?、Ri．和Ro的表达式 （2）AV????(R2||RL) AVrbeRi?R1||rbe RO?R2
（3）C3开路后，将使电压增益的大小增加
????[(R2?R3)||RL] AVrbe同时Ro也将增加，RO?R2?R3。
3.5.2 如图题3.5.2所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
解 图题3.5.2a所示电路能稳定Q点，过程如下：
T???IC?Rt??VBE??IB??IC?
图题3.5.2b所示电路不能稳定Q点，因为
T?
IC?Rt??VBE??IB??IC?
??Vo1和3.5.4 电路如图3.5.4所示，设β＝100，试求：（1）Q点；（2）电压增益AV1?Vs??V?AV2?o2?；（3）输入电阻Ri；（4）输出电阻RO1和RO2、
Vs
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解 （1）求Q点
VB?
Rb2VCC?4.3V
Rb1?Rb2VB?VBE?1.8mA ReIC?IE?VCE?VCC?IC(Rc?Re)?2.8V
IB?IC??18?A
(2)求rbe及Ri
rbe?rbb'?(1??)
26mV?1.66k? IERi?Rb1||Rb2||[rbe?(1??)Re]?8.2k?
（3）
??V?VV?RcRi0101?AV1???i?????0.79 ??V?r?(1??)RR?RVVbeeissis??V?VV?ReRi0202?AV2???i????0.8 ???rbe?(1??)ReRi?RsVsViVs
（4）求RO1和RO2、
RO1?RC?2k?
R02?Re||rbe?(Rb1||Rb2||Rs)?31?
1??
3.6.3 共基极电路如图题3.6.3所示。射极电路里接入一恒流源，设?＝100，Rs?0,RL??。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
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解 rbe?rbb'?(1??)其中 IE＝1.01mA。
26mV?2.8k? IE???(RC||RL)?268 AVrbeRi?rbe?28? 1??
R0?Rc?7.5k?。
3.7.1某放大电路中AV的数幅频特性如图题3．7．1所示。（1）试求该电路的中频电压增益
?|，上限频率fH，下限频率fL；（2）当输人信号的频率 f＝fL或 f＝fH时，该电路实际的|AVM电压增益是多少分贝？
?|＝1000，上限频率人fH＝108HZ，下 解 （1）由图题3．7．1可知，中频电压增益|AVM限频率fL＝102HZ。
（2）当f＝fL或 f＝fH时，实际的电压增益是57 dB。
3.7.3 一放大电路的增益函数为
A(s)?10ss?2??101?s?1(2??106)
试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益、下限频率fL和上限频率fH以及增益下降到1时的频率。
解 对于实际频率而言，可用s?j2?f代人原增益传递函数表达式，得
??10Aj2?f?j2?f?2??101?1101??
j2?f10f(1?j)(1?j6)2??106f10 13
由此式可知，中频增益|AM|＝10，f＝10 HZ，fH＝106HZ。其幅频响应的波特图如图解3.7.3所示。增益下降到 1时的频率为 IHZ及 10 MHZ。
3.7.6一高频BJT，在Ic＝1.5mA时，测出其低频H参数为：rbe＝1.1KΩ，βo＝50，特征频率
fT＝100MHz，Cb?c?3pF，试求混合?型参数gm、rb?e、rbb?、Cb?e。
gm?IE1??57.69?10?3S?57.69mS re26mV
rb'e??gm?866.7? rbe'?rbe?rb'e?233.3?
Cb'e?gmf?92pF f??T?2MHz
?2?fT
3.7.8 电路如图3．5．1所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻 Rs= 5KΩ的信号源．电路参数为：Rb1= 33KΩ，Rb2＝22KΩ。Re＝3．9KΩ，Rc＝4．7KΩ，RL＝ 5．1KΩ， Ce＝ 50μF（与Re并联的电容器）． Vcc＝5V．IE≈0.33mA，β0＝120， rce＝300 KΩ，rbb??50?，fT=700 MHZ及Cb?c?1pF。
求：（1）输入电阻Ri;
（2）中频区电压增益|AVM| （3）上限频率fH。
解 （1）求Ri
rbe?rbb'?(1??)
26mV?9.58k?IERi?Rb1||Rb2||rbe?5.55k?
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?| （2）求中频电压增益|AVM因rce??Rc 故
?|??(Rc||RL)?30.64 |AVMrbe（3）求上限频率fH
gm?IE?12.96mS
26mVrb'e??gm?9.47k?
Cb'e?gm?2.89pF 2?fT'C?Cb'e?(1?gmRL)Cb'e?34.98pF ??Rc//RL?2.45k?。 其中RLR?(rbb'?Rs||Rb)||rb'e?2.65k?
fH?1?1.72MHz
2?RC第四章
4.1.3 一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问： （1） 它是N沟道还是P沟道FET？
（2） 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？
解 由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET， 其VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。
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