#定义电极
electr name=anode x.min=5 length=2 electr name=cathode bot
#.... N-epi doping 定义初始掺杂浓度 doping n.type conc=5.e16 uniform #.... Guardring doping 定义p环保护掺杂
doping p.type conc=1e19 x.min=0 x.max=3 junc=1 rat=0.6 gauss doping p.type conc=1e19 x.min=9 x.max=12 junc=1 rat=0.6 gauss #.... N+ doping
doping n.type conc=1e20 x.min=0 x.max=12 y.top=2 y.bottom=5 uniform save outf=diode.str
tonyplot diode.str -set diode.set
#物理模型定义
model conmob fldmob srh auger bgn #定义接触电极类型
contact name=anode workf=4.97 #偏压初始化 solve init #数值计算方法 method newton
log outfile=diodeex01.log
#设置偏压求解
solve vanode=0.05 vstep=0.05 vfinal=1 name=anode tonyplot diodeex01.log -set diodeex01_log.set quit
解析：
（1）
第一部分语句用来描述器件，包括网格参数（mesh）, 电极设置 （electrode locations）以及掺杂分布（doping distribution） 这是 一个具有重掺杂的浮动式环状保护区域的二维n类型器件，它分布 在结构的左右两边。肖特基阳极在器件顶端，重掺杂的阴极位于器件 底端。
（2） 在器件描述之后，模型语句被用来定义下列模型：
载流子浓度、迁移率、场迁移率、能隙变窄、SRH激发复合模型、 Auger复合模型、双载流子模型（carriers=2）。
关键语句是设置肖特基接触
contact name=
workf=
(val表示变量参数，用来设置功函数大小) 这个语句是用来设置肖特基电极的功函数的。
在这个例子里面，因为衬底是亲和能为4.17的n类型硅，所指定的 功函数为4.97，这样提供了一个肖特基势垒的高度为0.8V. 默认的势 垒高度是0. （一个完美的欧姆接触）这个条件是为阴极假定的。
（3）电学仿真简单地将阳极电压以间隔为0.05V升至
1.0V.