3. 电可擦除的只读存储器EEPROM (electrically erasable PROM) 叠栅隧道MOS管结构示意图栅极G和控制栅相连,浮栅在控制栅下方 栅极和高掺杂N+(漏区D)间为隧道区 基片P-Si 浮栅上带有负电荷,叠栅隧道管截止, 反之,管子处导通状态
存储器和可编程逻辑器件(10)
2020-12-16 09:30
存储器和可编程逻辑器件(10).doc
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