7．薄膜浸渗成型法
将已交联(或未交联)的均匀聚乙烯醇薄膜臵于基板上，涂浸一层含引发剂与交联剂的AM水溶液。溶液将由表及里向薄膜内部浸渗，形成具有梯度结构的聚合物。
1实用的贮氢材料应具备如下条件
(1)吸氢能力大，即单位质量或单位体积贮氢量大。
(2)金属氢化物的生成热要适当，如果生成热太高，生成的金属氢化物过于稳定，释氢时就需要较高温度；反之，如果用作热贮藏，则希望生成热高。 (3)平衡氢压适当。最好在室温附近只有几个大气压，便于贮氢和释放氢气。且其P—C—T曲线有良好的平坦区，平坦区域要宽，倾斜程度小，这样，在这个区域内稍稍改变压力，就能吸收或释放较多的氢气。 (4)吸氢、释氢速度快。 (5)传热性能好。
(6)对氧、水和二氧化碳等杂质敏感性小．反复吸氢，释氢时，材料性能不致恶化。
(7)在贮存与运输中性能可靠、安全、无害。 (8)化学性质稳定．经久耐用。
(9)价格便宜。
2非晶态合金的主要特性及应用
主要特征 高强度、高韧性 高电阻率、低温度系数 高导磁率、低矫顽力 高磁感、低损耗 高耐蚀性 恒体积、恒弹性 超导电性 高磁致伸缩 高磁能积 实际应用材料 结构加强材料 高电阻材料、精密电阻合金材料 磁分离、磁屏蔽、磁头、磁芯材料 功率变压器、磁芯材料 刀具材料、电极材料、表面保持材料 不胀钢材料、恒弹性合金材料 超导材料 应变仪、延迟线、磁致伸缩振子材料 永磁薄膜材料 低居里点 低熔点、柔软性 大的霍尔效应 垂直各向异性
磁温敏感、磁热贮存、复写材料 钎焊材料 霍尔元件 泡畴器件材料 选择题
1 CsCl型结构，配位数为( B )
A6 B8 C10 D12 2金属键的基本特征是( C )为晶体共有
A 质子 B离子 C 电子 D空穴 3金刚石具有（ A ）结构
A面心立方 B体心立方 C 六方密堆 D 面心正方
4半导体的电导率随温度的变化也是（ B ）的，这是半导体的主要特征 A线性增长 B指数 C增长 D减少 5抗磁材料和顺磁材料都被看作是（ D ）
A有磁性的 B 铁磁性的 C 强磁性的 D 无磁性的 6发光的三个特征是（ ABD ）
A颜色 B 强度 C亮度 D 持续发光时间 7超导电性和（ A ）是超导体的两个重要特性
A 抗磁性 B 顺磁性 C铁磁性 D 亚铁磁性 8超导材料按其化学组成可分为：（ ABC ）
A元素超导体 B 化合物超导体 C合金超导体 D金属超导体 E氧化物超导体 9己发现的形状记忆舍金种类很多，可以分为（ ACD ）合金三大类 A镍-钛系 B铜-钛系 C 铜系 D铁系
10通常的形状记忆合金根据马氏体与母相的晶体学关系，共有六个这样的片群，形成（ D ）种马氏体变体
A 18 B20 C22 D24
11拓扑无序模型认为非晶态结构的主要特征是原子排列的（ AD ） A混乱性 B 有序性 C无序性 D 随机性 12锗硅合金有（ BCD ）三种
A非晶性 B无定形 C 结晶形 D超晶格 13按光纤芯折射率分布不同可分为：（ AC ）两大类
A 阶跃型光纤 B 直线型光纤 C梯度型光纤 D跳跃型光纤 14在晶体的32种对称点群中，有（ B ）种具有对称中心
A10 B11 C12 D13
15球磨工艺目的是减小微粒尺寸、固态合金化、混合以及改变微粒形状。主要方法包括（ ABCD ）。
A滚转 B摩擦磨 C振动磨 D平面磨 16声光材料可以分为（ BD ）材料两大类
A 非晶材料 B玻璃 C 橡胶 D晶体材料
17根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有（ABCD）
等方法
A直流溅射 B高频溅射 C 反应溅射 D磁控溅射 18离子交换膜的种类繁多，主要有（ ACD ）等
A异相膜 B颗粒膜 C半均相膜 D复合膜 E多层膜 1 对称操作所依赖的几何要素有哪些：（A．点D.线 E.面） A．点 B. 旋转 C. 晶轴 D.线 E.面 2 NaCl结构的配位数为（C. 6） A.8 B. 10 C. 6
3 分子晶体间的结合力是（C 范德华力） A.共价键 B.金属键 C. 范德华力 D. 离子键 4 晶体中位错的量常用如下哪个表示：（A.位错密度） A.位错密度 B.位错体积 C.位错长度 D. 位错函数 5主要的面缺陷有：（A.表面C. 界面E.堆垛层错） A. 表面B. 层面 C. 界面D.位错 E.堆垛层错 6 大分子具有（）：（B.线型C.支链E.体型） A.长链型 B.线型C.支链型D.矩形 E.体型 7 合成高分子的反应中聚合度变小的有：（C.降解F.解聚） A. 交联B. 接枝C. 解聚D. 扩链E. 嵌段F. 降解 8 非晶态高聚物的三种力学状态为：（B.玻璃态）、（C.高弹态）和（E.粘流态） A.熔融态B.玻璃态C. 高弹态D.结晶态 E.粘流态F.微晶态 9超导体的三个临界参数为：（A.临界温度）、（B.临界磁场）（C.临界电流） A.临界温度B.临界磁场C.临界电流D.临界电压 E.临界压力 10氢能源开发中的难题是：（B.制氢工艺D.氢的贮存） A.氢的运输 B.制氢工艺C.合金选择 D.氢的贮存 11作为贮氢材料，滞后越（A.小）越好 A. 小 B.大 C.适中
12 （B. Shockley）不全位错的可逆移动是形状恢复的关键 A.Block B. Shockley C.Flunker D.Sheerla
13形状记忆效应和伪弹性的出现与（A.温度）和（B.应力）有直接关系 A. 温度B.应力C.压力D.湿度
14己发现的形状记忆舍金种类很多，可以分为（B.镍-钛系）、（C.铜系）、（E.铁系合金）三大类。
A. 镁系 B.镍-钛系C.铜系D.镍系E.铁系合金 15目前使用的磁记录介质有：（A.磁带B.磁盘C.磁鼓D.磁卡片） A.磁带B.磁盘C.磁鼓D.磁卡片E.硒鼓 16 下面属于半导体微结构材料的是：（B.半导体异质结C.超晶格E.量子阱） A.化合物半导体B.半导体异质结C.超晶格D.元素半导体E.量子阱 17发光的三个特征是（A.颜色）、（B.强度）和（C.发光持续时间） A.颜色B.强度C.发光持续时间D．荧光 E.阴极射线
18精细陶瓷按其使用性能可分为（C.精细结构陶瓷）和（D.精细功能陶瓷）两大类。
A.精细纳米陶瓷B.精细传统陶瓷C.精细结构陶瓷D. 精细功能陶瓷 19铁氧体的分子式为：（B.MFe2O4)
A. M2Fe2O3B. MFe2O4 C. M3Fe3O5 D.MFeO3 20以下可用来淀积多晶硅薄膜的有：（ABCDE）
A. 真空蒸发B. 溅射C. 电化学淀积D. 化学气相反应淀积E. 分子束外延