解：
（1）利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时，二极管导通，电阻R中电流与二极管电流相等。因此，二极管的端电压可写为uD=U-iDR，在二极管的伏安特性坐标系中作直线，与伏安特性曲线的交点就是Q点，如题2-14解图所示。读出Q点的坐标值，即为二极管的直流电流和电压，UD≈0.7V，ID≈2.6VmA。
i/mA
4
3
2 1 0 u/V 1 2 0.5
题2-14解图
（2）根据二极管动态电阻的定义，Q点小信号情况下的动态电阻为： rD?UT?26?????10??? ID?2.6? 根据已知条件，二极管上的交流电压有效值为10mA，故流过的交流有效值为： Id?Ui?10?????mA??1(mA) rD?10?15. 测得某晶体管的电流IE=2mA，IB=50μA，ICBO=1μA，试求?、?及ICEO。 解：IC≈?IE，而IE?IC?IB则?? ?? ICEO?IE?IB=0.975 IE?=39 1??1ICBO??1???ICBO?40?μA? 1??16. 某放大电路中双极型晶体三个电极的电流如题2-17图所示。
已测出IA=1.5mA，IB=0.03Ma，IC=-1.53mA。试分析A，B，C中哪个是基极，哪个是辐射极。该管的?为多大？
AIA IB IC B C 题2-17图 解：由于IE=IB+IC，所以A为集电极，B为基极，C为发射极，??1.5mA?50。
0.03mA 17. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题2-18图所示。试问： （1）它是N沟道还是P沟道的场效应管？
（2）它的夹断电压UGS(off)和饱和漏电流IDSS各是多少？
解：为N沟道结型场效应管，如题2-19图所示，夹断电压UGS(off) =-4V，饱和漏电流IDSS=3mA。
18. 一个MOS场效应管的转移特性如题2-19图所示（其中漏电流iD的方向是它的实际 方向），试问：
（1）MOS场效应管是耗尽型还是增强型？ （2）MOS场效应管是N沟道还是P沟道？
（3）从这个转移特性曲线上可求出该场效应管的什么参数？气值是多大？
iD/mA iD/mA 3 3 2 2 1 1 -4 -2 0 UGS/V -4 -2 0 UGS/V 题2-18图 题2-18解图
解：为P沟道增强型MOS 管，可求出UGS(th) =-4V。 19. 电路如题2-20图（a）所示，管子VT的输出特性曲线如题2-20图（b）所示，RD=5KΩ, 试分析输入uI为0V、8V、和10V三种情况下，uO分别是多少？
iD/mA VT + ui _ RD 10V 2 + uo _ 1 8V 6V 4V 3 6 9 12 15 uDS/V 0.25 0 (a) (b) 题2-20图 解：（1）当uI=0，即uGS=0时，管子处于截止状态（或夹断状态），所以iD=0，则uO=uDS=UDD-iDRD=15（V）。 （2）当uI=8V，即UGS=8V时，从输出特性曲线可知，管子工作在恒流区，且iD=1mA，则u=uDS=VDD-iDRD=15-5=10(V)。
（3）当uI=10V，即uGS=10V时，假设管子工作在恒流区，由题2-20图可知，iD≈ 2mA，而可求出uO=uDS=UDD-iDRD=15-10=5(V)。但是由题2-20图可知UGS(th)=4V，当uGS= 10V时，预夹断电压uDS=uGS(th)-UGS(th)=10-4=6(V)，可看到此时漏源之间实际电压小于 uGS=10V时的预夹断电压，说明工作已不工作杂恒流区，而是工作在可变电阻区。曲线iD?f?uDS?|uDS?10V的斜率就是漏源的等效电阻，漏源间的等效电阻为rDS?uDSrDS?3K?，所以uO??UDD?5.6?V? iDiDS?RD20. 单项选择： .
（1）.晶体管工作在放大区时，具有如下特点 。
（A）发射结正偏，集电结反偏。 （B）发射结反偏，集电结正偏。 （C）发射结正偏，集电结正偏。 （D）发射结反偏，集电结反偏。 （2）.晶体管工作在饱和区时，具有如下特点 。
（A）发射结正偏，集电结反偏。 （B）发射结反偏，集电结正偏。 （C）发射结正偏，集电结正偏。 （D）发射结反偏，集电结反偏。 （3）.在公射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1是 组态。
（A）共射 （B）共集 （C）共基 （D）不确定 （4）.对于题3-1图所示的放大电路，用直流电压表测得UCE≈VCC，有可能是因
为 ，测得UCE≈0时，有可能是因为 。
+VCC
RC RB Co
+ Ci
VT1 uo + ui
- -
题3-1图
（A）RB开路 （B）RC开路 （C）RB短路 （D）RB过小 （5）.对于题3-1图所示的放大电路，VCC=12V，RC=2KΩ，集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测得UCE=8V，这说明 。 （A）电路工作正常 （B）三极管工作不正常
（C）电容Ci短路 （D）电容Ci短路
（6）.对于题3-1图所示放大电路，若其它电路参数不变，仅当RB增大时，UCEQ
将 ；若仅当RC减小时，UCEQ将 ；若仅当RL增大时，UCEQ 将 ；若仅更换一个β较小的三极管时，UCEQ将 ；
（A）增大 （B）减小 （C）不变 （D）不确定 （7） .对于题3-1图所示放大电路，输入电压ui为余弦信号，若输入耦合电容Ci短路，则该电路 。
（A）正常放大 （B）出现饱和失真 （C）出现截止失真 （D）不确定
（8）.对于有NPN组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压 失真；若产生截止失真，则输出电压 失真。 （A） 顶部 （B）低部 （10）
（9）.当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将 ，集电极电流iC的波形将 ，输出电压uo的波形将 、。
（A）正半波消波 （B）负半波消波 （C）双向消波 （D）不消波
（10）.当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射极放大电路发生饱和失真，则基极iB的波形将 ，集电极电流iC的波形将 ，输出电压uo的波形将 。
（A）正半波消波 （B）负半波消波 （C）双向消波 （D）不消波
（11）.为了使高阻输出的放大电路（或内阻信号源）于低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入 。 （A）共射电路 （B）共集电路 （C）共基电路 （D）任何一种组态的电路
（12）.为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻电池的放大电路（过内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入 。
（A）共射电路 （B）共集电路
（C）共基电路 （D）任何一种组态的电路
（13）.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当为CE组态电路时，ui和uo的相位 ；当为CC组态电路时，ui和uo的相位 ；当为CB组态电路时，ui和uo的相位 。
（14）.能放大电压又能放大电流的是 组态放大电路；呢过放大电压但不能放大电流的是 组态放大电路；能放大电流但vnet.cn放大断的是 组态放大电路；能进行功率放大的是 组态放大电路。
（A）CE （B）CC （C）CB （D）任意组态
（15）.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是 组态；输入电阻最大的是 组态，输入电阻最小的是 组态；输出电阻最大的是 组态，输出电阻最小的是 组态。
（A） CE （B）CC （C）CB （D）任意组态
（16）.放大电路在低频信号作用下，电压放大倍数下降的原因是存在 电容和 电容；为在高频信号作用子啊，电压放大倍数下降的主要原因是存在 电容。 （A） 耦合 （B） 旁路 （C）三极管间 （17）.三极管的特征频率?T点对应的β为 。 (A)β=1 (B) β =
1 (C) β=0.5 （D） β=3 2（18）.某三极管的宽带增益积为1MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波，电路能够进行信号放大的最高频率为 。
（A）1MHz (B) 2MHz (C )500MHz (D)700MHz （19）.利用单一频率的余弦信号测试某放大电路，测试结果是：低频增益为AU高输
入信号频率，当频率为?I，信号增益为
1AU，继续提高输入信号频率，当频率为2?2，信号增益为
1AU，当频率为?3，信号增益为0.1AU。电路的通频宽带2为 。
（20）.为了简化分析过程，分析题3-1图电路的低频特性时，可以忽略 电容的影响。分析中频特性时，可以忽略 电容的影响。分析高频特性时，可以忽略 电容的影响。
（A）耦合 （B）旁路 （C ）三极管极间
答案：1.A. 2.C 3.B 4.A,B. 5.D. 6.A,A,C,A. 7.C. 8.B,A 9.D.A.A
10.D,A,B 11.B 12.C 13,B,A,A 14.A,C,B,D 15.B,B,CC,B 16,A,B,C 17,A 18,A 19.A 20,C,ABC,AB 21. 说明利用三极管组成放大电路的基本原则。
解：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 （1）有极连续正确的直流电源、合理的原件参数，以保证三极管发射结正偏、集电极反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。
（2）信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。
22. 题3-3图所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7，β=100，临