输出电阻ro?RD?33(K?) （4） N沟道耗尽型FET的跨导定义为： gm??iD?uGS
uDS?常数因为 iD?IDSS(1?UGS2)
UGS?off?IDSSiD
?2IDSS 所示 g?UGS?off? AU????1?UGS???2?U?UGS?off??GS?off??uo??gm(RD//RL) ui当源极电阻RS增大时，有RS??UGS??ID??gm??A?
所以当源极电阻RS增大时，跨导gm减小，电压增益因此而减小。
输入电阻和输出电阻与源极电阻RS无关，因此其变化对输入电阻和输出电阻没有影响。 （5） 若源极的的旁路电容CS开路，接负载RL时的电压增益为： AU??uo?gm?RD//RL?AUAA???U?U ui1?gmRS1?gmRS1?225?AU?20% AU即输出增益下降到原来的20%。
37.电路如题4-6图（a）所示，MOS管的转移特性如题4-6图（b）所示。试求： （1）电路的静态工作点； （2）电压增益；
（3）输入电阻和输出电阻。
+VDD 12V RD + 2 uo 1 4 3 iD/mA 10KΩ G + us - RG 10KΩ VG 3V VT S + - O 2 4 6 8 UGS/V (a) 题4-6图 （b） 解：
（1）静态工作点的计算。
根据MOS管的转移特性曲线，可知当UGS=3V时，IDQ=0.5mA。 此时MOS管的压降为UDSQ?VDD?IDQRD?12?0.5?10?7(V) （2）电压增益的计算。
根据MOS管的转移特性曲线，UGS?th??2V；当UGS?4V时，ID=1mA。 根据ID=K(UGS-UGS(th))2 ，解得k=2.5×10。因此，
-4
gm??ID?UGS?2K(UGS?UGS?th?)?2?2.5?10?4(3?2)?0.5(mS)
uDS?常数电压增益AU?uo??gmRD??0.5?10??5 ui（3）输入电阻和输出电阻的计算。
输入电阻ri??
输出电阻ro?RD?10(K?)
38. 选择填空
（1）在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是 和 。
（A）有源负载 （B）偏置电路 （C）信号源 （D）补偿电路 （2）典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是 。 （A）提高输入电阻 （B）提高差模电压增益 （C）提高共模电压增益 （D）提高共模抑制比 （3）放大电路产生零漂的主要原因是 。
（A）环境温度变化 （B）采用阻容耦合方式
（C）采用变压器耦合方式 （D）电压倍数放大
（4）在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一组是 ，零点漂移最大的是 。
（A）输入级 （B）中间级 （C）输出级 （D）直流偏置电路 （5）差分放大电路中，双端输入时差模电压放大倍数是AUd，若变为单端输入，差模电压放大倍数为 。
（A）2AUd （B）0.5AUd （C）AUd （D）无法确定 （6）差分放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比减少的原因是 。 （A）AUd不变，AUe最大。 （B）AUd减少，AUe不变。 （C）AUd减少，AUe增大。 （D）AUd增大，AUe减少。
（7）集成运放内部是由直接耦合方式的多级放大电路组成，作为放大电路的应用，它 。
（A）能放大直流信号，也能放大交流信号。 （B）不能放大直流信号，但能放大交流信号。 （C）能放大直流信号，但不能放大交流信号。
（8）差分放大电路中，输入信号为ui?1mV，单端输入放大的输出电压比单输入方式（即作为差模输入电压）进行放大得到的输出电压 。
（A）大 （B）小 （C）相同 （D）不能确定 （9）晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有 和 。 （A）功耗大 （B）功耗小 （C）速度高 （D）速度低 （10）场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是 。
（A）输入电阻大 （B）输入电阻小 （C）输出电阻大 （D）输出电阻小 答案：（1）A,B（2）D（3）A（4）A,C（5）C（6）C（7）A（8）C（9）A,C（10）A 39. 由对称三极管VT1、VT2组成的镜像电流源，如题5-2图所示。若
VCC?12V,UBE1?UBE2?0.7V,IB1?IB2,?1??2。
（1）证明当???2时，VT2的电流IC2?IR； （2）若要求IC2=1mA，电阻Ｒ应取多大？
解： +VCC IB IB1+IB2 ICIB1 VT1 IB2 VT2 R Io=IC2 （1） 证明IC2?IR。
在三极管对称的条件下有
??1??2??? ?IB1?IB2?I?IC2?C1根据电路可直接得到基准电流： IR?IC1?IB1?IB2?IC1(1?2?)
题5-2图
当???2时，1?2??1
所以IR?IC1?IC2
（2） 若要求IC2?1mA，电阻R值的计算过程如下。
根据电路可直接得基准电流 IR?VCC?UBE
IC2因为 IR?IC2 所以 IR?VCC?UBE12?0.7??11.3(K?) ?3IC21?1040．三极管VT1、VT2组成题5-3图所示的微电流电路。
（1）根据二极管电流方程，导出VT1、VT2的工作电流IC1和IC2的关系式。 （2）若测得IC1=1mA，估算电阻RE2和R的阻值。 解：
Io=IC2 （1） 推导IC1、IC2的关系式。 +VCC 根据PN结（二极管）的电流方程，有
R
IB U/UIB1+IB2 I?IS(eBET?1)
其中IS是二极管的反向饱和电流，或称为
反向漏电流。
在正偏状态下，UBE??UT?26mV，此
IB1 时I?ISeUBE/UTICVT1 IB1 IB2 VT2 IB1
题5-3图 三极管的发射结就是一个PN结，有
UBE?UTlnIIE?UTlnC ISISIC2 IS2 UBE2?UTln 根据电路，有UBE1?UBE2?IE2RE2 IC2?IE2?UBE1?UBE2
RE2
当VT1和VT2特性相同时，有IS1?IS2，整理得： IC2?UTIC1 lnRE2IC2（2） 已知IC1?1mA，IC2?26μV估算的最大RE2和R的阻值。
UTIC126?10?31?10?3 RE2?ln?ln?3.65?KΩ? ?3?6RC2IC226?1026?10 根据电路，得基准电流IR?IC1? R?VCC?UBE1 RVCC?UBE115?0.7??14.3(KΩ) ?3IC11?1041. 题5-4图所示电路时镜像电流源电路。在集成电路中，常用做偏置电路和有源负载。如果两个三极管对称，电流放大倍数相等，?1??2??;VCC?12V,R=12K?。试分析当VT1的电流放大倍数?分别为2、20、200时，IC2与IR的相对误差。 解：由于三极管VT1、VT2对称，电流放大倍数相等，有： IB1?IB2 IC1?IC2??IB1 由题5-4图电路得：
IR?IC1?IB1?IB2基准电流IR?当??2时，
IR +VCC R Io=IC2 ?2??IC2??1????
?? IC2V?U12?0.7??11?mA? R10?10VT1 VT2 IR?IC2(1?2)?IC2(1?)?2IC2 ?22题5-4图 此时集电极电流IC2与基准电流IR的相对误差是
IR?IC2?100% IC2当??20时，IR?IC2(1?2?)?IC2(1?2)?1.1IC2 20