和7915稳压输出。
变压器开始向负载传递能量时，+15V输出1作为反馈端开始工作：反馈电压向C9充电将UC3842的7脚电压钳制住保持不变；反馈电压经R3和电位器RP7分压后输入UC3842的2脚的误差放大器，与芯片内部2.5V基准电压作比较来调整驱动脉冲宽度，从而改变输出电压以实现反馈绕组电压稳压输出，由此可知调节图4中的电位器RP7可以改变反馈输出端的输出电压。 3.电压尖峰抑制电路
J29DS波形观测J1J2单排插针12VD2FR104R830/5WR930/5WC17103/200VC18103/200VJ2 J3 J4均为RCD调节驱动电阻调节12驱动输出R1251/0.5WR1151/0.5WV1IRFP460电流采样R210.22Ω/2W123412J4单排插针单排插针GNDJ312
图6 DS波形尖峰抑制电路
图6所示是驱动电阻和RCD缓冲电路部分，此部分设计用来抑制MOSFET漏源极电压波形尖峰即DS波形尖峰。通过J1可改变驱动电阻数值，通过J2～J4的组合可改变RCD的R、C参数。
五． 调试引脚说明：
X1：输入端X1稳压电源48V输入，注意红正黑负，如下图所示。
X2：是变压器反馈绕组T2-1稳压后15V输出端子。
X3：是变压器两个绕组T2-4、T2-2的输出电压经过7815和7915后的稳压输出端子。
6
J16：J16的GND和AC可用于观察输入交流电压波形和电压值，其中GND接示波器探头的地；如下图所示。同理，GND和DC可用于观察经整流和滤波之后的直流电压波形和电压值；GND和CT可用于观察芯片UC3842的4脚的锯齿波输出；GND和OUT可用于观察芯片UC3842的6脚波形输出（MOS管驱动波形）。
J21：可用于观察反馈绕组端输出电压。（见图5）
J22：1端和12端为变压器副边输出电压观测端，分别对应两个绕组T2-4、T2-2的输出电压，3端和9端是变压器两个绕组T2-4、T2-2的输出电压经过7815和7915稳压输出。（可参照图5的原理图）
J29：为MOSFET漏源极电压波形尖峰观测端，即DS波形尖峰观测端。 可以通过一些短路块的调整，来观测DS波形尖峰的变化（可参考图6）： 1） J1用于调节驱动电阻，接上短路块后并联一电阻使总驱动电阻变小；
2） J4接短路块时，表示RCD缓冲电路接入电路，但缓冲电路内部只有R8和C17起作用；
J4、J3、J2均接短路块，内部R8、R9、C17和C18起作用，缓冲电路的总电阻变小，总电容变大。
J5、J6、J7、J8为负载选择端：J5、J6端接上短路块表示反馈绕组端接上负载；
7
J7，J8端接上短路块表示变压器副边另两个绕组T2-4、T2-2端输出接上负载（参考图5）。
六．实验步骤
1.反激式变压器设计
设计一个安匝连续的反激变压器
（1）决定设计反激变压器有关的电源参数。 输入电压 Ui：48±7V 输出电压 Uo：15V 满载电流 Io：0.2A
电路拓扑 反激连续模式 开关频率 fs：100kHz
设定占空比 D：在48V输入时0.4
最大纹波电流 ΔI：0.03A（次级），55V输入 变压器效率 η：80% 输出功率 P0=18W
峰值短路电流 Isp：6.474A（次级）
次级电感 L：18.23μH (D=0.4, ΔI=0.03A) 最大损耗（绝对）：2.0W 最大温升 40℃
冷却方式 自然对流 （2）初步计算：
Uo＇等于输出电压加上整流器、功率开关、线圈和电感电阻压降，在额定Ui =48V和设定的占空比为0.4时匝比为：
UDn?i' Uo1?D应首先计算低Ui时占空比D、交流和直流分量。低输入电压时的占空比为：
'nUo Dmax?'Ui?nUo线圈取整后，占空比要相应发生变化，电流推迟到后面计算。 （3）部分参数计算：
Pi?P0?，Uimin?41V，且有Pi?PiUimin12LI1pf， 2Uimin?
LI1pDmaxT，两式相除的
12LI1pf2?，由此解得I1p。 LI1pDmaxT8
根据公式得初级短路峰值电流：Isp1?1.3I1p 另有： I2p?nI1p，Isp2?1.3I2p。 由：I2p''U0U0 ?(1?D)，得L2?（1-D）fL2I2pf初级电流：I1L=I0/n
（4）用产品手册选择磁芯材料：磁芯材料为铁氧体，Philips 3C90。100℃
时，饱和磁感应为0.32T。
mW/cm3200kHz100kHz（5）决定磁芯工作的最大磁通密度和最大10350kHz磁通密度摆幅。如右图，采用磁芯比损耗为
100W/cm3时，工作频率f =100kHz对应的B值约
25kHz为120mT。电感安匝连续模式，饱和限制了最大磁通密度Bmax＝0.12T(3000高斯)。因此，在峰值
短路时，B将达到Bmax=0.12T。假定加了气隙的102磁芯的B－H特性线性度好，ΔBmax与电流纹波（在55V）将是：
?Bmax?Bmax?I0.03?0.12?0.00056T ISP26.474将峰峰值磁通密度摆幅除以2是0.03T（300
40100200300(mT)高斯）。
在3C90材料磁芯损耗曲线上查300高斯，纹图7 不同频率下比损耗与峰
值磁感应强度的关系波频率100kHz时比损耗近似为100mW/cm3。比经
验值100mW/cm3小得多，磁芯损耗可忽略不计。
因此，在ISP＝6.474A时达到Bmax，而ΔI=0.045A时ΔBmax仅为0.0028T。
（6）选取Bmax=0.3T，反激变压器K1=0.0085
?LISP2I1L?3AP????
B?maxK1?4磁芯类型选择：查表得磁芯EI22的磁芯AP=0.1225cm4， 如果选择EI22容易引起磁饱和。因此选择EE25磁芯，其AP为0.3515cm4，裕量充分，查表得
EE25磁芯的磁芯参数为：
有效截面积 Ae：0.429cm2 体积 Ve：4.17cm3 磁路长度 le：4.95cm
中柱直径 C：0.655cm，D：0.655cm 窗口面积 Aw：0.8194cm2
（7）根据需要的电感量计算次级匝数(L－μH;尺寸－cm)：
N2?L?I?10?2
?BmaxAe根据匝比求得初级匝数：
9
N1?N2?n
（8）根据要求的电感量计算所需的气隙长度(L－μH;尺寸－cm)：
A?g??0N2g?104
L（9）计算100kHz时的穿透深度
76.5 ??f（10）计算导线尺寸
次级线圈：Uo=41V，1－Dmax=0.56。 输出电流：Io=0.2A 平均峰值电流：
IoI2a?
1?Dmax电流有效值：
2I2?(1?Dmax)I2a 选择电流密度为4A/mm2，导线截面为0.267/=0.066mm2，次级线圈可以选用
AWG30号导线绕制，每股导线截面0.06785mm2。
初级线圈：Ui=41V，Dmax=0.44。
因为初级和次级的平均安匝总是相等的，一起驱动电感磁芯。因此 平均峰值电流：I1a=I2a/n
2有效值电流：I1?Dmax?I1a I?1.3I1p峰值短路电流：sp1
另有： I2p?nI1p，Isp2?1.3I2p 由：I2p''U0U0 ?(1?D)，得L2?（1-D）fL2I2pf初级电流：I1L=I0 n选择电流密度为4A/mm2，导线截面为0.13/4=0.0325mm2，初级线圈可以选用AWG33号导线绕制，每股导线截面0.03662mm2。
T2-4和T2-2端匝数按类似方法计算。设计变压器时采用不同匝比可得到不同输出电压值，由于稳压块7815和7915的启动电压在17V-30V之间，因此绕制变压器时T2-4和T2-2的匝数与T2-1（+15V）的不同。单排插针J22的1脚和9脚用来测变压器T2-4、T2-2端输出电压值，本实验中取此值约为25V，最后输出端稳定输出±15V电压。
2.变压器绕制方法：
设变压器原边匝数为n1，副边+15V（反馈端）匝数为n2，±15V匝数为n3。 1）拿到变压器骨架后首先确定1，2，3，4，5，6，7脚 2）1（原边），4，6，7脚为同名端
3） 第一层先绕副边，从4脚进线，为了不容易绕错，顺时针绕线，绕n2匝，
10