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局策略上，有可能会遇到像是泰国洪水之类的突发事件，所以现在暂时无法公布确切的投资金额，但可以肯定的是绝对不会少于2011年。
三星会长李健熙曾说，在经济不景气时，企业应该勇于进行投资，才能维持自身竞争力；在景气转好时，则要设法拉开与竞争对手的实力差距，才能维持原本的不败地位，这段话同样可以作为三星在面对2012年投资布局的中心思想。日前李健熙参加三星举办的2011年自豪的三星印象颁奖典礼时，向在场的记者透露，正因为全世界的景气陷入一片黑暗，企业更要保持紧张气氛，尤其必须进行比以往更加积极的投资行动。
2011年三星在半导体产业投入12兆韩元(约104.88亿美元)、LCD事业投入3兆韩元(约26.16亿美元)，加上其他事业的投资策略，金额高达23兆韩元(约201.02亿美元)。不过2011年LCD产业状况不佳，多少影响三星的投资态度，挹注在LCD事业上的年度投资金额较2011年初的规划稍有减少。
权五铉也提到三星预计在大陆设置储存型快闪记忆体(NAND Flash)工厂的计划，虽然现在还没有设定确切的内容，不管是投资金额或是厂房地点都还没具体规划，但是关于三星最担心的技术流出问题，在数度检验之后，判定应该不至于发生。
在场记者问到，未来权五铉与副会长崔志成的业务范围将如何分工。权五铉只简短回答，自己将负责零件事业，身为CEO的崔志成则负责模组部分。至于未来是否将收回三星行动显示(Samsung Mobile Display；SMD)等零件相关企业，权五铉表示尚无具体计划。
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(三) 产业信息
1. 2011年前三季度中国集成电路产业发展情况
自：半导体制造
2011年上半年，中国集成电路总产量达到584.5亿块，同比增长14.3%。全行业实现销售收入1110.44亿元，同比增速为12.4%。进入三季度以来，受欧美经济疲软、制造业产能过剩、以及半导体产品库存过剩等诸多因素的影响，国内集成电路产业增长势头大幅放缓 根据海关统计，2011年1-9月集成电路进口金额1252.1亿美元，同比增长8.5%；出口金额234.9亿美元，同比增长9.3%。 图2009Q1——201Q3中国集成电路产业销售额规模及增长
三业情况来看，在海思半导体、展讯通信等重点IC设计企业销
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售收入快速增长的带动下，前三季度IC设计业整体销售额继续保持较高增速。IC设计业销售额规模达到305.89亿元，同比大幅增长34.6%；芯片制造业和封装测试业受到国际市场疲软等因素的影响，增速出现大幅回落，其中芯片制造业前三季度销售收入同比增速回落至5.6%，规模为338.70亿元，封装测试业销售收入同比增速回落至5.8%，规模为465.85亿元。 2. 2013年有望成为3D芯片元年
自：eettaiwan
随着目前平面化的晶片开始出现多层式结构，半导体制造的基础将在未来几年发生转变。在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后，立体的三维晶片(3D IC)终于可望在明年开始商用化──但这其实也已经远落后于先前规划的时程多年了。
过去几年来，晶片制造商们一直在努力地使与3D IC互连的TSV技术更加完善。现在，TSV已经可针对2D作业实现最佳化了，例如从平面晶片的正面传送数据到背面的微凸块，采用堆叠晶片的3D IC时代即将来临。
去年冬天所举行的国际固态电路会议(ISSCC)上所探讨的主题几乎都是3D晶片，例如三星(Samsung)公司大肆宣传其1Gb行动DRAM，并计划在2013年前量产4Gbit晶片。透过三星的2.5D技术，可使采
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用TSV的堆叠DRAM与系统级封装(SiP)上的微凸块密切配合。
预计今年秋天就能看到在2.5D技术方面的重大成就──赛灵思(Xilinx)公司将提供一种多级FPGA解决方案，它透过封装技术而使四个平行排列的Virtex-7 FPGA与矽晶内插器上的微凸块实现互连。台湾积体电路制造公司(TSMC)正在制造这种可为FPGA重新分配互连的矽晶内插器──采用一种以‘塌陷高度控制晶片连接’(C4)技术接合基板封装上铜球的TSV技术。台积电承诺可望在明年为其代工客户提供这种突破性的2.5D 至3D过渡技术。
然而，2011年所发布最令人惊喜的3D IC消息来自于IBM公司。该公司最近透露已经秘密地大规模生产可用于大量行动消费电子设备的成熟3D IC，不过使用的仍是低密度的TSV技术。由于累积了相当的技术经验，IBM声称目前已掌握了3D的其它工程障碍，并预计能在2012年时克服这些挑战。
“凭藉一招半式闯天涯的时代已经结束了，”IBM公司研究副总裁Bernard Meyerson指出，“如果只想依赖于某种材料、晶片架构、网路、软体或整合，就无法在3D性能战中取得胜算。为了要在3D战场上致胜，就必须尽可能地同时使用所有的资源。”
IBM在今年九月宣布已经与3M公司商讨共同创造一种新的设计材料──这种材料可望解决3D IC最后剩余的工程障碍：过热问题。3M公司的任务在于创造一种适合于堆叠晶片之间的填充材料，也是一种类似电介质的电绝缘体，但比矽晶的导热性更佳。3M承诺可在两年内使这种神奇的材料商用化。
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“现在，我们一直在进行试验，希望能在2013年以前发展出一个可行的方案，以实现广泛的商用化，”3M公司电子市场材料部门的技术总监程明说。
然而，对于IBM-3M共同开发的努力能否使双方公司处于3D IC竞赛的领先位置，一些分析师们对此仍存疑。
“3M正在制造一种可为3D堆叠解决散热问题的填充材料，”MEMS Investor Journal先进封装技术的首席分析师Francoise von Trapp说。“虽然这绝对是在3D IC量产前必需解决的挑战之一，但我认为它不见得就是解决3D堆叠其余问题的最后关键。”
3D无处不在
即使IBM公司声称已在3D IC生产方面领先，但市场上也不乏其它竞争厂商。事实上，美国Tezzaron Semiconductor已经为其钨TSV制程提供3D IC设计服务多年了。Tezzaron的FaStack制程可从厚度仅12亳米晶圆的异质晶片中制造出3D晶片。它能以每平方毫米1百万TSV深次微米互连的密度为堆叠DRAM提供Wide I/O。
连续创业的企业家Zvi Or-Bach指出，3D IC设计的焦点必须跳脱TSV至超高密度的单片式3D。Or-Bach会这么说，一点都不令人意外，因为他最近还成为了IP开发公司MonolithIC 3D Inc.的总裁兼CEO。另一家新创的BeSang公司也声称即将制造出不必使用TSV技术的单片式3D记忆体原型晶片，可望在2012年首次亮相。
然而，当今最先进的技术还是采用TSV的3D晶片堆叠，几乎每一家主要的半导体公司都专注于这项技术的研发。“IBM公司更挑战