图56 异步非总线复用的SRAM/PSRAM/NOR写操作波形（略） 1. 只适于模式2/B、C和D。在模式1，不使用FSMC_NADV。
表71. 异步非总线复用的SRAM/PSRAM/NOR写操作时序(1)(2) （略） 1. CL = 30 pF.
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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图57. 异步总线复用PSRAM/NOR读操作波形（略） 表72. 异步总线复用的PSRAM/NOR读操作时序(1)(2) 1. CL = 30 pF.
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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图58. 异步总线复用PSRAM/NOR写操作波形（略）
表73 异步总线复用的PSRAM/NOR写操作时序(1)(2) （略） 1. CL = 30 pF。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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同步波形和时序
图59至图62显示了同步的波形，表75至表77给出了相应的时序。这些表格中的结果是按照下述FSMC配置得到：
● BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Enable，使能突发传输模式 ● MemoryType = FSMC_MemoryType_CRAM，存储器类型为CRAM ● WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Enable，使能突发写操作 ● CLKDivision = 1，(1个存储器周期=2个HCLK周期)(译注：CLKDivision是FSMC_BTRx寄存器中的CLKDIV位，参见STM32参考手册) ● 使用NOR闪存时，DataLatency = 1；使用PSRAM时，DataLatency = 0 (译注：DataLatency是FSMC_BTRx寄存器中的DATLAT位，参见STM32参考手册) 在所有的时序表里面，THCLK是HCLK时钟周期。 图59. 同步总线复用NOR/PSRAM读时序（略）
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表74. 同步总线复用NOR/PSRAM读时序(1)(2) 1. CL = 30 pF。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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图60. 同步总线复用PSRAM写时序（略）
表75. 同步总线复用PSRAM写时序(1)(2) （略） 1. CL = 30 pF。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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图61. 同步非总线复用NOR/PSRAM读时序（略）
表76. 同步非总线复用NOR/PSRAM读时序(1)(2)（略） 1. CL = 30 pF。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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图62. 同步非总线复用PSRAM写时序（略）
表77. 同步非总线复用PSRAM写时序(1)(2) （略） 1. CL = 30 pF。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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PC卡/CF卡控制器波形和时序 图63至图68显示了同步的波形，表78和表79给出了相应的时序。这些表格中的结果是按照下述FSMC配置得到：
● COM.FSMC_SetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PMEMx的MEMSET，x = 2…4)
● COM.FSMC_WaitSetupTime = 0x07；(译注：FSMC_PMEMx的MEMWAIT，x = 2…4) ● COM.FSMC_HoldSetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PMEMx的MEMHOLD，x = 2…4) ● COM.FSMC_HiZSetupTime = 0x00；(译注：FSMC_PMEMx的MEMHIZ，x = 2…4) ● ATT.FSMC_SetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PATTx的ATTSET，x = 2…4)
● ATT.FSMC_WaitSetupTime = 0x07；(译注：FSMC_PATTx的ATTWAIT，x = 2…4) ● ATT.FSMC_HoldSetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PATTx的ATTHOLD，x = 2…4) ● ATT.FSMC_HiZSetupTime = 0x00；(译注：FSMC_PATTx的ATTHIZ，x = 2…4) ● IO.FSMC_SetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PIOx的IOSET，x = 4)
● IO.FSMC_WaitSetupTime = 0x07；(译注：FSMC_PIOx的IOWAIT，x = 4) ● IO.FSMC_HoldSetupTime = 0x04；(译注：FSMC_PIOx的IOHOLD，x = 4) ● IO.FSMC_HiZSetupTime = 0x00；(译注：FSMC_PIOx的IOHIZ，x = 4) ● TCLRSetupTime = 0；(译注：FSMC_PCRx的TCLR)
● TARSetupTime = 0；(译注：FSMC_PCRx的TAR) 在所有的时序表中，THCLK是HCLK时钟周期。
图63. 通用存储空间读操作的PC卡/CF卡控制器波形（略） 1.FSMC_NCE4_2保持低(8位操作时为无效状态)。
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图64. 通用存储空间写操作的PC卡/CF卡控制器波形（略）
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图65. 属性存储空间读操作的PC卡/CF卡控制器波形（略） 1. 只使用数据位0~7(数据位8~15被丢弃)。
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图66. 属性存储空间写操作的PC卡/CF卡控制器波形（略） 1. 只输出数据位0~7(数据位8~15保持为高阻)。
图67. I/O空间读操作的PC卡/CF卡控制器波形（略）
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图68. I/O空间写操作的PC卡/CF卡控制器波形（略）
表78. 属性/通用空间PC卡/CF卡读写周期转换特性参数(1)(2)（略） 1. CL = 30 pF
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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表79. I/O空间PC卡/CF卡读写周期转换特性参数(1)(2)（略） 1. CL = 30 pF
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。 NAND控制器波形和时序
图69至图72显示了同步的波形，表80和81给出了相应的时序。这些表格中的结果是按照下述FSMC配置得到：
●COM.FSMC_SetupTime = 0x01；(译注：FSMC_PMEMx的MEMSET，x = 2?4)
●COM.FSMC_WaitSetupTime = 0x03；(译注：FSMC_PMEMx的MEMWAIT，x = 2?4) ●COM.FSMC_HoldSetupTime = 0x02；(译注：FSMC_PMEMx的MEMHOLD，x = 2?4) ●COM.FSMC_HiZSetupTime = 0x01；(译注：FSMC_PMEMx的MEMHIZ，x = 2?4)
●ATT.FSMC_SetupTime = 0x01；(译注：FSMC_PATTx的ATTSET，x = 2?4)
●ATT.FSMC_WaitSetupTime = 0x03；(译注：FSMC_PATTx的ATTWAIT，x = 2?4) ●ATT.FSMC_HoldSetupTime = 0x02；(译注：FSMC_PATTx的ATTHOLD，x = 2?4) ●ATT.FSMC_HiZSetupTime = 0x01；(译注：FSMC_PATTx的ATTHIZ，x = 2?4) ●Bank = FSMC_Bank_NAND;
●MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b；(译注：存储器数据宽度=16位) ●ECC = FSMC_ECC_Enable；(译注：使能ECC计算)
●ECCPageSize = FSMC_ECCPageSize_512Bytes；(译注：ECC页大小=512字节) ●TCLRSetupTime = 0；(译注：FSMC_PCRx的TCLR) ●TARSetupTime = 0；(译注：FSMC_PCRx的TAR) 在所有的时序表中，THCLK是HCLK时钟周期。
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图69. NAND控制器读操作波形（略） 图70. NAND控制器写操作波形（略）
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图71. NAND控制器在通用存储空间的读操作波形（略） 图72. NAND控制器在通用存储空间的写操作波形（略） 表80. NAND闪存读周期的时序特性(1)（略） 1. CL = 30 pF
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
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表81. NAND闪存写周期的时序特性(1)（略） 1. CL = 30 pF
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。 5.3.26 摄像头接口(DCMI)时序规范 表82. DCMI特性（略）
5.3.27 SD/SDIO MMC卡主机接口(SDIO)特性
除非特别说明，表83列出的参数是使用环境温度、fPCLKx频率和VDD供电电压符合表12的条件测量得到。
有关输入输出复用功能引脚(D[7:0]、CMD、CK)的特性详情，参见第5.3.16节。 图73. SDIO高速模式（略）
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图74. SD默认模式（略）
表83. SD/MMC接口特性（略）
1.参见SDIO_CLKCR，SDI时钟控制寄存器，控制CK输出。 5.3.28 实时时钟特性 表84. RTC特性（略）
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6 封装特性
6.1 封装机械数据
为了符合环境的需要，ST根据不同的环境等级提供了这些芯片不同等级的ECOPACK?封装。ECOPACK?规范、等级定义和产品状态可以在www.st.com网站上获得。
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1. 图不是按照比例绘制。 2. 尺寸均以毫米计。
1.英寸的数值是根据毫米的数据按照4位小数精度转换取整得到的。
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1. 图不是按照比例绘制。
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1. 图不是按照比例绘制。 2. 尺寸均以毫米计。
1.英寸的数值是根据毫米的数据按照4位小数精度转换取整得到的。
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1. 图不是按照比例绘制。 2. 尺寸均以毫米计。
1.英寸的数值是根据毫米的数据按照4位小数精度转换取整得到的。
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1. 图不是按照比例绘制。