2. 可重写入的只读存储器EPROM (erasable PROM) N沟道FAMOS管结构示意图 (Floating-gate Avalanche Injection MOS)注入：S接地，D接+25V,漏极D侧的PN 结被击穿且产生雪崩效应，一些高能量 的空穴从漏区N+穿过SiO2薄层到达浮栅 上，形成正电荷的积累，而在P-Si界面 上因静电感应出现反型层(P-Si中少数 载流子),沟道形成，FAMOS管导通 擦除：紫外光照射 ，浮栅上的正电荷消失，称为栅极 放电现象，FMOS管返回截止状态
FAMOS (悬浮栅雪崩注入管)工作原理：