11．重复步骤1.2.3.进入版图设计界面，在CSMC05MS库里调取PMOS，器件参数：W=9U.L=2U.并联M=3，将其放置在合适的位置，选中器件，按“q”,改正Delta X的值，使AAA3管的源极重合，分析电路图知将该电流镜做成二维结构，故将AAA复制形成结构，在此结构外围打一圈ntap，首先将AAA,BBB管的源极接到一起，再将其与AAA.BBB管的背栅接到一起，分别将AAA，BBB管的漏极接到ntap外，AAA.BBB管的栅极也分别接出，重复步骤7，在A管与B管栅极各打IS_PWM和VCOMP标记，最后在ntap外打一层TB；
12.重复步骤1.2.3，进入版图设计界面，按“i” CSMC05MS库调取PMOS，分析电路图可得本24个MOS管需要采用二维工质心设计法，故上排为CCCCFGAEDDDD,下排为DDDDEBGFCCCC，器件A.B管参数为：W=6U.L=3U.并联M=1，C.D管参数为：M=6U.L=3U.并联M=8，E.F.G管参数为：W=6U.L=3U.并联M=2，在调取器件时将Mulplier值修改为12，再将其复制到下端即可；在所有MOS外打一层ntap，并将其源极接到背栅上，再用GT层将所有MOS管的栅极接到一起，并连出ntap，在分别将A.B.C.D.E.F.G.管的漏极接出ntap；重复步骤7，在背栅上打VI标记；最后在ntap外打一层TB；
13.重复步骤1.2.3，进入版图设计界面，按“i” 在CSMC05MS库调取PMOS，器件参数W=2U.L=1U.并联M=2，将PMOS放在合适的位置，在MOS外打一圈ntap，将MOS管的源极直接用M1接到背栅上，再将栅极与漏极分别接到ntap外，重复步骤7，在该MOS管的栅极打上PWM_EN1,在源极及背栅打上VI标记；最后在ntap外打一层TB；
14.重复步骤1.2.3，进入版图设计界面，按“i”在CSMC05MS库里调取PMOS，器件参数：W=2U.L=1U.并联M=1，将器件放置在合适的位置，在MOS外打一圈ntap，根据电路图，将MOS管源极与背栅用M1直接相连，再将栅极与漏极分别接出ntap，最后在ntap的外面打一层TB；
15. 重复步骤1.2.3. 进入版图设计界面，按“i”在CSMC05MS库调取电容， Browse之后
选择CSMC05MS库→cap_pip→layout,在弹出的窗口对其进行正确的参数设置；
.版图总体布局布线：
1. 重复步骤1.2.3，进入版图设计界面，按“i”，在弹出的对话框点击Browse,进入库的
选择，在Library里选择710106，及之前制作的模块所在库，一次选择一个模块，再点击close,再在第一个对话框直接点击Hide，不需要做任何修改，重复以上操作，将所有模块都调进一个版图设计界面，做好整体的布局规划；
版图总体设计规划
2. 严格参照集成电路版图设计规则，根据电路图的走线将电路图所对应的版图线用M1和M2将各模块连接起来，并将所有的VDD，以及所有的GND连接在一起；
3. 通过分析电路图，把电路图上端口名称相同的在版图上都用M1或M2连接到一起； 4. 最后将版图的空缺部分打上ptap，并将所有的ptap都接地；
DRC检查：
1. 对所画的版图进行DRC检查；在CSMC路径下打开一个terminal，并输入“virtuoso &”
再回车，在弹出的窗口进行file→Export→Stream,再在接下来弹出的窗口进行相关设置，首先设置Library,点击Library后的“?”图标，Select Library选择自己的库“710106”，在Select 选择总体版图的单元名称“qqq”，在Select view‘s选择layout，再点击OK；接下来在Stream File里选择版图gds文件路径，点击Stream File后的“?”图标设置路径，逐步选中home→710106’s→CSMC→Verify→DRC→找到qqq.gds并save;如下图所示：
2. 再点击上图的apply，导出网表;
3. 打开DPTM3A,com文件，该文件路径（home→710106’s→CSMC→Verify→DRC），
打开之后找到第81,82行，分别是indisk=test.gds和primary=test，修改这两行，indisk=test.gds为indisk=qqq.gds；primary=test为primary=qqq，这里的“qqq”即为总 体版图的单元名称；如下图：