附件7
“重大科学仪器设备开发”重点专项 2018年度项目申报指南建议
为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》、《中国制造2025》和《关于加快推进生态文明建设的意见》等提出的任务，国家重点研发计划启动实施“重大科学仪器设备开发”重点专项。根据本重点专项实施方案的部署，现提出2018年度项目指南建议。
本重点专项总目标：紧扣我国科技创新、经济社会发展对科学仪器设备的重大需求，充分考虑我国现有基础和能力，在继承和发展“十二五”国家重大科学仪器设备开发专项成果的基础上，坚持政府引导、企业主导，立足当前、着眼长远，整体推进、重点突破的原则，以关键核心技术和部件的自主研发为突破口，聚焦高端通用科学仪器设备和专业重大科学仪器设备的仪器开发、应用开发、工程化开发和产业化开发，带动科学仪器系统集成创新，有效提升我国科学仪器设备行业整体创新水平与自我装备能力。通过本专项的实施，构建“仪器原理验证→关键技术研发（软硬件）→系统集成→应用示范→产业化”的国家科学仪器开发链条，完善产学研用融合、协同创新发展的成果转化与合作模式，激发行业、企业活力和创造力。强化技术创新和产品可靠性、稳
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定性实验，引入重要用户应用示范、拓展产品应用领域，大幅提升我国科学仪器行业可持续发展能力和核心竞争力。
本专项充分利用国家科技计划（专项、基金）或其他渠道，已取得的相关检测原理、方法、技术或科研装置，开展系统集成、应用开发和工程化开发，形成具有自主知识产权、“皮实耐用”和功能丰富的重大科学仪器设备产品，并服务科学研究和经济社会发展。本专项按照全链条部署、一体化实施的原则，共设置了关键核心部件、高端通用科学仪器和专业重大科学仪器3个任务方向。专项实施周期为5年（2016－2020年）。
1．核心关键部件开发与应用
共性考核指标：目标产品应通过可靠性测试和第三方异地测试，技术就绪度达到9级；至少应用于2类仪器；明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量；形成批量生产能力，明确项目验收时销售数量和销售额。
1.1 X射线菲涅耳透镜
研究目标：开发X射线菲涅耳透镜，突破纳米尺度微结构的高深宽比加工技术难题，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在同步辐射、显微CT、软X射线成像等仪器中的应用。
考核指标：最外环宽度≤25nm@500eV，环高≥200nm@500eV；最外环宽度≤40nm@9keV，环高
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≥700nm@9keV，衍射效率≥1%@9keV；X射线聚焦≤60nm；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.2 S波段高功率速调管
研究目标：开发S波段高功率速调管，突破高压电子枪、高功率容量输出窗口技术，解决速调管工作稳定性难题，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在高能对撞机、同步辐射光源、自由电子激光装置、辐射成像装置、辐照加速器等仪器装置中的应用。
考核指标：中心频率2998MHz，带宽2MHz，最大输出功率≥50MW，脉冲宽度2μs，脉冲重复频率≥50Hz，效率≥45%，增益≥50dB；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.3 太赫兹倍频器
研究目标：开发太赫兹倍频器，突破太赫兹倍频电路设计与精密制造技术，采用国产倍频芯片，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在太赫兹信号发生器、太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。
考核指标：3倍频输出频率范围0.325THz~0.5THz，最大输出功率≥-10dBm，倍频损耗≤20dB；4倍频输出频率范围0.5THz~0.75THz，最大输出功率≥-20dBm，倍频损耗≤25dB；4倍频输出频率范围0.75THz~1.1THz，最大输出功率≥-30dBm，倍频损耗≤30dB；平均故障间隔时间≥5000小时。
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1.4 通用高精度匀场超导磁体
研究目标：开发通用高精度匀场超导磁体，突破大口径超导强磁体加工和高精度匀场设计等关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在量子振荡检测仪、核磁谱仪、磁致冷和强磁场材料处理装置等仪器中的应用。
考核指标：磁场强度≥18T，孔径≥60mm，磁场相对不均匀度≤10-4@直径10mm内；磁场不稳定度≤10-5/h；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.5 双曲面线性离子阱
研究内容：开发双曲面线性离子阱，突破双曲线形电极加工和四电极高精度平行绝缘装配等关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在离子阱质谱仪、大型离子反应仪等仪器中的应用。
考核指标：电极长度≥100mm，双曲面电极表面粗糙度Ra≤0.1μm，双曲面线轮廓度≤0.4μm，离子阱综合几何精度≤5μm，质量范围50amu~4000amu，相对质量分辨率≤0.5amu；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.6 宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器
研究内容：开发宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器，突破高灵敏光生电荷采集结构制备关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、
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质量稳定可靠的产品，实现在高灵敏度显微镜、微光探测仪、光谱分析仪等仪器中的应用。
考核指标：波长范围260nm~1000nm，像元数目≥1024×1024，像元尺寸≤13μm ×13μm，倍增增益≥1000，最高信噪比≥45dB，峰值量子效率≥80%，暗电荷≤350e/pixel/s（常温），最高输出帧频≥10fps；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.7 太赫兹混频器
研究目标：开发太赫兹混频器，突破太赫兹混频电路设计与精密制造等关键技术，采用国产混频芯片，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实现在太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹频谱分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。
考核指标：2次谐波混频频率范围0.325THz~0.5THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤17dB；4次谐波混频频率范围0.5THz~0.75THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤30dB；4次谐波混频频率范围0.75THz~1.1THz，中频频率范围20MHz~300MHz，变频损耗≤35dB；平均故障间隔时间≥5000小时。
1.8 InGaAs探测器
研究目标：开发InGaAs探测器，突破单光子信号探测芯片设计制造关键技术，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品，实
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