VDD(－12V) RD
CG RD CD T CS CG + Rs T + RS + Rs RL vo RL vo vs + RS － － vs CS VSS (－9V) － － （c） （d） 题图 2.2
【解】本题用来熟悉：放大电路的组成原则。
分析这类问题时，应从两方面考虑。首先分析电路的直流通路，确定放大管的直流偏置是否合理；然后分析电路的交流通路，观察信号通路是否畅通。
对题图2.2（a）：在直流通路中，要求NPN管的VC＞VB＞VE，而该电路的VCC＜0，故直流通路有错；在交流通路中，CB2将输入信号交流短路，故交流信号也有错。
改正：将VCC改为正电源，并去掉CB2。 对题图2.2（b）：在直流通路中，由于NPN管的发射结无偏置电压，故直流通路有错；交流通路没有错误。
改正：在三极管的基极到电源VCC之间接入偏置电阻RB。 对题图2.2（c）：在直流通路中，由于场效应管的栅源之间无偏置电压，故直流通路有错；交流通路没有错误。
改正：在场效应管的栅极到电源VSS之间接入偏置电阻RG。 对题图2.2（d）：在直流通路中，由于场效应管的栅源之间无偏置电压且VDD＜0（对于N沟道DMOS管，要求VDS＞0），故直流通路有错；交流通路没有错误。
改正：将VDD改为正电源，并在场效应管的栅极到地之间接入偏置电阻RG。 【2-3】在题图2.3所示电路中，已知
RC RB 室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7V，
2kΩ 260kΩ －
ICBO=1015A，试求：
T （1）室温下的ICQ、VCEQ值； （2）温度升高40oC、降低60oC 两种情况下的VCEQ值，并由此分
VEE(－6V) 析三极管的工作状态。
题图2.3 【解】本题用来熟悉：温度对放大电路Q点的影响。
（1）室温下
－VBE(on)－VBE －0.7－(－6) IBQ= = ≈20.39μA RB 260 ICQ=βIBQ+（1+β）ICBO≈βIBQ≈2.04mA VCEQ=－VEE －ICQRC=1.92V
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（2）温度升高40oC，即△T=40oC时，
β′=（1+△T×1%）β=1.4β=140
－
VBE(on)′=VBE(on)－△T×2.5×103=0.6V
△T －1510 ICBO′=I×2 =16×10A CBO 将β′、V BE(on)′、ICBO′重新代入（1）中各方程，可求得： IBQ′≈20.77μA，ICQ′≈2.9mA，VCEQ′= 0.2V
由于VCEQ′= 0.2V＜0.3V，所以三极管工作在饱和区。 温度降低60oC，即△T=－60oC时，
β″= (1+△T×1%)β= 0.4β= 40
－
VBE(on)″=VBE(on)－△T×2.5×103 = 0.85V
△T －1910 ICBO″=I×2 =156.25×10A CBO 将β″、V BE(on)″、ICBO″重新代入（1）中各方程，可求得： IBQ″≈19.81μA，ICQ″≈0.79mA，VCEQ″= 4.42V
由于VCEQ″= 4.42V＞0.3V，所以三极管工作在放大区。
【2-4】在题图2.4（a）所示电路中，已知室温下硅管的参数与题【2-3】相同，试求温度升高40oC时的ICQ与VCEQ值，并与题【2-3】作比较。 VCC(+6V) RC RB1 RB RC 1.8kΩ 15kΩ T + + T
VBB VCC RE RB2 RE － － 6.2kΩ 0.5kΩ
（b） （a） 题图2.4
【解】本题用来熟悉：分压偏置电路对Q点的稳定作用。
将图（a）电路等效成图（b）所示电路。其中
RB2 6.2 VBB≈ VCC = ×6≈1.76V，RB=RB1∥RB2=15∥6.2≈4.39kΩ RB1 +RB2 6.2+15 故而可求得室温下的静态值如下：
VBB－VBE(on) 1.76－0.7 IBQ= = 19.31μA RB +(1+β)RE 4.39+(1+100)×0.5 ICQ≈100×19.31μA≈1.93mA
VCEQ=VCC－ICQ(RC+RE ) = 6－1.93×(1.8+0.5 ) ≈1.56V
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当△T=40oC时，由上题知
－
β′=140，VE(on)′=0.6V，ICBO′=16×1015A，按照上述方法可重新求得：
IBQ′≈15.49μA，ICQ′≈2.18mA，VCEQ′≈0.99V＞0.3V
由于分压偏置电路具有稳定Q点的作用。所以当温度升高40oC时，三极管仍然工作在放大区。
【2-5】 试分析下列现象：
（1）测试两个单级放大器在负载开路下的电压增益分别为Avt1、Avt2，现将两级级联，测得总电压增益Av明显低于Avt1Avt2。
（2）两个单级放大器在负载短路时的电流增益分别为Ain1、Ain2，现将两级级联，测得总电流增益Ai≈Ain1Ain2。
（3）测得放大器的源电压增益Avs远小于电压增益Av，现调节放大器的输入电阻，发现Avs≈Av。
【解】本题用来熟悉：放大器的输入、输出电阻对增益的影响。 （1）两级级联后，总的电压增益Av=Av1Av2。而
RL RL1 Ri2
A= A Avvt21= Avt1 = Avt1 v2Ro2 +RL Ro1 +RL1 Ro1 +Ri2 显然，当Ri2＜＜Ro1或Ro2＞＞RL或二者兼有时，Au＜＜Aut1 Aut2。从中不难得出：若放大器的输入电阻越小，对前级电路电压增益的影响就越大；放大器的输出电阻越大，负载对本级电路电压增益的影响就越大。 （2）两级级联后，总的电流增益Ai=Ai1Ai2。而
Ro2 Ro1 Ro1
Ai2= Ain2 Ai 1= Ain1 = Ain1
Ro2 +RL Ro1 +RL1 Ro1 +Ri2 显然，当Ri2＜＜Ro1或Ro2＞＞RL或二者兼有时，Ai≈Ain1Ain2。从中不难得出：若放大器的输入电阻越小，对前级电路电流增益的影响就越小；放大器的输出电阻越大，负载对本级电路电流增益的影响就越小。 （3）放大器的源电压增益
Ri1
Avs= Av
Rs+Ri1
显然，当Ri1＜＜Rs时，Av＜＜Avs；而当Ri1＞＞Rs时，Avs≈Av。即放大器的输入电阻越大，信号源的内阻越小，则源电压增益Avs越接近外观增益Av。
【2-6】 题图2.5所示为两级直接耦合放大器中，已知晶体三极管的│VBE(on)│=0.7V，β=100，IBQ可忽略，要求ICQ1 = 1mA，ICQ2=1.5mA,VCEQ1=4V，│VCEQ2│=5V。试设计电路各元件值。
【解】本题用来熟悉：放大电路偏置电路的设计方法。
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取VEQ1=0.2VCC=2.4V，则
VCC (+12V) RE1≈VEQ1/ICQ1=2.4 kΩ
RE2 RC1 取I1=10IBQ1=10ICQ1/β=0.1mA，则 RB1 RB1+RB2=VCC/I1=120 kΩ T2 T1 RB2 VBQ1 VCC =VBE(on) 1+VEQ1=3.1V RB2 ≈ RRC2 RE1 B1 +RB2 RB1 =89 kΩ 题图 2.5 RB2 =31 kΩ V－VCEQ1－VEQ1 = CCRC1 =5.6kΩ
ICQ1 CC－│VBE(on)2 │－VCEQ1－VEQ1 R≈ V =3.27kΩ E2ICQ2 VEQ2－│VCEQ2│ │VBE(on)2│+ VCEQ1+VEQ1－│VCEQ2│
R= = =1.4kΩ C2
ICQ2 ICQ2
【2-7】在题图2.6所示电路中，已知各晶体三极管的特性相同，β=100，VBE(on) = 0.7V要求IEQ1=0.5mA，IEQ2=1mA，VCEQ1=2.5V，VCEQ2=4V。设VCC=12V，VCQ2=6V，I1=10IBQ1， 试计算各电阻值。
VCC 【解】本题用来熟悉：
RC1 多级放大电路Q点的分析方法。 I1 RC2 RB1 由已知条件可求得：
VEQ2=VCQ2－VCEQ2= 4－2=2V T2 T1 VCQ1=VEQ2+VBE(on) 2= 2+0.7=2.7V
RB2 RE1 RE2 VEQ1=VCQ1－VCEQ1=2.7－2.5=0.2V
VBQ1=VEQ1+VBE(on) 1= 0.2+0.7=0.9V
题图 2.6 由于IBQ1≈IEQ1/β= 5μA，
所以I1=10IBQ1=50μA，因此可求得各电阻值如下： VEQ2 VCC－VCQ2 VCC－VCQ2
RC2= ≈ = 6kΩ RE2= ≈1.9kΩ I1+ IEQ2 ICQ2 IEQ2 VEQ1 VCC－VCQ1 VCC－VCQ1
R= = 400Ω RC1= ≈ =18.6kΩ E1IEQ1 ICQ1 IEQ1 VBQ1 VEQ2－VBQ1
R= ≈16.4kΩ B2RB1= =22kΩ I1+ IBQ1 I1
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【2-8】在题图2.7（a）所示为三级直接耦合放大器中，已知各管的│VBE(on)│=0.7V，β=100，IBQ可忽略，要求ICQ1=1mA，ICQ2=1.4mA, ICQ3=1.6mA ,│VCEQ│=2V。试完成下列各题：
（1）计算各电阻阻值和各管的VCQ值；
（2）将T2改为NPN管，如图2.7（b）所示，调整RC2、RCE，保证ICQ2不变，试指出电路能否正常工作？
VCC (6V) VCC (6V) RC3 RE2 RB1 RC1 RC2 Ω6.2k T2 T3 T2 T1 RB2 RE3 RC2 RE1 RE2 4.7kΩ （b） （a） 题图 2.7
【解】本题用来熟悉：直接耦合放大电路Q点的分析方法及电平位移的基本概念。 （1）第一级电路，因为
RB2
VEQ1=VBQ1－VBE(on)1=1.89V VBQ1≈ VCC ≈2.59V RB1 +RB2 所以
VCC－VCEQ1－VEQ1 VEQ1
RC1= =2.11kΩ RE1≈ ≈1.89kΩ
ICQ1 ICQ1
第二级电路，因为
VBQ2=VCQ1= VCEQ1+VEQ1 =3.89V，VEQ2=VBQ2+│VBE(on) 2│=4.59V 所以
VCC－VEQ2
RE2≈ =1kΩ
ICQ2 VEQ2－│VCEQ2│
RC2= =1.85kΩ
ICQ2 第三级电路，因为
VBQ3=VCQ2=VEQ2－│VCEQ2│ =2.59V，VEQ3=VBQ3－VBE(on)3=1.89V 所以
VEQ3 VCC－VCEQ3－VEQ3
R≈ ≈1.18kΩ R= ≈1.32kΩ E3C3
ICQ3 ICQ3
（2）将T2改为NPN管后，T2管的集电极电位将被抬高，
VCQ2=VCEQ2+VEQ2= VCEQ2+（VCQ1－VBE(on)2）=5.19V
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