N沟道叠栅隧道管+N沟道增强管 EEPROM存储单元
Wi=1时，T1管导通，T2管导通 Bj=0 T2管截止 Bj=1
存“0” 存“1”
存储器和可编程逻辑器件(11)
2020-12-16 09:30
存储器和可编程逻辑器件(11).doc
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N沟道叠栅隧道管+N沟道增强管 EEPROM存储单元
Wi=1时，T1管导通，T2管导通 Bj=0 T2管截止 Bj=1
存“0” 存“1”
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