+ VT RS ui + RB2 RC RB1 RL uo - + RS + us ui ib hie hfe ib RC RL + uo - - - - ri/ RB1//RB2 ro/ (a)交流通路 题3-16图 (b) 交流等效电路 AU????RC//RL?hieri?50?1?103//1?103????21
1.2?10?? AUS1.04?103?AU???21??20 33?1.04?10?0.05?10ri?RS32. 选择填空：
（1）场效应晶体管是用 控制漏极电流的。
（A）栅源电流 （B）栅源电压 （C）漏源电流 （D）漏源电压 （2）结型场效应管发生预夹断后，管子 。
（A）关断 （B）进入恒流区 （C）进入饱和区 （D）进入可变电阻区 （3）场效应管的低频跨导gm 。
（A）是常数 （B）不是常数 （C）与栅源电压有关 （D）与栅源电压无关 （4）场效应管靠 导电。
（A）一种载流子 （B）两种载流子 （C）电子 （D）空穴 （5）增强型PNOS管的开启电压 。
（A）大于零 （B）小于零 （C）等于零 （D）大于零或小于零 （6）增强型NMOS管的开启电压 。
（A）大于零 （B） 小于零 （C）等于零 （D）或大于零或小于零 （7）只有 场效应管才能采用自偏压电路。 （A）增强型 （B）耗尽型 （C）结型 （D）增强型和耗尽型
（8）分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是 。 （A）设置合适的静态工作点 （B）减小栅极电流
（C）提高电路的电压放大倍数 （D）提高电路的输入电阻 （9）栅极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与 有关。
（A）管子跨导gm （B）源极电阻RS （C）管子跨导gm和源极电阻RS
（10）某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是 。 （A）P沟道结型管 （B）N沟道结型管 （C）增强型PMOS管 （D）耗尽型PMOS管 （E）增强型NMOS管 （F）耗尽型NMOS管 答案：（1）B（2）B（3）B,C（4）A（5）B（6）A（7）B,C（8）D（9）C（10）D 33. 已知题4-2图所示电路中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源VDD的极性（+，-）、UGS的极性（>0，?0，<0，?0 任意）分别填写在题4-2表中。 VDD G D G VT S S RD D VT G VDD RD VDD D VT G S + VDD RD D VT S + G VDD RD
D VT G S + VDD RD
D VT S + RD (a) (b) (c) 题4-2图 (d) (e) (c) 图号 项目 沟道类型 增强型、耗尽型或结型 电源VDD极性 UGS极性 解：结果见题4-2解表。
题4-2解表
图号 项目 沟道类型 增强型、耗尽型或结型 电源VDD极性 UGS极性 （a） N 结型 + （b） P 结型 - （c） N 增强型 + >0 （d） N 耗尽型 + 任意 （e） P 增强型 - <0 （f） P 耗尽型 - 任意 （a） （b） （c） （d） （e） （f） ?0 ?0 34. 试分析题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。 解： （a） 能。
VT是一个N沟道JFET，要求偏置电压UGS满足UGS?off??UGS?0，而电路中VT的偏置电压UGS?0，如果满足UGS?off??UGS?0，就能正常放大。
（b） 能。
VT是一个P沟道JFET，要求偏置电压
-VDD RG1 C1 f VDD RG1 RD RD UGS满足
Co + + + ui - - - RG2 - C1 + Co + 0?UGS?UGS?o?，f而电路中VT的偏置电压UGS?0，只要
在
?+ ui - RG2 uo uo - 0?UGS?UGS?off范围内就能进行正常放大。 （c） 能。
VT是一个N沟道增强型MOSFET，要求偏置电压UGS满足
C1 （a） VDD RD RG1 VT uo RG2 - （b） -VDD RD Co + + ui - RG C1 VT Co + uo UGS?off??UGS?0。电路中UGS?0，如
果
满
足
CS - （d） （c） -VDD RD RD -VDD UGS?off??UGS?0就可以正常放大。 （d） 不能。
虽然N沟道耗尽型MOSFET的漏极D和源极S可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然电路中自给偏置电压UGS?0，满
（e） Co C1 VT + ui - RG - uo + ui - RG + C1 VT Co + uo CS - （f） 题4-3图 足UGS?UGS?off?。
但是漏极和衬底之
间的PN结正向导通，场效应管不能正常工作，因此电路不能进行信号放大。 （e）不能。
VT是一个N沟道增强型MOSFET，开启电压UGS?off??0，要求直流偏置电压
UGS?UGS?off?。电路中UGS?0，因此不能进行正常放大。
（f）能。
VT是一个P沟道耗尽型MOSFET，夹断电压UGS?off??0，放大时要求偏置电压UGS满足UGS?UGS?off?。电路中UGS?0，如果满足UGS?UGS?off?就可以进行正常放大。 35．电路如题4-4图所示，VDD?24V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其参数
IDSS?0.9mA,UGS?off???4V，跨导
gm?1.5mA/V。电路RC1?200K?,RC2?64K?,RG?1MΩ,RD?RS?RL?10KΩ。试求：
（1）静态工作点； （2）电压放大倍数；
（3）输入电阻和输出电阻。 解： （1） 静态工作点的计算。 URG2GS?UG?US?RV64DD?IDRS?200?64?24?10?ID
G1?RG2 ?5.8?10ID 在UGS?off??UGS时，
?U2 IGS?2D?IDSS??I???0.9??1?UGS?? ?UGS?off????4? 解上面两个联立方程组，得
??ID?0.64?mA??U0.62?V? GS??漏源电压为：
UGS?VDD?ID(RD?RS)?24?0.64?(10?10)?11.2(V)
（2） 求电压放大倍数。 AoU?uu??gm(RD//RL)??1.5?(10//10)??7.5 i（3） 求输入电阻和输出电阻。
输入电阻ri?RG?RG1//RG2?1000?200//64?1.05(M?) 输入电阻ro?rds//RD?RD?10(K?)
参数
+VCC RD RG1 +VCC RD RG1 + C1 + RG ui - - RG2 RS VT uo + Co + Co + + C1 + + RG VT RL uo + ui - RG2 + RS CS CS - 题4-4图 题4-5图 36．电路如题4-5图所示，VDD?18V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其跨导
gm?2mA/V。电路参数
RG1?2.2M?,RG2?51K?,RG?10M?,RS?2K?,RD?33K?。
（1） 求电压放大倍数。
（2） 若接上负载电阻RL?100K?，求电压放大倍数。 （3） 求输入电阻和输出电阻。
（4） 定性说明当源极电阻RS的值增大时，电压放大倍数、输入电阻、输出电阻是否发生
变化？如果有变化，如何变化？
（5） 若源极电阻的旁路电容CS开路，接负载时的电压增益下降到原来的百分之几？ 解： （1） 无负载时，电压放大倍数 AU?
（2） 有负载时，电压放大倍数 A?uo??gmRD??2?33??66 uiuo??gm(RD//RL)?-2(33//100)?-50 ui（3） 输入电阻和输出电阻。
输入电阻ri?RG?RG1//RG2?10?2.2//0.051?10(MΩ)