PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定:一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD，它们均为非线性电容。
势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。
扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN结正向电流和温度等因素有关。
PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。
第二讲 半导体二极管
本讲重点
1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）； 2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；
3、二极管的箝位、限幅和小信号应用举例；
本讲难点
1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题； 2、稳压管稳压原理；
教学组织过程
本讲以教师讲授为主。用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。二极管的箝位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。
主要内容
1、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。
点接触型二极管PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管PN结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管PN结面积可大可小，PN结面积大的，主要用于功率整流；结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。 2、二极管的伏安特性以及与PN结伏安特性的区别
半导体二极管的伏安特性曲线如P7图1.9所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
1）正向特性：当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： （1）当0＜V＜Uon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。 （2）当V＞Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
2）反向特性：当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：
（1）当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。
（2）当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。
从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。
3）二极管的伏安特性与PN结伏安特性的区别：二极管的基本特性就是PN结的特性。与理想PN结不同的是，正向特性上二极管存在一个开启电压Uon。一般，硅二极管的Uon=0.5 V左右，锗二极管的Uon=0.1 V左右；二极管的反向饱和电流比PN结大。 3、温度对二极管伏安特性的影响
温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。
另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降UD大约减小2mV，即具有负的温度系数。
4、二极管的等效电路（或称为等效模型）