TWi为写入管，TRi为读出管。 改写内容过程： VCC由+5V提高到+6V 令Wi=1
数据线Di加负电压(-2V)形成大电流将熔丝烧断，所存 信息由1改为0具有读写电路的PROM存储单元
存储器和可编程逻辑器件(7)
2020-12-16 09:30
存储器和可编程逻辑器件(7).doc
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TWi为写入管，TRi为读出管。 改写内容过程： VCC由+5V提高到+6V 令Wi=1
数据线Di加负电压(-2V)形成大电流将熔丝烧断，所存 信息由1改为0具有读写电路的PROM存储单元
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