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精度% 10 5 — 1 2 — — 0.5 0.25 0.1 — ± 20 二、电容
1、电容一般分为：从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。
2、主要参数：
（1）容量：F（法）、μF（微法）
（2）额定电压：V（伏特），注意按电路最大电压计算，建议大50%-100%，而不是20%。 3、电容值系列：
10、12、15、18、22、27、33、39、47、56、68、82 4、作用：
滤波：用于电源电路，过滤掉交流和浪涌、尖冲等成分。 去耦：电源电路中与电解电容配合使用，改善器件性能。 积分：用于线性电路的运算、时间延迟等。 微分：用于线性电路的运算，改善动态响应。 移相：多用于震荡电路，形成震荡条件。 5、电容电压不能突变，电感电流不能突变。
三、二极管
1、二极管一般分为：信号二极管，大电流二极管、稳压管、肖特基二极管等。 2、主要参数：电流、反向击穿电压（稳压值） 3、作用：
整流：交流转变为脉动直流、用做电源电路。
隔离：对某一方向的信号进行隔离，使信号只能单相通过。
续流：多用于直流阀，在线圈断电时，形成放电通路，防止产生高压。 钳位：把两点之间的电路钳制在二极管的正压降上。 检波：半导体收音机电路。
4、典型压降：硅管0.5-0.7V，锗管0.1-0.3V。 5、注意4个二极管组成的整流桥块：
图2-2：二极管整流桥
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用于整流电源电路。
四、三极管
1、分PNP、NPN管
NPN PNP
图2-3：三极管符号 2、主要参数：
电流放大系数β：集电极电流Ic/Ib
集电极最大允许电流ICM：超过此电流将损坏器件。 集电极最大允许功耗PCM：超过此功率将损坏器件。 反向击穿电压UBR、UCEO：超过此电压将损坏器件。 3、三种状态：
放大状态：用于放大电路，此时器件处于线性工作状态；
饱和状态：此时集电极电流达到最大值，Uce压降达到最低，硅管0.3V、锗管0.1V左右； 截止状态：此时集电极电流为零，器件处于关断状态。 下图给出了三极管的工作特性曲线：
图2-4：三极管的工作特性曲线 4、主要作用： 放大状态：
用于模拟电路，即信号放大和功率放大； 饱和状态和截止状态：
用于数字电路，实现数字逻辑运算或用做开关作用。
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五、可控硅（不考）
1、主要参数：
额定通态平均电流IT、正向阻断峰值电压VPF、反向阻断峰值电压VPR、控制极触发电流Ig、维持电流IH。
2、作用：整流、逆变
六、MOSFET
1、概念：
功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。 2、分类：
它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下：
Ｇ
Ｓ
Ｇ
Ｓ Ｄ
Ｄ N沟道 P沟道 G：栅极、D：漏极、S：源极 图2-5：MOSFET符号及器件
耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。
增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。达到饱和前，VGS正偏越大，IDS越大。 一般使用的功率MOSFET多数是N沟道增强型。 3、主要参数： 不要求掌握。
4、特点：
输入阻抗大（1万兆欧以上），栅极电流基本为零。驱动功率小，速度高。 5、作用：
适用于高速要求的中小电流放大（100A内）。
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七、绝缘栅双极晶体管IGBT
1、原理：
相当于用场效应管做输入，晶体管做输出的复合管。
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图2-6：IGBT原理图
2、该器件符号如下：
N沟道 P沟道
图2-7：IGBT符号及器件
3、特点：输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大（几
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G
C E
G C E
千安）。
4、主要参数： 不要求掌握。
5、作用：
适用于高速要求的大电流放大。
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第二节：集成电路
一、集成电路分类
通用集成电路（有标准型号，可以自由选用）、专用集电路（专用用途，没有标准化） 小规模、中规模、大规模、超大规模集成电路 单列直插、双列直插、四列直插等 最常用的是双列直插芯片。
双列直插芯片在缺口向上时，一般按逆时针，左上角为1脚。 74系列芯片电源：一般为右上为Vcc、左下为GND。如下图所示。
二、常用集成电路
1、通用逻辑电路：
TTL——74系列、74LS系列
图2-8：74系列双列直插芯片 CMOS——4000系列等 2、电源电路：
（1）三端稳压器：如78XX（正电源）、79XX（负电源），XX为05、09、12、15、24等。
图2-9：三端稳压器使用范例 图中三极管被用于放大工作电流。
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