（2）根据放大区三极管电流方程
IBQ
IEQ
1 可求得IBQ； UCEQ
（3）列放大电路输出回路电压方程可求得； 2）共基放大电路的动态分析
共基放大电路的动态分析方法与共射电路基本相同，只是由于共基放大电路的“交流地”是基极，一般习惯将“地”画在下方，所以微变等效电路的画法略有不同。如P94图2.24所示。
4、三种接法的比较
共射放大电路既有电压放大作用又有电流放大作用，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，适用于一般放大。共集放大电路只有电流放大作用而没有电压放大作用，因其输入电阻高而常做为多级放大电路的输入级，因其输出电阻低而常做为多级放大电路的输出级，因其放大倍数接近于1而用于信号的跟随。共基放大电路只有电压放大作用而没有电流放大作用，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路。
第九讲 场效应管放大电路
本讲重点
1、场效应管放大电路静态工作点的设置方法； 2、场效应管放大电路小信号模型分析法； 3、场效应管放大电路的特点
本讲难点
1、场效应管放大电路静态工作点的设置方法； 2、场效应管放大电路小信号模型分析法；
教学组织过程
本讲以教师讲授为主。用多媒体演示FET放大电路Q点设置方法、小信号模型及其分析方法等，便于学生理解和掌握。启发讨论FET与BJT三种不同接法电路特性及应用对比。
主要内容
1、场效应管放大电路的三种接法
场效应管的三个电极源极、栅极和漏极与晶体管的三个电极发射极、基极和集电极相对应，因此在组成电路时也有三种接法：共源放大电路、共栅放大电路和共漏放大电路。 2、FET放大电路的直流偏置
FET是电压控制器件，因此放大电路要求建立合适的偏置电压，而不要求偏置电流。FET有JFET、MOSFET，N沟、P沟，增强型、耗尽型之分。它们各自的结构不同，伏安特性有差异，因此在放大电路中对偏置电路有不同要求。
JFET必须反极性偏置，即UGS与UDS极性相反； 增强型MOSFET的UGS与UDS必须同极性偏置； 耗尽型MOSFET的UGS可正偏、零偏或反偏。
因此，JFET和耗尽型MOSFET通常采用自给偏压和分压式偏置电路，而增强型MOSFET通常采用分压式偏置电路。 3、FET放大电路的静态分析
考虑FET管子的输入电阻很高，FET的栅极几乎不取用电流，可以认为IGQ =0。
对FET放大电路进行静态分析有两种方法：图解法和估算法。静态分析时只须计算三个参数：UGSQ、IDQ和UDSQ即可，下面分别举例说明。 1）自给偏压放大电路
共源自给偏置放大电路及其直流通路如图2.25所示
UGS=VG－VS≈－ISRs<0
可见依靠JFET自身的源极电流IS所产生的电压降ISRs，使得栅-源极间获得了负偏置电压。
（1）估算法静态分析