光效率明显优于后者，BFO仅为NaI Tl 的8%。而后者的密度和有效原子序数则优于前者。
7.用NaI(T1)单晶 谱仪测137Cs的662keV 射线，已知光的收集效率
Fph 0.35
，光电子收集效率gc 1，光阴极的光电转换效率k 0.22，NaI(T1)晶
体相对于蒽晶体的相对发光效率为230%。又知光电倍增管第一打拿极倍增因子
1 25，后面各级的 6，并认为vT及vI均为4%，试计算闪烁谱仪的能量分辨
率。
nph
这里的v I nph
2
1 ph
答案：
已知条件改为：
Yph 4.3 104MeV
。 且不考虑vT及vI的影响。
由（9-5-21）式
2. 16 1
1 25 6 1 0.662 4.3 104 0.35 1 0.22
2
1.36 2.18 10 5.16%
第五章 半导体探测器
1.试计算粒子在硅中损失100keV的能量所产生的电子－空穴对数的平均值与方差。
答案：常温下，在硅中产生一个电子-空穴对所需的能量： 3.62eV
E1 105
0 2.76 104
3.62电子－空穴对数的平均值：
电子－空穴对数的方差：
43
2N0 F0 0.15 2.76 10 4.14 10
2当 粒子被准直得垂直于硅P-N结探测器的表面时，241Am刻度源的主要 射线峰的中心位于多道分析器的461道。然后，改变几何条件使 粒子偏离法线35°角入射，此时看到峰漂移至449道。试求死层厚度（以 粒子能量损失表示）。 答案：
由手册可查，241Am刻度源的主要 射线能量E 5.485MeV。并假