1现在常用的两种陶瓷导电材料：碳化硅及二硅化钼
2一般介电陶瓷材料在电场下产生的极化可分为四种，即电子极化、离子极化、偶极子趋向极化和空间电荷极化。
3介电陶瓷材料主要应用在陶瓷电容器和微波介质元件方面。
4湿敏陶瓷目前主要有氧化物涂覆膜型、多孔烧结体型、厚膜型、薄膜型等。 5铁氧体分为软磁铁氧体和硬磁铁氧体两种。 第十二章
表面微粒的活性不仅引起微粒表面原子输运和构型的变化，而且也引起表面电子自旋构象和电子能谱的变化。
1当小颗粒尺寸进入纳米量级时，其本身和由它构成的纳米固体主要具有以下三个方面的效应：小尺寸效应、表面与界面效应和量子尺寸效应
2纳米磁性材料是一种新型材料，具有多样化的特殊结构，按形态分有磁粉、磁膜和复合磁性材料。
3球磨工艺目的是减小微粒尺寸、固态合金化、混合以及改变微粒形状。主要方法包括滚转、摩擦磨、振动磨和平面磨。
4厚度为纳米级磁性薄膜，有连续膜、颗粒膜、多层膜等多种结构，
5纳米复合磁性材料具有高剩余磁化强度，高磁能积，剩磁对温度的依赖关系小，磁化性能好等特点
6纳米巨磁电阻材料可采用溅射、真空蒸发或分子束外延等工艺 第十三章
a通常压电参数测量用的样品或实际应用的压电器件，主要利用压电晶片的谐振效应。
b单晶机电耦合系数大，传输损耗小，具有优良的压电性能。 c利用压电材料的正压电效应，可将机械能转换成电能
d物质的折射率受电场影响而发生改变的电光效应分为波克尔效应和克尔效应。 e磁光效应有磁光法拉第效应、磁光克尔效应等。
f。本征光电导用于检测可见光和近红外辐射，杂质光电导用来检测中红外、远红外辐射。
g锰铋型合金薄膜由于具有较大的克尔旋转角，是早期研究的磁光材料之一。
h声光材料可以分为玻璃和晶体材料两大类
i钼酸铅(PbMoO4)属四方晶系晶体，在可见光谱区和红外光谱区，是最广泛采用的声光材料之一，
1光电效应主要有光电导效应、光生伏特效应和光电子发射效应三种。前两种效应在物体内部发生，统称为内光电效应，它一般发生于半导体中。光电子发射效应产生于物体表面，又称外光电效应。它主要发生于金属中。 2热电效应有塞贝克效应、珀尔帖效应、汤姆逊效应三种，
3电光材料大部分是晶体，它们最重要的用途是用于制造光调制元件及用于光偏转、可变谐振滤波和电场的测定等方面。
4臵于磁场中的物体，受磁场影响后其光学特性发生变化的现象称为磁光效应。磁光效应有磁光法拉第效应、磁光克尔效应等。 5声光材料可以分为玻璃和晶体材料两大类。 第十七章
a辉光放电是气体放电的一种类型，它是一种稳定的自持放电 b铬-金薄膜和镍铬-金薄膜是目前用得最多的复合导电薄膜。
c在塑料衬底上制备透明导电薄膜有多种方法，其中最典型的方法是真空蒸发法，
d多晶以及非晶态物质的薄膜的制备，通常是采用真空蒸镀、溅射等方法。 e铁磁性薄膜具有单轴磁各向异性，井由此产生矩形磁化曲线和磁滞回线 1真空蒸镀设备主要由真空镀膜室和真空抽气系统两大部分组成， 2辉光放电可分为正常辉光放电和异常辉光放电两类。
3根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有直流溅射、高频溅射、反应溅射、磁控溅射等方法
4复合导电薄膜在结构上主要包括底金属层和上面金属层两部分。
5在玻璃衬底上制备透明导电膜的方法有：喷雾法、涂覆法、浸渍法、化学气相沉淀法、真空蒸发法、溅射法等。
6离子交换膜的种类繁多，主要有异相膜、半均相膜、复合膜等
7目前，已提出十几种发光模型，主要可归为三类：量子限制模型、非晶发光模型、与表面相关的发光模型。
第十八章
感知、信息处理和执行功能是智能材料必需具备的三个基本要素 颜色的连续可调意味着透过率、吸收率及反射率三者比例关系的可调。 插入式电致变色材料是通过石墨与碱金属的气相反应而制得的。
1离子晶体结构稳定，结合能较大，具有导电性差、熔点高、硬度高和膨胀系数小等特点
第一章
2举例说明施主能级，n型半导体杂质对半导体的导电性能影响很大，例如在硅单晶中掺入十万分之一的硼原子，可使硅的导电能力增加一千倍，杂质半导体分为n型半导体和p型半导体，在四价的硅单晶中掺入五价的原子，成键后，多余一个电子，其能级离导带很近，易激发。这种多余电子的杂质能级称为施主能级。这类掺入施主杂质的半导体称为n型半导体。 3
简答
第二章
1根据聚合和基团(侧基和端基)的变化，高聚物的化学反应可作如下分类：
1．聚合度基本不变，只有侧基和／或端基变化的反应。
这类反应也称做大分子的相似转变。功能高分子中的高分子试剂、高分子催化剂的作用可以归入此类反应。
2．聚合度变大的反应
聚合度变大的反应包括交联、接枝、嵌段、扩链等反应。在生物医用功能高
分子材料中，为了提高材料的生物相容性，而将肝素接枝在高聚物大分子上的反应属于此类。
3．聚合度变小的反应
聚合度变小的反应包括解聚、降解等。功能性降解膜，在失去作用后，自动进行降解反应以减少环境污染的反应属于此类。 2高分子与低分子的区别
高分子化合物与低分子化合物的最大区别是高分子化合物的相对分子质量很大。另一个重要的区别是高分子化合物是多分散的。高聚物的多分散性包括结构的多分散性和相对分子质量的多分散性。结构多分散性是指高聚物内大分子链中，各结构单元的连接方式不同，使得即使是在同一种高聚物中，大分子的化学结构及几何形状也不完全相同；而相对分子质量的多分散性是指所形成的高分子化合物分子的相对分子质量并不完全相同。所以，即使是一种“纯粹”的高分子化合物，它也不过是由化学组成相同，而相对分子质量不同的分子所组成的同系物。 第三章
1 第一类超导体与第二类超导体的区别
HC0 为0K时的临界磁场。当T＝TC时，＝0;随温度的降低，HC增加，至0K时达到最大值HC0。HC与材料性质也有关系，上述在临界磁场以下显示超导性，超过临界磁场便立即转变为正常态的超导体，称为第一类超导体。
与第一类超导体相反，第二类超导体有两个临界磁场。一个是下临界磁场(HC1)另一个是上临界磁场(Hc2)。下临界磁场值较小，上临界磁场比下临界磁场高一个数最级，而且，大部分第二类超导体的上临界磁场比第一类超导体的临界磁场要高得多。在温度低于Hc条件下，外磁场小于HC时，第二类超导体与第一类超导体相同，处于完全抗磁性状态。当外磁场介于Hc1与Hc2之间时，第二类超导体处于超导态与正常态的混合状态，磁力线呈斑状进入超导体内部 第四章
1非晶态贮氢合金的优点
非晶态贮氨合金比同组份的晶态合金在相同的温度和氢压下有更大的贮氢量；具有较高的耐磨性；即使经过几百次吸、放氢循环也不致破碎；吸氢后体积膨胀小。但非晶态贮氢合金往往由于吸氢过程中的放热而晶化。、 2机械合金化技术应用于贮氢合金的制备的优缺点
机械合金化技术应用于贮氢合金的制备，是改善贮氢合金性能的有效途径。该技术成本低、工艺简单、生产周期短；制备的贮氢合金具有贮氢量大、活化容易、吸释氢速度快、电催化活性好等优点。美中不足的是用MA制备贮氢合金尚处于实验室研究阶段，理论模型，工艺参数，工艺条件还有待于进一步优化。 3作为氢化物电极的贮氢合金必须满足如下基本要求：(1)在碱性电解质溶液中良好的化学稳定性；(2)高的阴极贮氢容量；(3)合适的室温平台压力；(4)良好的电催化活性和抗阴极氧化能力；(5)良好的电极反应动力学特性。 4贮氢合金在应用时存在以下几个主要问题：贮氢能力低；对气体杂质的高度敏感性；初始活化困难；氢化物在空气中自燃；反复吸释氢时氢化物产生岐化。 5可见用贮氢合金作贮氢容器具有重量轻，体积小的优点。其次，用贮氢合金贮氢。无需高压及贮存液氢的极低温设备和绝热措施，节省能量，安全可靠。目前主要方向是开发密度小，贮氢效率高的合金。
2 作为氢化物电极的贮氢合金必须满足如下基本要求：(1)在碱性电解质溶液中良好的化学稳定性；(2)高的阴极贮氢容量；(3)合适的室温平台压力；(4)良好的电催化活性和抗阴极氧化能力；(5)良好的电极反应动力学特性。 第五章
1根据马氏体相变的定义，在相变过程中，只要形成单变体马氏体并排除其他阻力，材料经过马氏体相变及其逆相变，就会表现出形状记忆效应。
2铁基形状记忆合金具有良好的记忆效应的前提条件是：（1）合金母相为单一奥氏体，并存在一定数量的层错；（2）尽可能低的层错能，使Schockley不全位错容易扩展及收缩，以减少应力诱发马氏体相变时的阻力；（3）相当的母相强度，以抑制应力诱发相变时产生永久位移；（4）较低的铁磁-反铁磁转变温度（TN）以消除奥氏体稳定化对应力诱发γ→ε相变时的阻碍。