③在n=p的半导体区域，这里n>>ni0
12. 在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。
13. 室温下，p型半导体中的电子寿命为?=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(V?s)。试求电子的扩散长度。
14. 设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(V?s)。试计算空穴扩散电流密度。
15. 在电阻率为1??cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度（?n）0=1010cm-3,试求边界 处电子扩散电流。
16. 一块电阻率为3??cm的n型硅样品，空穴寿命?p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（?p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？
17. 光照1??cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3?s-1。设样品的寿命为10us ，表面符合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。 18. 一块掺杂施主浓度为2?1016cm-3的硅片，在920oC下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。
①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。
②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1017cm-3?s-1，试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？
第六章习题
1. 若ND=5?1015cm-3,NA=1017cm-3,求室温下Ge突变pn结的VD。
2. 试分析小注入时，电子（空穴）在五个区域中的运动情况（分析漂移与扩散的方向及相对应的大小）。
中扩势扩中 - +
性散垒散性
取 区 区 区 区
3. 在方向情况下做上题。
4. 证明方向饱和电流公式（6-35）可改写为
b?2ik0TJs=
?1?b?2q?11????Ln?pLp??? ??式中b=un/up,?n和?p分别为n型和p型半导体电导率，?i为本征半导体率。 5. 一硅突变pn结，n区的?n=5??cm，?p=1us；p区的?p=0.1??cm，?n=5us,计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过pn结的电流密度。
6. 条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：①-10V；②0V；③0.3V。
7. 计算当温度从300K增加到400K时，硅pn结反向电流增加的倍数。 8. 设硅的性缓变结的杂质浓度梯度为5?1023cm-4,VD为0.7V，求反向电压为8V时的势垒区宽度。
9. 已知突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3,ND=1020cm-3,①求势垒高度和势垒宽度；②画出E(x)、V（x)图。
10. 已知电荷分布?（x）为：①?（x）=0；②?（x）=c;③?（x）=qax(x在0?d
之间)，分别求电场强度E(x)及电位V（x)，并作图。
11. 分别计算硅n + p结在正向电压为0.6V、反向电压为40V时的势垒区宽度。已知NA=5?1017cm-3,VD=0.8V。
12. 分别计算硅n + p结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度。已知ND=5?1015cm3,Vd=0.7V。
13. 高阻区杂质浓度为ND=1016cm-3,Ec=4?105V/cm,求击穿电压。 14. 设隧道长度?x=40nm，求硅、锗、砷化镓在室温下电子的隧道概率。
第七章习题
1. 求Al-Cu、Au-Cu、 W-Al、 Cu-Ag、Al-Au 、Mo-W 、Au-Pt的接触器电势差，并标出电势的正负。
2. 两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其两端a 、b的电势差同A、B直接接触的电势差一样。如果A是Au,B是Ag, C是Cu或 Al，则Vab是多少伏？
3. 施主浓度ND=1017cm-3的n型硅 ，室温下的功函数是是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.05eV。
4. 受主浓度NA=1017cm-3的p型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Pt接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.13eV。
5. 某功函数为2.5eV的金属表面受到光的照射。 ①这个面吸收红色光或紫色光时，能放出光电子吗？
②用波长为185nm的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少eV。 6. 电阻率为10??cm的n型锗和金属接触形成 的肖特基势垒高度为0.3eV。求加上5V反向电压时的空间电荷厚度。
7. 在n 型硅的（111）面上与金属接触形成肖特基势垒二极管。若已知势垒高度q?ns=0.73eV ，计算室温下的反向饱和电流JST.
8. 有一块施主硬度ND=1016cm-3的n型锗材料，在它的（111）面上与金属接触制成肖特基势垒二极管。已知VD=0.4V,求加上0.3V电压时的正向电流密度。
第十二章习题
1. 如图12-1所示，设样品长为8mm,宽为2mm,厚为0.2mm的Ge,在样品长度两段加1.0V的电压，得到10mA沿x方向的电流，在沿样品垂直方向（+z）加0.1T的磁场，则在样品长度两段测的电压VAC为-10mA,设材料主要是一种流自导电，试求： ①材料的导电类型； ②霍耳系数； ③载流自浓度； ④载流子迁移率。
2. 求本征Ge和Si室温时的霍耳系数。
3. 室温时测得Ge和Si的霍耳系数为零，求电子和空穴浓度。
4. 为判断Ge的导电类型，测得它的霍耳系数为负，而塞贝克系数为正，该材料的导电类型是什么？说明理由。
5. 对长1cm、宽2nm、厚0.2mm的n型Ge,如在长度两段加1.5V电压是4得到15mA的电流；再沿样品垂直方向加以0.2T的磁场，测的霍耳电压为-30mV,求： ①霍耳系数； ②载流子浓度； ③零磁场时的电阻率。
④0.2T时的电阻率（分别计算长生学波和电离杂质散射时的情况，设等能面为球面）。
6. InSb的电子迁移率为7.8m2/（V?s），空穴迁移率为780 cm2/（V?s），本征载流子浓度为1.6?1016cm-3,求300K时： ①本征材料的霍耳系数；
②室温时测得RH=0，求载流子浓度； ③本征电阻率。
7. 对厚为0.08cm的n型GaAs，沿长度x方向同以5mA的电流，沿样品垂直方向加0.5T的磁场，得到0.4mV的霍耳电压，求： ①霍耳系数；
②载流子浓度；
③如材料电阻率为1.5?10-3??cm，求载流子迁移率。
8. 测得霍耳系数时，由于霍耳电极不可能正好做在一个等势面上，因此，在沿x方向通电流时，即使z方向上不加磁场，在霍耳电极两端也能测出由于不等势而引起的横向电压V0，加磁场后，这个电压叠加在霍耳电压上，因此它要影响测量的准确性，必须加以消除。试证明：在+ Bz时测一次横向电压，将磁场改变方向后，即- Bz时再测一次横向电压，便能消除V0的影响。
9. 试证明由于热磁效应不等势电势V0的影响，测霍耳系数时，分别改变次磁场和电流的方向，共测四次横向电压，便能消除爱廷豪森效应的其他副效应。