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1.4.3 场效应三极管的参数和型号
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流。 ④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。
(2) 场效应三极管的型号
场效应三极管的型号，现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如，CS14A、CS45G等。
1.4.4场效应管与晶体管的比较
极型三极管 场效应三极管
结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C、E一般不可倒置使用 D、S一般可倒置使用 载流子 多子扩散、少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入
控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm)
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噪声 较大 较小
温度特性 受温度影响较大 较小，并有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响
集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成