写周期时间：从地址有效到数据写入存储器的时间。 存取周期：将读周期和写周期取为相同，并称之为存取周期。 讨论、练习、作业： 111页第1、2、4（1）题 教学反思： 能够清晰地讲解课程的重点、难点，内容讲解透彻、层次清晰、逻辑性强、信息量大，时间分配合理，师生互动效果良好，板书工整。 参考书目资料： 《计算机组成与结构》（第五版）王爱英著，清华大学出版社 2013.01 填表说明： 1. 每项页面大小可自行添减，一次课（二或三节）写一份上述格式教案。重复班只填写一份。 2. 课次为授课次序，填1、2、3……等。
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附件3：章节或分次(课时)教案
计算机组成原理 课程授课教案
周次 8 课次 12 课时 2 课型 √理论课 □讨论课 □实验课 □习题课 □其他 章 节 3.3 DRAM存储器 名 称 教学目的及要求： 目的：掌握存储器的分类、分级、技术指标、RAM的种类及扩展 要求：熟练进行RAM容量扩展 教学重点与难点： 重点：存储器的分类、分级、技术指标、RAM的种类及扩展 难点：进行RAM容量扩展 教学方式方法、手段： 讲授法、归纳法 辅助手段：图表法 教学过程： 一、DRAM存储位元的记忆原理 动态MOS随机读写存储器DRAM的存储容量很大，通常用作计算机的主存储器。 DRAM存储器的存储元是由一个MOS晶体管和电容组成的记忆电路。其中的MOS管作为开关使用，而存储的信息是由电容器上的电荷来体现：充满电荷看作1，放完电荷看作0。 二、DRAM芯片的逻辑结构 DRAM与SRAM的不同点： 地址线采用了重用，地址分为行地址和列地址，分时输入。RAS为行地址选通，CAS为列地址选通。减少芯片地址的引线。 增加了刷新计数器和刷新控制电路。动态存储器的存储元需要定期刷新（充电），否则信息会随电容漏电而丢失。DRAM的刷新是通过按行读方式进行的。 三、DRAM的读/写周期和刷新周期 注意动态存储器的读写过程中地址是分为行地址和列地址两次输入的。 刷新：定期对动态RAM的所有单元进行充电的过程。动态存储器是通过读行的方式进行刷新的。 刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔称为刷新周期。 刷新周期通常为8ms到16ms。 刷新操作可采用集中式刷新或分散式刷新两种方式： 1.集中式刷新：在一个刷新间隔内安排集中的一段时间对存储器进行刷新。 死时间：在集中刷新的一段时间内不能对存储器进行存取操作，这段时间称为死时间 2.分散式刷新：将每一行的刷新插入到正常的读写周期之中。 四、存储器容量的扩充 1.字长位数的扩展 当芯片字长的位数比实际要求的存储器字长位数较短时，需要用多片芯片扩展字长位数。
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连接时，芯片的地址线和控制线公用，而数据线分开对应连接。 2.字存储容量扩展 当给定的芯片的存储容量比实际要求的存储器单元数少时（字数少），需要用多片芯片来扩展字数（单元数）。 连接时，芯片的数据线和地址线公用，地址总线的高位段通过译码产生的译码信号来选通芯片的使能端，从而选择相应的芯片。 讨论、练习、作业： 111页第1、2、4（1）题 教学反思： 能够清晰地讲解课程的重点、难点，内容讲解透彻、层次清晰、逻辑性强、信息量大，时间分配合理，师生互动效果良好，板书工整。 参考书目资料： 《计算机组成与结构》（第五版）王爱英著，清华大学出版社 2013.01 填表说明： 1. 每项页面大小可自行添减，一次课（二或三节）写一份上述格式教案。重复班只填写一份。 2. 课次为授课次序，填1、2、3……等。
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附件3：章节或分次(课时)教案
计算机组成原理 课程授课教案
周次 9 课次 13 课时 2 课型 √理论课 □讨论课 □实验课 □习题课 □其他 章 节 3.4 只读存储器和闪速存储器 名 称 教学目的及要求： 目的：了解只读存储器和闪速存储器 要求：了解只读存储器和闪速存储器 教学重点与难点： 重点：只读存储器和闪速存储器 难点：只读存储器和闪速存储器 教学方式方法、手段： 讲授法、归纳法 辅助手段：图表法 教学过程： 一、只读存储器ROM 掩膜式只读存储器：数据在芯片制造过程中写入。 PROM：一次可编程只读存储器。 EPROM：光擦除可编程ROM，通过紫外线擦除。 EEPROM：电擦除编程ROM，可通过电擦除。 二、闪速存储器(Flash Memory) 1.闪速存储器及其特点 闪速存储器是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器。由于其体积小、速度快，广泛用于各种数码设备中(数码相机、MP3、U盘、手提电脑等)。 闪速存储器的特点： 固有的非易失性：断电后信息不会丢失。 廉价的高密度：相同容量的闪速存储器和DRAM相比，其位成本相近。 可执行性：闪速存储器可以直接与CPU相连，大大提高程序和文件的访问速度。 固态性：闪速存储器是一种低功耗、高密度且无机电装置的半导体器件，特别适合便携式系统应用。 2、闪速存储器的基本操作 编程操作：编程操作就是对闪存的写操作。 读取操作：从闪存读出数据。 擦除操作：将闪存全部变为1。 讨论、练习、作业： 无
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教学反思： 能够清晰地讲解课程的重点、难点，内容讲解透彻、层次清晰、逻辑性强、信息量大，时间分配合理，师生互动效果良好，板书工整。 参考书目资料： 《计算机组成与结构》（第五版）王爱英著，清华大学出版社 2013.01 填表说明： 1. 每项页面大小可自行添减，一次课（二或三节）写一份上述格式教案。重复班只填写一份。 2. 课次为授课次序，填1、2、3……等。
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