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?=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然?与?之间有如下关系
?= IC/IE=?IB/?1+??IB=?/?1+?? ② 极间反向电流
1.集电极-基极间反向饱和电流ICBO
ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
2.集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO
ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+?）ICBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图所示。
ICEO在输出特性曲线上的位置
(2) 交流参数
① 交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE?const
在放大区， ?值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取?IC/?IB。或在图02.08上通过求某一点的斜率得到?。具体方法如图所示。
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在输出特性曲线上求取β
2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? UCB?const
当ICBO和ICEO很小时，?≈?、?≈?，可以不加区分。 ② 特征频率fT
三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。
(3) 极限参数
① 集电极最大允许电流ICM
如图02.08所示，当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于?值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
② 集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 ③ 反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图所示。
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三极管击穿电压的测试电路
1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown
的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图。
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
附： 半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下
3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格
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用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管
第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管
第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。
表02.01 双极型三极管的参数
参数型号 3AX31D 3BX31C 3CG101C 3DG123C SDD101D 3DK100B 3DKG23 注：*为 f?
PCM mW 125 125 100 500 5A 100 250W ICM mA 125 125 30 50 5A 30 30A VRCBO V 20 40 45 40 300 25 400 VRCEO V 12 24 30 250 15 325 VREBO V 4 ICBO μA ≤6 ≤6 0.1 0.35 <2mA ≤0.1 fT MHz *≥8 *≥8 100 300 8
1.4 场效应管
场效应半导体三极管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET(Junction type Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET）。
1.4.1 结型场效应管
(1) 结型场效应三极管的结构
结型场效应三极管的结构与绝缘栅场效应三极管相似，工作机理也相同。结型场效应三极管的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
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结型场效应三极管的结构(动画2-8)
(2) 结型场效应三极管的工作原理
根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 ① 栅源电压对沟道的控制作用
当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。这一过程如图所示。
图02.20 VGS对沟道的控制作用(动画2-9)
② 漏源电压对沟道的控制作用
在栅极加有一定的电压，且VGS＞VGS(off)，若漏源电压VDS从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布，如图02.21(a)所示。当VDS增加到使VGD=VGS—VDS=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断，如图02.21(b)所示。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。以上过程与绝缘栅场效应三极管的十分相似，见图。
图02.21 漏源电压对沟道的控制作用(动画2-9)
(3) 结型场效应三极管的特性曲线
结型场效应三极管的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。它与绝缘栅场效应三极管的特性曲线基本相同，只不过绝缘栅场效应管的栅压可正、可负，而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。N沟道结型场效应三极管的特性曲线如图所示。