冷壁CVD：器壁和原料区都不加热，仅基片被加热，沉积区一般采用感应加热或光辐射加热。缺点是有较大温差，温度均匀性问题需特别设计来克服。适合反应物在室温下是气体或具有较高蒸气压的液体。
热壁CVD：器壁和原料区都是加热的，反应器壁加热是为了防止反应物冷凝。管壁有反应物沉积，易剥落造成污染。 7.什么是开管CVD？什么是闭管CVD？特点是什么？
开口CVD的特点：能连续地供气和排气； 反应总处于非平衡状态；在大多数情况下，开口体系是在一个大气压或稍高于一个大气压下进行的；开口体系的沉积工艺容易控制，工艺重现性好，工件容易取放，同一装置可反复多次使用；有立式和卧式两种形式。
闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 8.什么是低压CVD和等离子CVD？
低压CVD：气相输运和反应。低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 等离子CVD：等离子体参与的利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，使沉积温度降低化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。 第七章
1.薄膜形成的基本过程描述？
薄膜形成分为：凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合生长过程。 2.什么是凝聚？入射原子滞留时间、平均表面扩散时间、平均扩散距离的概念？ 凝聚：吸附原子结合成原子对及其以后的过程
入射原子滞留时间：入射到基体表面的原子在表面的平均滞留时间 a与吸附能Ed之间的关系为 a
0exp(Ed/kT)
平均表面扩散时间：吸附原子在一个吸附位置上的停留时间称为平均表面扩散时间，用 D表示。它和表面扩散能ED之间的关系是 D平均扩散距离：吸附原子在表面停留时间经过扩散运动所移动的距离（从起始点到终点的间隔）称为平均表面扩散时间，并用
0'exp(ED/kT)。
x表示，它与吸附能Ed和扩散能ED
之间的关系为
x a0exp Ed ED /kT
3.什么是捕获面积？对薄膜形成的影响？ 捕获面积：吸附原子的捕获面积
当 S 时，每个吸附原子的捕获面积内只有一个原子，故不能形成原子对，也不能产生凝结。当 S 2 时，发生部分凝结。平均每个吸附原子的捕获面积内有一个或两个吸附原子，可形成1
原子对或三原子团。在滞留时间内，一部分吸附原子有可能重新蒸发掉。当 时，每个吸附原子的捕获面积内至少有两个吸附原子。可形成原子对或更大的原子团，从而达到完全凝结。 4.凝聚过程的表征方法？
SD Nno
1 S 2
凝结系数（单位时间内，完全凝结的气相原子数与入射到基片表面上的总原子数之比）、粘附系数（单位时间内，再凝结的气相原子数与入射到基片表面上的总原子数之比）、热适应系数（表征入射气相（或分子）与基体表面碰撞时相互交换能量的程度的物理量称为热适应系数）。 5.核形成与生长的物理过程。
岛状生长模式、层状生长模式、层岛混合模式