作与追踪8） 自动化系统接口
164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义：大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD，机台外壳等一些零组件；而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware之间，称为Firm-Ware，他的功用，，就相当于把软件写入硬件(比如PROM)，以加快速度，因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。
165 S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅 旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间之平坦化（Planization）。以增加层与层之间的结合特性，避免空洞之形成及膜之剥裂。
166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE） 缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形，且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态，为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。
167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质被称为溶剂。例如：堂溶解于水中，变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，缓和的结果称为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种： 2-1有机溶剂：分子内含有碳原子的称为有机溶剂，例如丙酮 （CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2无机溶剂：分子内不含有碳原子的称为无机溶剂，例如硫酸（H2SO4），氢氟酸（HF）3. 在FIB内所通称的溶剂，一般是只有机溶液而言。 168 SPECIFICATION（SPEC） 规范 规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试?等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，已达自主管理及全员参与标准化之目的。
169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义：SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之，有
DIODES、BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2，故一般常说之SPICE参数，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。
170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS） 展布电阻分析 在下列一些情况，可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在测量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。 171 SPUTTERING 溅镀 溅镀乃是带能量的离子撞击物体，致使表面的原子飞散出来，附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时，称为直流溅镀（D.C SPUTTERING）：
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所加电流为射频时，称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）。基于经济及效率观点，氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子，此时电子数目增加并且同时受电场再加速，以便再次进行游离反应，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一样产生辉光放电（GLOW DIS CHARGE），氩气离子受阴极（靶材）吸引，加速碰撞靶材，将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优点，因此被电子工业广泛地使用。
172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST） 系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言，每记忆细胞（Memory Cell）所存电荷（charge-to-sense）存在一刻开关的接面（junction），以空乏（depleted）的状态存在。当该细胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存电荷消失或减少到无法侦测时，该细胞便暂时消失。
173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等，当覆盖、跨越过底下层次时，由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化，会造成此薄膜、沉积材料在产品部分区域（如高低起伏交界处）覆盖度会变差，此变差的程度，即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度 最厚处此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均应达50﹪以上。 174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义：Stepper（步进式对准机）系Stepprojection aligner 之简称。Stepper与Project aligner原理类似，只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准，不但迅速、精确，且可使用计算机计算、补偿。对准方式可分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按缩影比例，分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例，光罩上一条5u之直线，曝在芯片上，仅1μ而已。
175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义：表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷，也叫做Interface States。形成表面状态的原因，是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时，有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素：氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步骤下，其表面状态密度约为5×10 10 charges/㎝2（i.e.Qs s＝5×1010q）。而对于｛100｝的表面状态密度约为｛111｝表面的1/3。
176 SWR（SPECIAL WORK REQUEST） SWR为特殊工作要求单。生产线为了区划正常流程芯片和工程实验芯片，将工程师依规定申请实验的芯片批称为SWR Lot，通常SWR Lot是用来解决制程问题，或评估新机器、制程而试作的芯片。
177 TARGET 靶 一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀之来源。 178 TDDB（TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN） 介电质层崩贵的时间依存性 利用介电质崩溃时间（Time to Breakdown）TBD与外加电场（电压）的线性模型，作加速测试（Accelerated Test），对产品（介电质）寿命（Life Time）作一估算。TBD α e – β Eox ???.(1)AF = e – β (Eext – Eop) ??(2)Life Time = T-50 * AF ?(3) 179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE） 临时性制程变更通知 随时工
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程变更通知（ECN）为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。 180 TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE） 四乙基氧化硅 1. 化学式：Si (OC2 H5)4，与常温下伟业体态。2. 用途：与经化学反应后，可生成一层二氧化硅，在IC里通常被当作绝缘层使用。3. 反应方式：- 高温低压分解反应- 高温加入触某媒分解反应- 电浆促进分解反应 181 THRESHOLD VILTAGE 临界电压 定义：当我们在MOS晶体管之源极（Source）和汲极（Drain）加一个固定偏压后，再开始调整闸极（Gate）对基质（Substrate）的电压，当闸极电压超过某一个值之后，源极和汲极就会产生电流而导通，则我们就称此时的闸极电压称为临界电压（Threshold Voltage）。NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二：A闸极氧化层厚度：Gate Oxide越厚，则VT（绝对值）越高。B基质渗杂的浓度：VT值入Dose越高，则VT越高。
182 THROUGH PUT 产量 1. 定义：Through Put为单位工时之产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时，则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量：如流程安排、故障排除、?等，亦即必须“人机一体”才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力。
183 TMP（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT） TI 记忆产品样品（原型），TI内存标准产品 在TI的产品出货控制（Productor Outgoing Control）中，以Qualification（资格审定）为期里程碑：(1) Qual以前：均为TMP产品。(2) Qual以后：分为TMS-A，TMS-B，TMS-C及Special，其可靠度保证。
184 TOX 氧化层厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE之缩写，即一般所谓氧化层厚度。通常于氮化硅蚀刻、复晶及接触窗蚀刻完，均需作TOX之测量。藉以确认该层次蚀刻完是否有过蚀刻或蚀刻不足之现象。 185 TROUBLE SHOOTING 故障排除 1. 定义：在生产过程，因为4M ，即设备、材料、人为、方法等，造成之一切问题而阻碍生产，例如：机器当机、制程异常?等。工程人员解决以上发生的问题，使这些“障碍”消弭于无形谓之Trouble Shooting，故障排除。 186 UNDERCUT 底切度 1. 定义：所谓“底切度”（Undercut），乃是蚀刻时的专用术语，简单的说，Undercut便是原来所定义出来的图形间偏离度的大小。对于等向性蚀刻（Isotropic Etching）Undercut较大，而对于完全非等向性蚀刻（Full Anisotropic Etching），其Undercut等于零，亦即能忠实地将原图形复制出来。
187 UNIFORMITY 均匀度 1. 定义：均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（C.D）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：如测量芯片内上中下左右与5点数据，5点平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均匀度Uniformity＝X m a x－X m 1m/2X×100﹪例如测量T0x厚度共五点分布如下：510、525、540、515、520?则均匀度＝540-510/2×522（平均值）×100﹪＝2.8﹪均匀度越小，表示各点变化
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越小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力越好的表现
188 VACUUM 真空 1. 定义：真空系针对大气而言一特定空间内的部分气体被排出，其大气小于一大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为一大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）2. 方法：在不同真空，气体流动的形式与传导性等均有所差异，，简略而言：在粗略真空气体的流动称之为黏滞流（Viscous Flow）。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性；在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流（Molecular Flow），其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面：中度真空之压力范围其与压力成正比关系，粗略真空与高真空区域则无此关系。 189 VACUUM PUMP 真空帮浦 凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目，造成某种程度只真空状态的机件，通称为真空帮浦。目前生产机台所使用的真空帮浦可分为抽吸式：旋片帮浦（ROTARY PUMP）、鲁是帮浦（ROOTS PUMP），活塞帮浦（PISTON PUMP）、扩散帮浦（DIFFUSION PUMP）。储气式：冷冻帮浦（CRYO PUMP）、离子帮浦（ION PUMP）。 190 VERNIER 游标尺 1. 定义：用来读取曝光制程中，本层次与前面层次之对准情形是否良好。目前公司所用之游标尺，在读取之分辨率上可分为每格0.2μ及每格0.1μ者。目前只用在步进式对准机中以得到更佳之分辨率。游标尺之设计因人而异，因此在读取时是否方便、容易，端赖设计上之是否周详。 191 VIA CONTACT 连接窗 『VIA CONTACT』连接窗，系指相同两层材质之间，如POLY（一）与POLY（二）之间，METAL（一）与METAL（二）之间欲直接相联系时，必须在制程上挖出下层（如POLY（一），METAL（一）），窗来，让上层（如POLY（二），METAL（二）能与下层相通）此窗即为连接窗，一般此做法系为节省晶方面积而设计，但因多了一层的关系，制程上会较复杂，我们DOUBLE METAL或DOUBLE POLY 制程即为一例。 192 VISCOSITY 黏度 『粘度』一词专用于液体，意指当液体接受切应力时（指作用力方向与液体表面不垂直），液体就会产生变形，所以便定义『粘度』来表示液体产生变形程度的大小。粘度是可以调整的，因为液体受切应力而变形是巨观行为的表现，所以在液体完全兼容前提下，可以加入不同粘度的溶剂来调整粘度。
193 VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW） 垂直流层 在流体的流动状态中，可分为层流（Laminar Flow）及齐流（Turbulent Flow）两种。一名叫Osborne Reynold的人利用一简易的实验将其界定，而雷诺数即为层流及齐流的界定值。一般流体流速较快者其流线（streamiline）分子易受干扰，且雷诺数大易形成齐流 ，反之，则易形成层流。（雷诺数 = 惯性力 / 粘滞力）在无尘室芯片制造场所内，其气流为稳定之层流，如此可将人员、机台等所产生之微尘带离。若为齐流，则微尘将滞留不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以尽量不使空气流线产生齐流为原则。 194 WELL/TANK 井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET（即金氧半场效晶体管），常作两型（N及P）相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。 195 WLRC（WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL） 晶圆层次（厂内）可靠度控制 WLRC是取代“End-of-line-reliability”的一种全新的可靠度监控方式，主要分为物性
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（In-line Scrap），如厚度、材料、应力、接触窗覆盖率；另有电性（成品Scrap），如TDDB，CHC EM Stress等。兹比较如下： Charactoristic 1. 回馈（Feedback）时间2. 真正原因的回馈性3. Wafer Level Qual与Design-in-Reliability的应用4. 产品报废5. 加速系数及准确性WLRC1. 快，使产品损失减到最低2. 良好，能马上找出问题所在3. 卓越4. 较多5. 高，较差End-OF-Line-Reliability1. 慢，出问题时已大量产品被影响2. 困难，因包装后产品的Data Association（资料联结性）已破坏，不易找出真正原因。3. 困难4. 少5. 低，高
196 WLQC（WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ） 晶圆层次（厂内）品质控制 先定义：客户眼中的品质：产品有问题，就是品质不良我们眼中的品质：出厂前看得到，量得到的问题，才是品质（Quality）我们眼中的可靠度：出厂前看不到，又不能直接量得到的问题，在客户手中欲发生问题，是可靠度（Reliability）所以，WLQC是针对一切厂内可直接测之（time-zero measurement），对品质有所影响的参数进行筛选及分类。对外，使出货品质分布集中、均匀（假设某可靠特性不变）。对内，回馈厂内，增进制造品质。 197 X-RAY LITHOGRAPHY X光微影技术 1. 定义：在次微米微影成像技术中，X-射线微影技术备受瞩目。由于X-射线之波长甚短（约4~10?），故可得甚佳之解析力，同时亦无干涉及绕射现象，因此可制作次微米线宽之IC图案。这种以X-射线为曝光光源之微影技术目前仍在开发中。由于X-射线穿透力甚强，，其光照图案不再是铬膜，而是一般大都为“金”。
198 YELLOW ROOM 黄光室 黄光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均为黄色光波波长者之区域。由于IC晶方内之图案均有赖光阻剂（Photo resist）覆盖在芯片上，再经曝光，显影而定型；而此光阻剂遇光线照射，尤其是紫外线（UV）即有曝光之效果，因此在显影完毕以前之生产，均宜远离此类光源。黄光之光波较长，使光阻剂曝光之效果很低，因此乃作为显影前之照明光源。
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