版图设计实验报告(4)

2020-03-26 21:38

4. 打开一个terminal并进入DRC路径下,输入“PDRACULA”回车,再输入“/g

DPTM3A.com”回车,再输入“/f”回车,会看到生成的文件里有一个jxrun.com既为正确,接着再输入“./jxrun,com”回车,程序会一直运行直到126后结束;如下图:

5. 在“Virtuoso @6.1.5?”窗口进行file→open,在弹出的窗口Library选择版图所在库及

“710106”,Cell选择版图单元名称后点击OK,进入版图;

6. 在版图界面的菜单栏点击Launch,在其下拉选项里选择“Dracula Interactive”,可以看到

工具栏多出“DRC”与“LVS”两项,接下来就点击菜单栏上的DRC,在其下拉选项中选择setep并单击,在弹出的窗口填入DRC文件所在路径,OK。

7. 如果DRC有错则软件会自动生成错误报告,如下图:右图显示总的错误以及错误原因,

左边显示错误所在位置,点击Fit Current Error可以看到版图上报错的具体位置,以此进行修改,再点击Next Rule则跳到下一个错误位置,以此进行修改;

8. 再修改完DRC所报的所有的错误后,保存版图,在重新导出网表,重新跑DRC, 直

到DRC检查后不再报错;

LVS检查: 1.在“Virtuoso @6.1.5?”窗口进行file→Export→Stream,导出电路网标,再file→Export→CDL?,在弹出的窗口设置相关项,点击Library Browser,选择电路图所在路径,即Library选择“710106”,Cell选择“buxian”(电路图单元名称),view选择schematic,再修改Output CDL Netlist File为buxian.cdl,再在Run Directory 设置LVS路径,点击Browse,home→ layout 710106→CSMC→Verily→LVS;OK

2.进入目录为home→layout 710106→CSMC→Verily→LVS下的DPTM3A.lvs文件,并打开,找到第66,67行如下两行indisk=test.gds,primary=test,将该两行修改成indisk=qqq.gds,primary=qqq,并找到第70行,在该行前加“;”号,最后点击SAVE;

3.打开一个terminal,并进入LVS路径下,在打开的terminal里输入“LOGLVS”回车,再输入“cir buxian.cdl”回车,再输入“con buxian”回车,再输入“x”;如下图:

4.在以上结果中继续输入“PDRACULA”回车,在输入“/g DPTM3A.lvs”回车,再输入“/f”回车,会看到生成的文件里有jxrun.com则为正确,接着再输入“./jxrun.com”; 软件自动运行,直到运行到67后结束,如下图:

4. 在进入版图界面,点击菜单栏上Launch在其下拉选项中选择在其下拉选项里选择

“Dracula Interactive”,可以看到工具栏多出“DRC”与“LVS”两项,接下来就点击菜单栏上的LVS,在其下拉选项中选择setep并单击,在弹出的窗口填入LVS文件所在路径,OK。

5..报出LVS错误后,首先分析LVS错误报告,在Number后可以看到总的错误个数,同样点击Fit Current Error可以看到错误的具体位置,并对其加以修改,对LVS所报错误进行逐个修改,直到全部改正,最后保存;

6..从新导出电路网表,从新跑LVS,若有错误,则继续修改,直到一次跑完LVS后没有错误为止;

四.实验数据和结果: LVS检查报告:

*******************************************************************************

*/N* DRACULA (REV. IC6.1.5.06-2012 / LINUX /GENDATE: 4-

JUN/2012 )

*** ( Copyright 2012, Cadence ) ***

*/N* EXEC TIME = 18:07:49 DATE = 7-JAN-2013 HOSTNAME =IC1

*******************************************************************************

INDISK PRIMARY CELL : qqq

*********** LVSNET SUMMARY REPORT *********** WEFFECT VALUE= 0.0100000

******* REDUCE (LAYOUT) SUMMARY REPORT ****** ******* STATISTICS BEFORE REDUCE ****

MOS BJT RES DIODE CAP UND BOX CELL LDD

55 0 24 0 1 0 0 0 0 OPTION TO SMASH SERIES RESISTORS (SAME SUBTYPES) IS -- ON


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