IBIS文件头需要下列关键字：
[IBIS Ver] —— 本文件的IBIS版本。
[File Name] —— IBIS的文件名（文件名不多于80个字母，包括注释在内） [File Rev] —— IBIS文件或模型的修订级别。 下列关键字在IBIS头部分为可选项：
[Comment Char] —— 用于改变注释符。默认的注释符为管状线（|）。 [Date] —— 文件创建日期。 [Source] —— 模型数据的来源。
[Note] —— 涉及到文件及元件的相关信息。 [Disclaimer] —— 任何法律的放弃。 [Copyright] —— 任何版权信息。
元件描述
在IBIS文件元件描述包含有从数据手册中得到的元件引脚、封装电特性等信息。在此部分中可定义管脚到缓冲器（模型）的映射。
[Component] 256Kx16_4M [Manufactuer] Motorola [Package] | typ min max R_pkg 100m 40m 200m L_pkg 5.0nH 2.5nH 7.0nH C_pkg 1.5pF 2.5pF 7.0pF | [Pin] signal_name model_name R_pin L_pin C_pin 1 DQ/ io_ex NA NA NA 2 DQ io_ex NA NA NA
… 44 A NC NA NA NA 图2-3：元件描述部分
在元件描述中IBIS需要下列部分关键字
[Compoent] —— 标志元件描述的开始，为元件定义一个唯一的名字。一般推荐使用
标准名称作为元件名。
[Manufacture] —— 声明元件生产商的名称。
[Package] —— 包括组件导线电阻、电感、电容的变化范围，有典型值、最小值、最大值。IBIS需要典型值，它必须在最小值和最大值前说明。
[Pin] —— 将引脚号映射到信号名和模型名上。IBIS需要信号
注意的是：[File Name] filename.ibs和 [Compoent]的名字可以不一样的，但是[File Name]后的文件名必须是小写，而且必须与IBIS模型的名字完全相同。
模型描述中关注的参数：
注意的是Tco 的测量是时序测量的条件：Cref ,Rref,Vref,是芯片内部的负载，我们在仿真参数的选择的时候，如下图：
From Library的选择是考虑到了芯片的负载上的传输延迟，而ON the delay 是没有考虑芯片
内的负载的。而我们在计算SWICH DELAY 和settledelay 的时候，必须考虑芯片的负载。
模型的内部电路9
上图中，左边的电路为INPUT电路，后边为驱动电路，其中的驱动电路中，PULLUP及PULLDOWN 的结型场效应管，不同的电路模型中，可以有不同，可以是上面为P型MOS，下面是N型MOS，也可以反之。所以不同的PULLUP及PULLDOWN的电路波形可能是反向的。典型的三态电路如下
上图是一个Ｉ／Ｏ模型，通过Input及Enable电平变化来实现两个MOS管的导通和截止，输出不同电平测量V-I曲线，三态时，IBIS仅需要四个设定的I-V关系曲线，一个是下拉接通（输出为低）的关系曲线，另一个是上拉接通（输出为高）的关系曲线。下拉的I-V关系数据以地为参考源定义为[Pulldown]，上拉的I-V关系数据以器件供给正电源为参考源定义为[Pullup]。当不使能时，两管截止测量二极管的箝位特性，可以使用[POWER Clamp]和[GND Clamp]说明二极管的钳位特性。当信号电压高于器件的电源电压时为电源钳位[POWER Clamp]，信号电压低于参考地时为地钳位[GND Clamp]。而对于这四个设定Ｉ／Ｖ曲线有分别在MIN,MAX,TYP测量情况，因此3-states有１２条I/V曲线设置。
Output Onlly Buffer
在这种模型中，ＩＢＩＳ仅需要两个设定的I-V关系曲线，即上拉MOS管导通，或
下拉MOS管导通时，测量的Pull-down和Pull-up的Ｉ-V曲线，同样它们也MIN,MAX,TYP测量情况，因此Ｏutput的模型应该有６条I/V曲线设置。这种模型需要使用C_comp说明驱动器的管芯电容。
Output模型中逻辑状态的转换（低到高或高到低）与下图所示的线性斜率近似。斜率不包括封装影响，只包括驱动电容的影响。[Ramp]描述了两个参数，dV/dt_r说明上升时间，dV/dt_f说明下降时间。
dV/dt_r – dV是信号上升沿由20%至80%的幅度范围，dt_r是指此上升范围所用的时
间。
dV/dt_f – dV是信号下降沿由80%至20%的幅度范围，dt_f是指此下降范围所用的时
间。
R_load – 确定斜率的测试负载。
对于上面的Ｖ／Ｔ曲线只有I/O,三态和Output的模型才有，而斜率的测试负载R_load一般是５０om，如果驱动能力差，那麽５０欧姆可能不满足要求，那麽会加入更大一些的电阻，来提高驱动能力。而对于后面提到的Open Drain或是ECL 类型的Buffers,负载电阻和电压是特定的。
Input Buffers
一个Input模型与其它基本IBIS模型的区别仅在模型部分不同。Input有两个I-V关系曲线的集合，一个是地钳位，一个是电源钳位。汇集的地钳位数据 指信号电压相对于参考源地的电压电流关系数据；汇集的电源钳位数据指信号电压相对于参考源供电电源的电压电流关系数据。仅在器件中有钳位特性时，IBIS需要电流输入表建模。
IBIS需要C_comp参数描述接收器的管芯电容。对于所有的Input模型， IBIS需要Vin1和Vin2参数，这两个参数描述了缓冲器的开关阀值电压。同Output Buffer模型一样也６条I/V曲线设置。
Open Drain Buffers
一个Open Drain模型有三个I-V关系曲线的集合，一个是一个是下拉接通（输出为低）的关系曲线（Pull-down）, 一个是地钳位（Gnd clamp）, 一个是电源钳位(Power clamp),由于Open Drain Buffers没有接上拉MOS管，所以没有Pull-up的I/V曲线，同样它们也有在MIN,MAX,TYP测量情况，所以共有９条I/V曲线设置。
上面所描述的模型都是TTL类型的，它们的驱动方式是行为极，主要通过CMOS的导通和关断方式来完成。而这种模型的扫描电压范围是－Ｖcc 到 2*Vcc.但是对于Open Drain Buffers的扫描电压范围不是由内部的工作电压决定的，而是由外加的上拉电阻的电压
决定，所以它的扫描电压范围是V-ref到2Vref
对于Pull-up和Power clamp的数据是与内部工作电压Vcc相关的,当Vcc变化时，扫描范围也是随Vcc变化的。如下数据是很多ＩＢＩＳ模型中经常可见的，如一个器件的工作电压为3.3v+/-10%,因此扫描的范围是
typ min max
-3.3v to 6.6v -3.6v to 6.3v -3.0v to 6.9v
一般情况下，扫描电压的范围在－Vcc到2*Vcc.但是在混合电压的情况下，我们应该使用大的电压值做为扫描范围。如一个电压为3.3v容余最大值为5v的Buffer，那它的扫描范围在－5v to +10v.
Open Drain 器件的扫描范围是由外接上拉电阻的电压决定的，与内部的工作电压Vcc无关，扫描电压的范围在－Vpullup to 2*Vpullup.同时还要注意的模型中的 [Pullup]和[POWER Clamp]中的电压值[Pullup]和[POWER Clamp]中的电压值V是相对于电源的，即V＝VDD-VOutput；而[Pulldown]和[GND Clamp]中的电压值V是相对于地的，即V＝VOutput。图表中电流Itable的方向，规定流入器件的方向为正，流出为负。
终上所述模型的定义有模型名、模型类型、C_comp、DC 参数或时序参数、V/I数据表(包括Pullup、Pulldown、POWER Clamp和GND Clamp)、Ramp 数据表（包括测试的温度范围、电压范围、dV/dt，以及参考负载R_load）和V/t数据表（通常给出4个Waveform数据表，即参考电压为供电电源时的Rising Waveform和falling Waveform数据，以及参考电压为地电平时地Rising Waveform和falling Wavefor，同时每个数据表还常常给出了参考负载R_fixture[5]）等信息。模型类型可以是Output，Input，3-state，Output-Ecl以及Open-drain等I/O属性。模型类型的I/O属性不同，对DC 参数或时序参数以及数据表要求的内容也不同。以模型类型是Input为列，只需要DC参数Vinh和Vinl值，以及V/I数据表的POWER Clamp和GND Clamp数据。而模型I/O类型，除DC参数Vinh和Vinl，还需要时序参数Vmeas，Rref，Cref和Vref，以及完整的V/I数据表、Ramp 数据和V/t数据表等信息。
需要说明的是，对于Output类型的模型，该部分中时序参数Vmeas，Rref，Cref和Vref是必须的，而Vinh和Vinl不要求。
我们可以举列对上面的模型电路进行进一步解释：下面模型的波形是上研所提供，模型文件名为ca91l862a.ibs如图所示