第一章
概念
概念
1在晶体中，原子和原子集团在三维空间中有规律分布。如果将每一个可重复的单位用一个点来表示，就能形成一个有规则的三维点阵，称为空间点阵。 2了便于分析各种晶体中原于排列的规律，空间点阵常用空间格子来表示，这种空间格子称为晶格。
3由于晶格具有用期性，可取一单位体积（平行六面体）作为重复单元，来概括整个晶格的特征。这样选取的重复单元称为原胞
4基本的对称操作为旋转与反映，对称操作所依赖的几何要素，如点、线、面，称为对称元素。
5同位素相对原子质量越小，Tc越高，这种现象称为同位素效应。
1密勒指数: 在晶体中，为了表达与晶轴相关的晶面方向或晶向，常使用三个整数，称为密勒指数
2晶体的对称性是指晶体经过某些对称操作后仍然能回复原状的特性。 3在晶体中，一对为两个原子所共有的自旋相反、配对的电子结构称为共价键 4分子晶体的结合是依靠分子之间的作用力，这种作用力称为范德华力 5多晶体中各晶粒的取向各不相同，不同取向晶粒之间的接触面为晶界 6导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的情况，称为本征电导。这类半导体称为本征半导体
7，有些金属材料在外磁场作用下产生很强的磁化强度，外磁场除去后仍能保持相当大的永久磁性，这种特性叫铁磁性
8抗磁性是一种很弱、非永久性的磁性，只有在外磁场存在时才能维持，磁矩方向与外磁场相反
9在有些非铁磁性材料中，相邻原子或离子的磁矩作反方向平行排列，总磁矩为零，这种性质为反铁磁性。
10亚铁磁性是某些陶瓷材料表现的永久磁性，其饱和磁化强度比铁磁性材料低。 11吸收光谱是指物质在光谱范围里的吸收系数按光频率分布的总体。 12发光物质发射光子的能量按频率（或波长）分布的总体称为该物质的发射光谱，也称荧光光谱。
13激光光谱是指使物质产生发光时的激励光按频率分布的总体 第二章 概念
1高聚物结构式中的方括号（或圆括号）表示重复连接的意思，而n代表重复单元数，称为聚合度
2用一种单体进行聚合反应，所得大分子中只含一种单体链节，称为均聚反应，产物称为均聚物。
1能够形成结构单元的低分子化合物称为单体 2单体加成而聚合起来的反应称为加聚反应
3单体在形成大分子的聚合反应过程中，在生成高分子化合物的同时，还有小分子副产物生成，称为缩聚反应
4用两种或两种以上的单体一起进行聚合反应，生成的聚合物大分子中含有两种或两种以上的单体链节，称为共聚反应. 第三章 概念
使超导体电阻为零的温度，叫超导临界温度
超过临界磁场便立即转变为正常态的超导体，称为第一类超导体。
在绝对零度下，处于能隙下边缘以下的各能态全被占据，而能隙上边缘以上的各能态全空着。这种状态就是超导基态。
引进声子的概念后，可将声子看成一种准粒子，它像真实粒子一样和电子发生相 互作用。通常把电子与晶格点阵的相互作用，称为电子-声子相互作用。 产生临界磁场的电流，即超导态允许流动的最大电流，称为临界电流
1在处理与热振动能量相关的一类问题时，往往把晶格点阵的集体振动，等效成若干个不同频率的互相独立的简正振动的叠加。而每一种频率的简正振动的能量都是量子化的，其能量量子
(q)就称为声子，
2只要两个电子之间有净的吸引作用，不管这种作用多么微弱，它们都能形成束缚态，两个电子的总能量将低于2EF。此时，这种吸引作用有可能超过电子之间的库仑排斥作用，而表现为净的相互吸引作用，这样的两个电子被称为库柏电子对。
3库柏对有一定的尺寸，反映了组成库柏对的两个电子，不像两个正常电于那样，完全互不相关的独立运动，而是存在着一种关联性．库柏对的尺寸正是这种关联
效应的空间尺度．称为BCS相于长度。
4对处于超导态的超导体施加一个磁场，当磁场强度高于HC时，磁力线将穿人超导体，超导态被破坏。一般把可以破坏超导态的最小磁场强度称为临界磁场 第四章
滞后：金属氢化物在吸氢与释氢时，虽在同一温度，但压力不同，这种现象称为滞后。 第五章
有些形状记忆合金在加热发生马氏体逆转变时，对母相有记忆效应；当从相再次冷却为马氏体时，还回复原马氏体的形状，这种现象称为双向形状记忆效应，又称可逆形状记忆效应。
1具有马氏体逆转变，且Ms与As相差很小的合金，将其冷却到Ms点以下，马氏体晶核随温度下降逐渐长大，温度回升时马氏体片又反过来同步地随温度上升而缩小，这种马氏体叫热弹性马氏体。
2在Ms以上某一温度对合金施加外力也可引起马氏体转变，形成的马氏体叫应力诱发马氏体
3有些应力诱发马氏体也属弹性马氏体，应力增加时马氏体长大，反之马氏体缩小，应力消除后马氏体消失，这种马氏体叫应力弹性马氏体。
4应力弹性马氏体形成时会使合金产生附加应变，当除去应力时，这种附加应变也随之消失，这种现象称为超弹性(伪弹性)。 第八章
1由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的化合物称为化合物半导体材料 2半导体异质结、超晶格和量子阱材料统称为半导体微结构材料 3由两种不同半导体材料所组成的结，称为异质结。
4两种或两种以上不同材料的薄层周期性地交替生长，构成超晶格。 5当两个同样的异质结背对背接起来，构成一个量子阱
6在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格，
7势垒足够厚，足够高时，相邻阱中的电子波函数不发生交叠，这种结构材料中
的电子行为如同单个阱中电子行为的简单总和，这种材料称为多量子阱材料。 8能带理论是目前研究晶体中电子运动的主要理论，它认为各电子的运动基本上可看成是相互独立的，每个电子是在具有晶格周期性的势场中运动，这个周期性势场包括原子实以及其它电子的平均势场 第十章
光学上把具有一定频率，一定的偏振状态和传播方向的光波叫做光波的一种模式，或称光的一种波型
1发光是一种物体把吸收的能量，不经过热的阶段，直接转换为特征辐射的现象。 2半导体材料在外电场作用下，出现发光现象，称为场致发光
3材料受光照射着色，停止光照时，又可逆地退色，这一特性称为材料的光色现象。
4一般在强光作用下，产生的非线性效应得晶体称为非线性光学晶体 5在外电场作用下能够随电场改变电偶极子方向的晶体称为铁电晶体。 第十一章
A相对于这种用天然无机物烧结的传统陶瓷，以精制的高纯天然无机物或人工合成无机化合物为原料，采用精密控制的制造加工工艺烧结，具有远胜过以往独特性能的高功能陶瓷称为新型陶瓷或精细陶瓷。
B晶格上为非极性原子或分子，在电性上完全中性的，称为各向同性介电体。 C其结构上无对称中心的，称为压电晶体。
1用于人体组织和器官的修复并代行其功能的人造材料称为生物材料或生物医学材料。 第十二章
1小尺寸效应当超微粒子的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，周期性的边界条件特技破坏，声、光、电磁、热力学等特性均会呈现新的尺寸效应，称为小尺寸效应。 第十三章
a当向一个具有一定取向和形状制成的有电极的压电晶片输入电讯号，其频率与晶片的机械谐振频率fr一致时，应会使晶片由于逆压电效应而产生机械谐振，这种晶片称为压电振子
b光子的能量hν若大于半导体的禁带宽度Eg，则价电子将可以被激发至导带Ec，出现附加的电子-空穴对，从而使电导率增大，这种情况为本征光电导；若光照仅激发禁带中的杂质能级上的电子或空穴而改变其电导率，则为杂质光电导 c当由两种不同的导体a，b构成的电路开路时，若其接点1、2分别保持在不同的温度T1(低温)、T2（高温)下，则回路内产生电动势(热电势)，此现象称为塞贝克效应
d臵于磁场中的物体，受磁场影响后其光学特性发生变化的现象称为磁光效应。 e当光照射到硝基苯等芳香族化合物时，若在与入射光相垂直的方向上加上外磁场，化合物便可呈现双折射特性，即一束入射光变为两束出射光——正常光与异常光。这种现象称为科顿-蒙顿效应，
f声波作用于某些物质之后，该物质光学特性发生改变，这种现象称为声光效应 1当对α石英晶体在某些特定方向上加力时，在力方向的垂直平面上出现正、负束缚电荷，这种现象称为压电效应。
2如将一块压电晶体臵于外电场中，由于电场的作用也会引起晶体的极化。正、负电荷重心的位移将导致晶体形变，这种现象称为逆压电效应。
3有些晶体可以因温度变化而引起晶体表面电荷，这一现象称为热释电效应。 4物质在受到光照后，往往会引发其某些电性质的变化，这一现象称为光电效应。 5物质在受到光照射作用时，其电导率产生变化的现象，称为光电导效应 6如果光照射到半导体的p-n结上，则在p-n结两端会出现电势差，p区为正极，n区为负极。这一电势差可以用高内阻的电压表测量出来，这种效应称为光生伏特效应。
7当金属或半导体受到光照射时，其表面和体内的电子因吸收光子能量而被激发，如果被激发的电子具有足够的能量，足以克服表面势垒而从表面离开，产生了光电子发射效应。
8在用不同导体构成的闭合电路中，若使其结合部出现温度差，则在此闭合电路中将有热电流流过，或产生热电势，此现象称为热电效应。 9物质的光学特性受电场影响而发生变化的现象统称为电光效应
10克尔发现照射到强电磁铁极面上的直线偏振光反射时，其偏振面偏转角度随磁场强度而变化，这种现象称为磁光克尔效应