ESD作业规范 - 图文(6)

文件编号DOCUMENT NO.: ESD防静电控制技术规范 PAGE 26 OF 28 REV 2.0 对ESD敏感的元器件组成部份　　　（参考件） 32半导体结1MOS　结构序号元器件组成部分元器件类别MOSFET（分立的）MOS集成电路有金属跨接的半导体器件数字集成电路（双极和MOS）线性集成电路（双极和MOS）MOS　阻容器混合电路线性集成电路失效机型　失效标志电压引起的介质击穿和短路（漏电接着发生的大电流现象大）二极管（PN、PIN、肖特基）双极晶体管结型场效应晶体管由过剩能量和过热引起可控硅　数字、线性双极集成电的微等离子体二次击穿路，的微扩散输入保护电路：用于分立MOS场效应管各MOS集成电路介质击穿，与电压有关混合集成电路：厚膜电阻　薄膜的电流通路，与焦尔热电阻　单片集成电路－薄膜电阻能量有关的微电流通路器　密封薄膜电阻器的破坏混合集成电路　单片集成电路与焦尔热能量有关的金梳状覆盖式晶体管属烧毁 薄膜电阻器电阻漂移 4金属化条场效应结构和非导电性盖板压电晶体开路5采用非导电石英或陶瓷封盖板的由于ESD使正离子在表　工作性能集成电路和存储器，特别是面积垒，引起表面反型退化EPROM或栅阀值电压漂移晶体振荡器　声表面滤波器件当所加电压过大时由于工作性能退机械力使晶体破裂化67声表面波器件　无钝化层覆盖的电极间的间距较电弧放电使电极材料熔　工作性能薄膜金属无保护的半导体器件和小部位融退化微电路