,分别抽取的模型名为输出模型OUTB，和输入模型输入ING [PULLUP]波形如下：
[PULLUP]和[POWER GLAMP]时，记住在分析电路的驱动电压时，Vout=Vcc-Vtable,所以上图对应的-3。3V，在实际电路中，应为6。6V左右，电压应反向分析。而且模型中一定会提供电源电压Vcc,的值， 理论上[PULLUP]的扫描电压应是-Vcc到2Vcc,但不排除，有些模型的电压范围没有完全包涵，或超过扫描范围。上面的就是电压范围不够。但是在这个范围内取样点足够也是可以的。上面的曲线，我们可以看出在对应的6.6V时，电流最大，当正向电压逐渐降低时，电流减小，所以可以判定，上拉的MOS管为典型N型MOS管正向电压导通。电流为正。 下面是对应的[PULL DOWN]的波形：
从上面的波形，我们可以看到，导通后，当电压为-3。3v时，对应的电流为最大，当
负向电压减小时，电流值减小，所以是很明显的P型MOS管福向电压导通，电流方向为负。
[PULL UP]及[PULL DOWN]对应的波形状况，取决于不同类型的MOS管，这里没有一个固定的规律可寻。
下面是输入模型对应的[POWER GLAMP]和 [GND GLAMP] [POWER GLAMP]
[POWER GLAMP]的时候，两个MOS管截止，输入电压高于电源电压，产生电源嵌位。同样的电压分析，要反向分析。图上电压-3。3V对应实际电压为6。6V，当外接电压为最大6。6V时高于电源电压，上面的二极管正向导通，电流流向由高电势向低电势，电流流进为正。当电压减小时，与电源电压的差值减小，电流越小，是很典型的二级管正向导通特性。
[GND GLAMP]
可以看到当[GND GLAMP]时，外接电压小于地电平的时候，下面的二极管正向导通，对地电压越小，从地电平向外流的电流越大，因此方向为负。当电平高于地电位后，二极管截止，电流趋向为零。
对于V-I曲线，我们分析的就是MOS管和二极管的特性，当你分析[PULL UP]和[PULL DOWN]的时候，要分清的是接的什麽类型的MOS管，P型和N型是正好反向的。而[POWER GLAMP]和[GND GLAMP]的波形是有规律的，因为两个二极管的连接方式是固定的。[POWER GLAMP] 单调递减，[GND GLAMP]单调递增。可能有些模型的波形不是太好，但嵌位的特性是不变的。
（四）模型的检查
4.1 IBIS模型文件中基本问题的检查
模型文件整理中的最基本的问题如下：
1）“tab”转“space”。仿真时，CADENCE要将标准的IBIS模型文件（.ibs文件）转化.dml文件格式，由于CADENCE对.ibs文件中字符串之间的间隔只认识“space”形式的，对于tab形式的，在转化时将出错[5]。所以整理模型的第一步工作是将整个文件作一次由“tab”→”space”的转化，以排除.ibs文件中可能出现的’tab”形式的空格。推荐的文本编辑软件为UltraEdit32。
2）物理量单位的检查。IBIS标准支持国际单位制，支持十进制记数法和科学记数法。注意电阻的单位符号Ω是用ohms表示的，另外μ用u代替。
4.2 文件头部分的检查
主要是检查由关键词[File name]定义的文件名是否与存在磁盘中的模型文件名一致，若不一致，CADENCE转化此模型时会报错。另外此文件名的首字母不能大写（磁盘中的文件名无所谓），否则也会报错的。
4.3 封装描述部分的修改
主要是修改由[Component]定义的器件名，使之与原理图库中由default_signal_model定义的内容一样；R_pkg、L_pkg或C_pkg的取值范围是否按“typ”，“min”和“max”的顺序排放，如表2所示。
文件中其它各处的物理量或数据的“typ”，“min”和“max”数据也应按上述顺序排放，否则要予以调整，下面不再赘述。需要注意的是，“min”和“max”的值可以缺省，用NA表示，但“typ”值是必须的。
4.4 管脚描述部分的检查
检查文件中PIN的定义是否与datasheet一样，检查同类pin是否被定义为同一模型名。而来的，其中某些pin的信号的命名与实际不符，少数几个pin的所属模型名有出入。
4.5 模型类型描述部分的检查
主要是检查模型检查DC参数或时序仿真参数、电压范围、温度范围以及各数据表是否
正确或异常。下面分述之。
4.5.1 DC参数或时序仿真参数的检查
对于Input类属性的模型，DC参数Vinh和Vinl是必须的，若文件中缺失，应该补上，它们的值可分别由datasheet提供的Vinhmin和Vinlmax得到。如表4所示的INP模型。
对于Output类属性的模型，时序参数Vmeas，Rref，Cref和Vref是必须的，若缺失，应补上。其中，
Vmeas —─ 输出电压测量参考值； Rref —─ 测试电路的负载电阻； Cref —─ 测试电路的负载电容； Vref —─ 测试电路的负载参考电压
上述参数也可从datasheet中关于AC 特性表格的负载条件上查到，有时这些参数只在AC特性表格下面的Notes中说明，因此需要仔细阅读datasheet；有时Rref，Cref和Vref也可以从测试电路中获得，图3和图4所示是两种比较典型的测试电路。
由图3可知：Cref＝30pF，Vref＝0V，由于测试电路中没有电阻，可认为是高阻，故Rref＝1MΩ。
Input Output 30p 图3 典型测试电路1
由图4可知：Rref＝50Ω，Vref＝1.5V，由于电路中没有电容，故Cref＝0pF。
Output Zo=50Ω 50Ω VT=1.5V
图4 典型测试电路2
一般而言，Vmeas的典型值为VDD/2，当无法从器件的datasheet上查到确定的Vmeas
时，可将Vmeas的值设为VDD/2进行仿真，不过，仅作权宜之计，本文作者不推荐这么做。 4.5.2 检查电压范围、温度范围的检查
IBIS模型文件给出的测试电压及温度范围有时与datasheet中的不一样，这时需要根据datasheet予以更正。 4.5.3 检查数据表的检查