环、齿轮、条形码以及由任意函数曲线组成的图形。
参见 “4.4 任意角度、任意曲线微光刻图形生成工具软件模块操作”。
4.3.9 图形拼接错误检查操作
4.3.9.1 备份原始LEDIT设计环境文件 Copy Ledit.tdb Ledit000.tdb 4.3.9.2 修改设计规则集
由于原始LEDIT设计环境文件中包含的设计规则集是通用的完整集成电路设计规则，十分复杂，对于仅仅用于微光刻图形编辑来说，需要简化设计规则集 ，修改成只检查最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则。
a） 打开 Tools/DRC 进入设计规则检查对话框“Design Rule Check”。 c） 按 “Setup”钮，进入设计规则检查对话框“Setup Design Rules“。 d） 逐个选择 “Rules List”中的设计规则条例，把激活规则复选框“Enable”中的“√”去除，即把所有现成的设计规则全部去选，使原来的设计规则失效。 e） 按 “Add rule” 钮，新增设计规则，在“Rule：” 设计规则条例名称填充框中自动生成的规则条例名称“New Rule 0”为改“Poly Min width”。并且确认规则复选框“Enable” 处激活状态，即“√”状态。
f） 在“Rule type” 中的最小线宽“Min width”选中。
g） 把例外选择“Ignore”中的45度锐角复选框“45 degree acute angle” 选中，允许45度以下锐角出现。
h） 在定义最小允许图形边长尺寸填充框“Rule distance”中填允许尺寸，例如“0.100”，单位选择用户设定的单位“Lambda”或者“Microns”。
i） 在设计规则图层选择“Rule layers”中 “Layer1” 的图形层选择下拉菜单中选择“Poly”层。
j） 按上述同样步骤建立新的最细图形间隙（Spacing）设计规则条例（ Poly Spacing）。
k）按“OK”钮，完成最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则参数设置。 4.3.9.3 建立图形拼接错误检查规则环境
在完成最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则参数设置后，打开File/Save As， 重新生成微光刻图形编辑专用设计环境文件 Ledit.tdb和它的备份文件LeditDRC.tdb。(也可以修改成自己习惯的各种常用参数的设计环境文件，例如包括修改图形层的颜色配制、设计格栅配制、显示及鼠标配制和GDS格式规定的数字图形层名等)。
4.3.9.4 用微光刻图形编辑专用设计环境文件检查版图图形拼接错误 a) 采用上述建立的设计环境文件启动LEDIT。
b） 打开 Tools/DRC 进入设计规则检查对话框“Design Rule Check”。 c） 按 “Setup”钮，进入设计规则检查对话框“Setup Design Rules“。 d） 根据设计需要在定义最小允许图形边长尺寸填充框“Rule distance”中修改允许尺寸，例如“1.000”微米。按“OK“钮确认，修改后的最小线宽和最细图形间隙允许尺寸。回到设计规则检查对话框“Design Rule Check”。
e） 根据图形大小和复杂情况，修改扫描场格子尺寸 “Bin 50.000 Locator”， 按“OK确定”钮开始进行图形拼接错误检查。
f） 如果图形中有圆形或任意多边形，将会出现提醒信息： “L-Edit Warning Found in Cell0. Circles. All Angle Polygons. These objects will be ignored. Do you want to Proceed?” 按“Yes to All”钮通过。
g） 演算后将出现检查到拼接错误结果的信息：“L-Edit 8 DRC errors found。”
通报有多少处出现拼接错误。按“OK确定”钮，出现图形拼接错误检查结果图示。
h）用鼠标点击标示的图形拼接错误处，可检查错误信息。并进行人工修改。 i）把所有图形拼接错误修改完毕后，打开 Tools/Clear Error Layer进入
“Delete Objects on Error Layer”按“OK确定”钮，删除错误信息标像层。
4.3.10 图形文件输入、输出操作 4.3.10.1 顶层单元图形生成操作
图形处理完成后，需要确认一个“顶层单元”，并且把它内部所有嵌套关系的例化单元图形逐级代入展开，生成没有任何嵌套关系的完整图形 (简称 “粉碎” 或 “压平”)，同时有对“顶层单元”进行标识。步骤如下：
a） 打开 Cell/Copy ，选择已设计完成准备提供制版的合成单元，复制一个新图形单元作为“顶层单元”，建议“顶层单元”的单元名与将来提供制版用的制版文件名称一致，为制版数据转换时输入结构名方便，要求用大写字符。 b） 打开 Cell/Open ，选择“顶层单元”，使“顶层单元”，。
c） 点击 Cell/Flatten ，完成例化单元嵌套关系压平。生成加后缀(Flat) 的新单元名。
d） 打开 Cell/ Fabricate ， 选择已粉碎的顶层单元，把它标识为供制版用的顶层单元。
4.3.10.2 存储TDB格式的备份文件和准备修改的文件 a) 点击 File/Save , 存储TDB格式备份文件。
b） 打开 File/Save As ，另外存储一个提供与制版文件名称一致的TDB格式文件。
（在LEDIT 5.0系列以前版本, 进入 File/Save As... 后，可以选择TDB、 GDSII 或CIF 三种数据输出格式。LEDIT6.0系列以后版本,只能存储TDB格式文件。GDSII 或CIF 两种数据格式必须通过File/Export Mask Data和File/Import Mask Data进行输出、输入。）
4.3.10.3 输出CIF 格式制版掩模数据文件
a) 打开 File/Export Mask Data 进入 “Export Mask Data” 输出掩模数据对话框。
b） 在 “Export file type” 下拉菜单中选择 “CIF” 格式。
d） 确认 “To file：” 填充框中的文件名是所需要的制版文件名称，可以改
名。
e） 按 “Export” 钮，输出CIF格式掩模数据文件。
输出的CIF格式掩模数据文件是文本文件，可以利用书写版等文本文件读出器打开查看。通常光学图形发生器3600格式掩模数据文件是采用CIF格式掩模数据文件转换生成的。
4.3.10.4 输入CIF 格式制版掩模数据文件