5、晶体管的主要参数
1）直流参数
(1)共射直流电流放大系数：=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB vCE const，在放大区基本不变。
(2)共基直流放大系数：=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE
显然与之间有如下关系： = IC/IE=IB/ 1+ IB=/ 1+ (3)穿透电流
ICEO：ICEO=（1+）ICBO；式中ICBO相当于集电结的反向饱和电流。2）交流参数
(1)共射交流电流放大系数β： = IC/ IB vCE const，在放大区 值基本不变。 (2)共基交流放大系数α：α= IC/ IE UCB const
当ICBO和ICEO很小时，≈ 、≈ ，可以不加区分。
(3)特征频率fT ：三极管的 值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的 将会下降。当 下降到1时所对应的频率称为特征频率。
3）极限参数和三极管的安全工作区
（1）最大集电极电流ICM：当集电极电流增加时， 就要下降，当 值下降到线性放大区 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为最大集电极电流ICM。至于 值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
（2） 最大集电极耗散功率PCM：PCM = iCuCE 。对于确定型号的晶体管，PCM是一个定值。当硅管的结温大于150℃、锗管的结温大于70℃时，管子的特性明显变坏，甚至烧坏。
（3）极间反向击穿电压：晶体管某一级开路时，另外两个电极之间所允许加的最高反向电压，即为极间反向击穿电压，超过此值管子会发生击穿现象。极间反向电压有三种：UCBO、UCEO和UEBO。由于各击穿电压中UCEO值最小，选用时应使其大于放大电路的工作电源VCC。
（4）三极管的安全工作区：由PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定四个区：过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。使用时应保证三极管工作在安全区。如P28图1.29所示。
6、温度对晶体管特性及参数的影响
1）温度对反向饱和电流的影响：温度对ICBO和ICEO等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。2）温度对输入特性的影响：当温度上升时，正向特性左移。当温度变化1℃时，UBE大约下降2～2.5mV，UBE具有负温度系数。
3）温度对输出特性的影响温度升高时，由于ICEO和β增大，且输入特性左移，导致集电极电流IC增大，输出特性上移。
总之，当温度升高时，ICEO和β增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。
第四讲 场效应管
本讲重点
1、MOS管结构原理；
2、MOS管的伏安特性及其在三个工作区的工作条件；
本讲难点：
1、MOS管各工作区的工作条件；
教学组织过程
本讲以教师讲授为主。用多媒体演示FET的结构原理、输出与转移特性等，便于学生理解和掌握。FET的工作区、管型的判断方法可以启发讨论。
主要内容
１、效应管及其类型
效应管FET是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。根据结构不同可分为两大类：结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET简称MOS管）。