STM32F207中文数据手册(7)

2019-08-31 09:05

2. 在100K次擦出操作后测量的最大编程时间 3. VPP只在编程/擦除期间连接

表38. 闪存存储器寿命和数据保存期限(略) 1. 由综合评估得出,不在生产中测试。 2. 循环测试均是在整个温度范围下进行。 5.3.13 EMC特性

在设备特性期间的一个示例基础上进行敏感测试。 功能性EMS(电磁敏感性)

在设备上执行一个简单的应用程序。(通过I/O口切换两个LED灯)。该系列被两个电磁事件强调,直到发生故障。LED灯将指明这个错误:

● 静电放电(ESD) (正和负)用于设备所有的引脚,直到发生功能障碍。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准的。

● FTB:一阵快速瞬态电压(正和负)经过一个100pF的电容作用于VDD和VSS,直到一个功能性障碍发生。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准的。 一个设备复位允许正常操作恢复。

表39给出了测试结果。他们是基于EMS水准和在应用笔记AN1709定义的类的。

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表39. EMS特性(略)

设计稳定的软件避免噪声问题。

在带有一个典型的应用环境和简化的MCU软件的元件水平上执行EMC特性和优化。应该注意的是好的EMC性能是高度依赖用户应用程度,特别是软件的。因此建议用户用EMC软件优化和资格预先测试他的应用程序中要求的EMC水准。

软件推荐

软件流程图必须包括失控条件的管理如: ● 程序损坏计数器 ● 意想不到的重置

● 关键数据丢失(控制寄存器...) 资格预审试验

大多数常见的故障(意想不到的复位和程序损坏计数器)能过被复制,通过在NRST引脚或振荡器引脚人工驱动一个低电平持续时间1s。

为了完成这些试验,在一系列规范值上,静电释放压力能够直接用于该系列。当意想不到的行为被检测到时,软件可以强化保护不可恢复的错误发生(见应用笔记AN1015)。

电磁干扰(EMI)

当一个简单的应用程序,正在执行EEMBC?代码时,该产品发射的电磁场可以被监测到。这个发射试验符合SAE IEC61967-2标准,特定的测试板和引脚加载。

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表40. EMI特征(略)

5.3.14 绝对最大额定值(电气灵敏度)

使用特定的测试方法,基于三种不同的测试(ESD, LU),强调该产品是为了确定其电气灵敏度方面的性能。 静电放电(ESD)

静电放电(一个正脉冲后跟一个负脉冲,时间间隔为一秒),可根据引脚组合用于每个采样的引脚。样本大小取决于设备中电源引脚的数量(3元件× (n+1)电源引脚).这个测试符合JESD22-A114 / C101标准。

表41. ESD绝对最大额定值(略)

1. 由综合评估得出,不在生产中测试。

2. 在VBAT引脚上,VESD(HBM)限制在1000V. 静态封闭

在六个元件上两个互补的静态测试被要求去访问封闭性能: ● 电源过压将应用于每个电源引脚

● 电流注入用于每个输入,输出和可配置的I/O口。 这些测试符合EIA/JESD 78A IC封闭标准。

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表42. 电敏感(略)

5.3.15 I/O口电流注入特性

作为一般规则,电流注入到I/O引脚,由于外部电压低于VSS或高于VDD(标准,3V能力的I/O引脚),在正常产品操作时候应该避免。然而,为了赋予微控制器健壮性的指示,以防止不正常的注入电流突然发生,在设备特性期间,在一个样品基础上执行磁化率测试。

对I/O口电流注入的功能性磁化率。

当在设备上执行一个简单的应用程序的时候,设备在浮动输入模式下编程承受着注入电流流入I/O引脚。当电流注入I/O引脚时候,一次一个,设备检查功能性故障。

由一个超出范围的参数指明故障:

ADC误差超出一个特定的限度(>5 LSB TUE),相邻引脚上超出特定的注入电流,或者其他功能性的故障(例如复位,振荡器频率误差)。

表43给出了测试结果。

表43. I/O电流注入敏感性(略)

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5.3.16 I/O端口特性

通用输入/输出特性

除非另有说明,表44给出的参数是在表12总结的条件下测试得来的。所有的I/O口是CMOS和TTL兼容的。

表44. I/O口静态特性(略)

1. 如果VIH的最大值不能得到满足,外部注入电流必须限制在IINJ(PIN)的最大值。 2. TT=容忍3.6V 3. FT=容忍5V 4. 最小100mV。

5. 在施密特触发器转换水平之间的滞后电压。由综合评估得出,不在生产中测试。 6. 漏电可能高于最大值,如果负电流被注入相邻的管脚。

7. 用一个真正的电阻串联一个可切换的PMOS/NMOS,组成上拉和下拉电阻。这个MOS/NMOS对于串联的电阻而言是很小的(~10%)。

8. 由设计保证,不在生产中测试。

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所有的I/O口都是CMOS和TTL兼容的(不需要软件配置)。他们的特性涵盖了严格的CMOS技术活TTL参数。

输出驱动电流

GPIO(通用输入/输出)能下落或起源高达±8 mA,并且下落或起源高达 ±20mA(带一个不受约束的VOL/VOH),除了PC13,PC14 和 PC15,这几个引脚能下落或起源高达±8 mA。当在输出模式中使用PC13到PC15GPIO时,速度不能超过2MHz,带有一个最大负载达30pF。

在用户应用程序中,能驱动电流的I/O引脚的数量必须被限制,以满足5.2节中指定的绝对最大额定值。

● 用VDD供电的所有I/O口的电流总和,加上由VDD供电的MCU最大运行功率,不能超过绝对最大额定值IVDD(见表10)。

● 在VSS上,流入所有I/O口的电流总和,加上在VSS上流入运行的MCU功率,不能超过绝对最大额定值IVSS(见表10)。

输出电压水平

除非另有说明,表45给出的参数来源于在表12总结的环境温度和VDD供电电压下的测试结果。所有I/O口都能兼容CMOS和TTL。

表45. 输出电压特性(1) (略)

1. 通过电源开关向PC13,PC14,PC15和PI8供电。由于这个开关只能流进有限的电流(3mA),因此在输出模式下GPIO PC13~PC15和PI8引脚的使用是受限制的:速率不能超过2MHz,带最大负载30pF,以及这些I/O口不准作为一个电流源(e.g 驱动一个LED)。

2. 流进设备的IIO电流必须总是满足表10中指定绝对最大额定值,比企鹅IIO的总和(I/O端口和控制引脚)必须不超过IVSS。

3. 流出设备的IIO电流必须总是满足表10中指定的绝对最大额定值,比企鹅IIO的总和(I/O端口和控制引脚)必须不超过,IVDD。

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4. 基于特性数据,不在生产中测试。 输入/输出交流特征

图37和表46分别给出了输入/输出AC特性的定义和值。

除非另有说明,表46给吃的参数来源于在表12中总结的环境温度和VDD供电电压条件下测试的值。

表46. I/O AC特性(1)(2) (略)

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1. 用OSPEEDRy[1:0]位配置I/O速率。参考STM32F20/21xxx 参考手册,GPIOx_SPEEDR GPIO端口输出速率寄存器的描述。 2. TBD代表 “to be defined”。 3. 图37定义了最大频率

4. 对于高于50MHz的最大频率,需要一个补偿单元。 图37. I/O AC特性定义(略)

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5.3.17 NRST引脚特性

NRST引脚输入驱动使用了CMOS技术。它连接到了一个永久的上拉电阻,RPU(见表44)。

除非另有说明,表47中给出的参数来源于在表12所列的环境温度和VDD供电电压条件下的测试结果。

表47. NRST引脚特性(略)

1.由设计保证,不在生产中测试。

2. 用一个真正的电阻串联一个可切换的PMOS,组成上拉和下拉电阻。这个PMOS对于串联的电阻而言是很小的(~10%)。

图38. 推荐的NRST引脚保护(略) 2. 复位网络保护设备防止寄生复位。

3. 用户必须确保NRST引脚上的电平能够低于表47中指定的VIL(NRST)最大电平。否则复位将不会被设备考虑。

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5.3.1 TIM定时器特性

表48和表49中的参数由设计保证。

参阅5.3.16节:关于输入/输出交流函数特性的I/O端口特性的详细信息(输出比较,输入捕捉,外部时钟,PWM输出)。

表48. 连接到APB1区域的TIMx特性(1) (略)

1. TIMx用作TIM2,TIM3,TIM4,TIM5,TIM6,TIM7和TIM12定时器的通用术语。

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表49. 连接到APB2区域的TIMx的特性(略)

1. TIMx用作TIM1,TIM8,TIM9,TIM10和TIM11定时器的通用术语。 5.3.19 通信接口 I2C接口特性

除非特别说明,表50列出的参数是使用环境温度,fPCLK1频率和VDD供电电压符合表12的条件测量得到。

STM32F205xx和STM32F207xx产品的I2C接口符合标准I2C通信协议,但有如下限制:SDA和SCL不是”真”开漏的引脚,当配置为开漏输出时,在引出脚和VDD之间的PMOS管被关闭,但仍然存在。

I2C接口特性列于表50,有关输入输出复用功能引脚(SDA和SCL)的特性详情,参见第5.3.16节。

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表50. I2C特征(略)

1. 由设计保证,不在生产中测试。

2. 为达到标准模式I2C的最大频率,fPCLK1必须大于2MHz。为达到快速模式I2C的最大频率,fPCLK1必须大于4MHz,为达到400KHz的最大I2C快速模式时钟,fPCLK1必须是10MHz的倍数。

3. 如果不要求拉长SCL信号的低电平时间,则只需满足开始条件的最大保持时间。

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图39. I2C总线交流波形和测量电路(略)

1. 测量点设置于CMOS电平:0.3VDD和0.7VDD。

表51. SCL频率(fPCLK1= 30MHz,VDD= 3.3V)(1)(2) (略) 1. RP= 外部上拉电阻,fSCL=I2C速度。

2. 对于200kHz左右的速度,速度的误差是±5%。对于其它速度范围,速度的误差是±2%。这些变化取决于设计中外部元器件的精度。

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I2S-SPI接口特性

除非特别说明,表52列出的SPI参数和表53列出的I2S参数是使用环境温度,fPCLKx频率和VDD供电电压符合表12的条件测量得到。

有关输入输出复用功能引脚(SPI的NSS、SCK、MOSI、MISO,I2S的WS、CK、SD)的特性详情,参见第5.3.16节。

表52. SPI特性(1) (略)

1. 重映射的SPI1特性需要进一步确定。 2. 由综合评估得出,不在生产中测试。

3. 最小值表示驱动输出的最小时间,最大值表示正确获得数据的最大时间。

4. 最小值表示关闭输出的最小时间,最大值表示把数据线置于高阻态的最大时间。


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