设多道的增益（即每道所对应的能量）为G。
设 粒子在垂直入射时，在死层厚度内损失能量为E1，则在偏离法线
350入射时在死层内损失的能量E2 E1cos35 1.220E1。可得到方程
461 G E E1 5.485 E1 449 G E E2 5.485 1.220E1 解可得 E1 0.580MeV
3.算金硅面垒探测器结电容，设其直径20mm， 1000 cm，V=100V。
答案：金硅面垒探测器结由N型硅为原材料，由（10-4-9）式，结电
容
Cd 12 1.8 104 V F
2
4
3.14 1.8 10 1000 100
178.3 F
4.本征区厚10mm的平面Ge(Li)探测器工作在足以使载流子速度饱和的外加电压下，问所加电压的近似值是多少？若任一脉冲的空穴或电子损失不超过0.1%，问载流子所必须具有的最短寿命是多少？
5
E 10Vcm，计算得到需答案：由载流子达到饱和速度的电场强度
5
加电压10伏，似乎太高，一般为5000伏左右。 由于载流子的损失dNdt N，
所以服从指数规律
x E
Nx Ne 0.00N10 0
式中 E L，称为漂移长度，其定义为载流子经过长度为L时，
载流子浓度降为原来的e。由上式
x
ln1000 6.91
0.00 1 E
x E
e
423
4 10cm sE 5 10Vcm 式中 ，
1
7.23 10 4s43
4 10 5 10 6.91