为：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在电浆光阻去除中，氧气主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于电浆光阻去除；利用氧气在电浆中产生氧的自由基（RADICAL）与光阻中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光阻的效果。
123 P31 磷 ·自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。·离子植入的磷离子，是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子，借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后，布植在芯片上。·是一种N-type离子，用做磷植入，S/D植入等。 124 PARTICLE CONTAMINATION 尘粒污染 尘粒污染：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂，但因机器、人为均获多或少会产生一些尘粒，这些尘粒一但沾附到芯片上，集会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即『尘粒污染』，我们在操作过程中应时时防着各项尘粒污染来源。
125 PARTICLE COUNTER 尘粒计数器 1.定义：快捷方式市之等即是以每立方呎内之为例数为分类标准，而计算微粒数的仪器即称尘粒计数器。 126 PASSIVATION OXIDE（P/O） 护层 1. 定义：为IC最后的制程，用以隔绝Device和大气2. 目的：因与大气接触，故着重在Corrosion（铝腐蚀）、Crack（龟裂）、Pin Hole（针孔）之防治。除了防止组件为大气中污染之隔绝外，护层也可当作Metal层之保护，避免Metal被刮伤。3. 方法：护层可分两种材料： A.大部分产品以PSG当护层（P Content 2-4﹪）。 B.少部份以PECVD沉积之氮化硅为之。
127 P/D（PARTICLE DEFECT） 尘粒缺陷 Particle Defect颗粒缺陷为当今影响4M DRAM制程良率的最大主因，一般而言，particle size如大于design rule的二分之一，足以造成组件的损坏。故在clean room的洁净度要求，操作人员的洁净纪律、设备本身的结构以及制程的条件和设备维修的能力，无一不为了降低particle和提升良率而做最大的努力。
128 PECVD 电浆CVD 1.定义：CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或电浆。以电浆催化之CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及Step Coverage；缺点是产生较大的应力，现Fib内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为Plasma Enhancement CVD。 129 PELLICLE 光罩护膜 一般在光罩过程中，易有微尘掉落光罩上，而使chip有重复性缺陷，故在光罩上下面包围一层膜，称之为Pellicle。好处如下：1. 微层仅只掉落在膜上，光绕射结果对于此微尘影响图按程度将降至最低。2. 无须经清洗过程而只须用空气枪吹去膜上异物即可将异物（微层）去除。
130 PELLICLE 光罩保护膜 顾名思义，光罩保护膜之最大功能，即在保护光罩，使之不受外来赃污物之污染，而保持光罩之洁净；一般使用之材料为硝化织微素，而厚度较常用的有0.28U，0.86U两种。一般而言，可将PELLICLE分为两部分：（I）FRAME：骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度称为STAND-OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE
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之能力愈高，但须配合机台之设计使用，（II）FILM：透明之薄膜，其厚度之均匀度，透光率是使用时重要之参数。PELLICLE之寿命，除了人为损伤外，一般均可曝光数十万次，透光率衰减后才停用并更换。光罩PELLICLE膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像 131 PH3 氢化磷 1.定义：一种半导体工业之气体，经灯丝加热供给能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。通常31P4最大。可由质谱谱场分析出来，做N-type离子布植用 132 PHOTORESIST 光阻 光阻为有机材料，系利用光线照射始有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，在使用溶剂使之显像。目前一般商用光阻主要含有二部分（1）高分子树酯（2）光活性物质，一工作原理不同可分为正，负两类：（1）正型：光活性物质为 DIAZOQUINOUE类，照光前难溶 于碱液中，有抑制溶解树酯功能， 照光后产生羧酸，反有利于碱液 溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。（2）负型：光活性物质为DIAZIDE类， 照后生成及不安定之双电子自由 基，能与高分子树酯键结，而增加 分子量，选择适当溶剂便可区分曝 光区与非曝光区。目前SMIC使用之正、负光阻，皆为适用于G-LINE（436NM）制程之光阻。 133 PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafere一样慎重。 134 PINHOLE 针孔 在光阻制程所谓的针孔，就是在光阻覆盖时，光阻薄膜无法完全盖住芯片表面，而刘有细小如针孔般的缺陷，再蚀刻制程时，很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报废。在以往使用负光阻制程时，由于负光阻粘稠性较大，覆盖较薄，因此容易出现针孔，固有些层次（如CONTACT）必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光阻，覆盖较厚，已无针孔的问题存在，QC亦不作针孔测试。
135 PIRANHA CLEAN 过氧硫酸清洗 过氧硫酸（peroxymonosulfuric acid）又称为CARO’s acid，主要由硫酸加双氧水反应声称，反应式如下：H2SO4 + H2O2 ﹤＝﹥H2SO5 + H2OH2SO5为一强氧化剂，可将有机物氧化分解为CO2 + H2O，因此在IC制程中常用来去除残留之光阻，另外对金属污染及微尘污染也有相当好的清洗效果。Piranha原意为食人鱼，在这里则是用来形容过氧硫酸与光阻之间的剧烈反应。
136 PIX 聚醯胺膜 PIX作用为缓冲护层，可保护CELL于封装时缓冲封装所造成之应力，且可隔绝α – Particle，PIX本身为一负光阻。
137 PLASMA ETCHING 电将蚀刻 1.定义：在干蚀刻技术中，一班多采用电浆蚀刻与活性离子蚀刻，通常电浆蚀刻使用较高之压力（大于200mT）及较小之RF功率，当芯片浸在电浆之中，暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子（正、负电荷）、电子及中性基（Radical）等，在纯化学反应中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活性离子作为中性因子。
138 PM（PREVENTIVE MAINTENANCE） 定期保养 设备正常运转期间停机，实施定期（每天、每周、每月或每季等）的设备保养。例如：检修，上油，润滑，更换消耗材等。有良好的PM才能发挥高的设备运转效率，发挥设备最高的使用率。
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139 POCL3 三氯氧化磷 1.定义：一种用作N4扩散之化合物。通常以N2为“载气”（Carrier Gas），带着POCl3和O2（氧气）一起进入高温炉管，然后产生下列反应：4POCl3+3O2 2P2 O5+6Cl25 P2 O5+5Si 4P+5SiO2在反应过程中，磷沉淀于硅表面，同时硅表面亦行成一氧化层。
140 POLY SILICON 复晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其结构都是单晶（单一方向的晶体）。而本名词也是SILICON，只是其结构是复晶结构。及其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极极单元的接连。
141 POX 聚醯胺膜含光罩功能 POX为PIX / PO Reticle Combine之略写，即PIX除具缓冲护层之作用外，同时可做PO Pattern用之光阻。PIX本身为一负光阻。 142 PREHEAT 预热 1.定义：在3190作金属溅镀时，第一个Station适用来预热芯片。2.目的：2-1使芯片在大气中吸附的气体，藉加热加速其在真空中之排除，溅镀时可以有较干净之接口。2-2芯片温度高，溅镀之金属原子可以有较高之移动率，而使表面扩散较完全，有较好的表面覆盖性。※但预热的温度有其限制，高的建度温度使得金属与硅之接触电阻升高，也使得金属突起（Hillock）变的严重，而让表面反射率变差，在金属闸产品，也发现温度不同会造成其临界电压的改变。
143 PRESSURE 压力 1. .定义：气体分子撞击反应室之器璧所产生之力量。气体分子越少、压力越低。反之气体分子越多、压力越高。·如压力<大气压力时，表示真空，其压力单位即为真空度。1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力1Torr（扥）
=1/760atm=1mmHg·如压力>大气压力时，即用单位面积所受的重量表示，如㎏/㎝2 或psi（1b（磅）/in2（吋））。一般电浆蚀刻机之压力为50millitorr～0.5Torr。一般使用之气瓶之压力约为500psi～2000PSI。
144 REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.） 活性离子蚀刻 1. 定义：在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子（正离子）及电子，当压力较低（小于100mT）且气体两端所加之电压购高时，活性离子即被迅速加速冲向电极上之芯片，而撞击晶面上暴露在电浆中的表层，将表层之原子击出，再与活性原子反应因而造成蚀刻，此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。目前我们已有的R.I.E蚀刻机台为8110、8130、8330等。 145 RECIPE 程序 PECIPE在字典的解释是医生的处方、厨师的食谱。在IC制程中则意指制程的程序。IC制造中各个步骤都有不同的要求：如温度要多少？某气体流量多少？反应室的压力多少？等等甚多的参数都是PECIPE内容的一部份。 146 REFLOW 回流 回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一，参入二氧化硅中（常用CVD方式）。之后将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层（PSG BPSG或BSG）即会『流动』，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』之意。
147 REGISTRATION ERROR 注记差 1. 定义：IC芯片的两个层次之间，必须要正确地叠在一起，此二层次图案完全正确对准之差距，即称为Registration Error。 148 RELIABILITY 可靠性 可靠性实在有很多方法来描述，但我们指针对两个观点来讨论。一般来说，可靠性就是客户对我们SMIC的产品，再他们使用一段很长的时间之后，仍能符合他们的信赖与期待。更精确的描述就是我们SMIC的产品在我们所要求的特殊环境的测试，经过一段很长的时间之后，仍能确保IC功能、函数的正常操作及称为可靠性
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合格产品。测试的项目很多，半总离不开电压、温度、湿度、机械应力及压力等。 149 REPEAT DEFECT 重复性缺点 1. 定义：重复性缺点系指同一芯片内每一个曝光区的相同位置均出现相同之缺点。重复性缺点仅发生于Stepper曝光之产品。重复性缺点所产生的现象可分为两种：A.光罩图案缺失：造成芯片图案缺失。B.光罩表面或
Pellicle表面污染：造成重复性显影不良。重复性缺点对产品良率有很大的杀伤力，例如一个曝光区内有八个晶方，若有一个晶方图案有缺失，就会造成产品良率1/8之损失。因此重复性缺点是VLSI的头号杀手
150 RESISTIVITY 阻值 1. 定义：物理学上定义阻值（Ω，即欧姆）为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V，量得电压降△V，则 △V/I即为这物体的阻值。但在半导体工业上，这样地易阻值并无太大实用价值。我们只关心芯片表面薄薄一层“动作区”的阻值。于是另外定义一“薄层阻值”，以四点针测的方法量取△V及I。Rs=△V/I（Ω/□）定义为芯片的阻值。 151 RESOLUTION 解析力 1. 定义：解析力在IC制程的对准及印刷（Align & Print）过程中站着相当重要的地位，尤其演进到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是对光学系统（如对准机、显微镜、望远镜等）好坏的评估标准之一，现今多以法国人雷莱（Rayleigh）所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时，物面上两点间之最短距离。若此距离越小，则解析力越大。（通常镜面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳时，例如对准机对焦不清时，就会造成CD控制不良，Metal桥接，Contact瞎窗或开窗过大等。
152 RETICLE 光罩 为使IC各个线路在芯片上成形（PATTERN），则必须有规范露光及遮光区域（规范曝光成形）的赵子，此称为光罩。 153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过 修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光阻去除，重新上新光阻，已定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上之规定，造成芯片有无良率之可能，则停止流程不继续生产谓之。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内之规定，但其影响不致使芯片达报废之程度，可由工程师签署，继续流程。
154 RUN IN/OUT 挤进/挤出 1. 定义：对准不良的一种；挤进（Run in）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好，而两边图案向中央挤进。挤出（Run out）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好， 而两边图案向中央挤出。 155 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面，此种P/D可刷洗去除，避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
156 SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS） 缺陷分析软件 将每片晶圆及芯片上的缺陷送入计算机中，利用缺陷分析软件，将缺陷分类，一便利统计及分析的工作。目前89%微缩型产品分类如下：SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA产品分类如下：SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR
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（以上均为分类时使用之表示名称）
157 SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE） 电子显微镜 EM最常用之运作方式为发射电子束方式（EMISSIVE MODE），电子油灯丝放出，而由5~30KV之电压加速，再经过电磁透镜使电子束聚集照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极射线管偏折电子束，而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作，达到放大之作用。扫描式电子显微镜的解像能介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间，可用于检验固体试片，由于视野纵深长，可显示清晰三度空间像。
158 SELECTIVITY 选择性 1. 定义：两种材料，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻，其两种蚀刻率之比值谓之。例如复晶电浆蚀刻：对复晶之蚀刻率为2000?/min对氧化层之蚀刻率为200 ?/min则复晶对氧化层之选择性：SS=2000?/min/200 ?/min=10选择性越高表示蚀刻特性越好。一般干事实刻选择性较化学湿蚀刻为差，吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层，而不会商道上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻之完整性。 159 SILICIDE 硅化物 一般称为硅化物（Silicide），指耐火金属（Refratory Metal）之硅化物，如钛（Ti）、钨（W）、钼（Mo）等与元素硅（Si）结合而成之化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物应用在组件之目的，主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联之阻抗，以增加组件之性能。以钛之硅化物为例。
160 SILICIDE 金属硅化物 1. 定义：Silicide通常指金属硅化物，为金属与硅之化合物。2. 目的：在微电子工业硅晶集成电路中主要用为2-1导体接触（Ohmic Contact）2-2单向能阻接触（Schottky Barrier Contact）2-3低阻闸极（Gate Electrode）2-4组件间通路（Interconnect）在VLSI（超大规模集成电路）时代中，接面深度及接口接触面积分别降至次微米及1～2平方毫米，以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的川入半导体问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日亦受到重视。由于集成电路中之金属硅化物限于近贵重（Pt，Pd、Co、Ni、?）及高温金属（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。
161 SILICON 硅 硅－SI（全文SILICON）为自然界元素之一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间（故称为半导体材料），人类可经由温度之变化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。 162 SILICON NITRIDE 氯化硅 氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质较差，但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。 163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS） 半导体制造系统 此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司（TI）为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统，其主要功能包含有：1） 制程变更控制2） 制程数据搜集与统计图表3） 制程与操作规格制定4） 机台维护追踪5） 生产计划制定6） 线上统计报表7） 在制品操
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