SPICE模型与SPICE模型的比较：
三．IBIS的基本理论
IBIS 模型的几种等效电路：
IBIS模型版本的区别
IBIS 1.1版本的时候，仅仅只是CMOS的电平无边沿控制，对于高速芯片的由电平的上升沿及下降沿控制的电路，显然不适用。
IBIS模型2.0版本最主要增加包括ECL的多总线支持，终端和漏极开路模型，差分
I/O及复杂包装参数定义 。
模型3。2版本主要增加的是FBGA的PIN模型选择，及多级驱动和动态箝位 (所以特别注意的是当你拿到厂家给你的模型，首先要检查模型的版本信息，当然观察模型的曲线，版本越高级，曲线的精度越高，但是可能有些芯片的IBIS模型版本没有升级到那麽高，但是也要看是否可用，比如我这次有一个器件的模型中Buffer的类型是差分I/O，但是供应商给的版本是V2.0，模型中没有定义差分的关键字，由于差分模型是在V2.1以上版本才有，所以就必须和厂家联系重新给你更新版本的IBIS模型。还有如果板上有FBGA器件也应该使用V3.2版本的IBIS模型，因为只有这个版本的模型才有FBGA的PIN模型的选择。E0所以了解器件的特性，才能一开始就向厂家素要正确版本IBIS模型。，由于器件的特性，并不是个版本的模型所增加的内容，都得到体现)
拿到模型后，预先要熟悉的信息：
文件头
文件头包含有关于IBIS版本、文件名以及资料来源、修订等信息。下面是文件头的例子。图2-2是文件头的示例。
[IBIS Ver] 3.2 [File Name] filename.ibs [File Rev] 1.0 [Date] 10/24/00 [Source] xyz datebook