双轴应变材料温度特性研究(8)

2019-05-17 16:51

32 双轴应变材料温度特性研究

硅基材料的晶体结构均是立方结构,考虑到某些对称的“元素”,劲度系数能再次减到3个分量。假定立方晶体的弹性能密度为: U?12C11(exx?eyy?ezz)?22212C44(eyz?ezx?exy)?C12(eyyezz?ezzexx?exxeyy)222 (3.28)

由于立方结构有4个三重转动轴,在坐标轴进行转动下,(3.28)中各项不发生变化,而没有表示出来的二次项都会改变其符号。因此,式(3.28)中的数值因子如果能被证明正确就可以,下面就来证明这一点。

由式(3.26)可得

?U?exx?Xx?C11exx?C12(eyy?ezz) (3-29)

将上式和式(3.23b)联立,得到

C12?C13;C14?C15?C16?0 (3-30)

由式(3-28)可得

?U?eyy?Yy?C11eyy?C12(ezz?exx) (3-31)

将上式和式(3-23b)联立,得到

C23?C12;C24?C25?C26?0 (3-32) C22?C11;

同理,由式(3-31)可以得到其余的四个力的表达式,将其分别与式(3-23b)联立,可得

C33?C11;C12?C32;C34?C35?0

C45?0

C55?C44;C54?0

C61?C62?C63?C64?C65?0;C66?C44 (3.33)

有上述可知,硅基材料的劲度常量可以表示为下面的矩阵形式

第三章 应变SiGe模型的仿真验证及Ge组分对应力的影响 33

exxXxYyZzYzZxXyeyyC12C11C12000ezzC12C12C11000eyz000C4400ezx0000C440exy00000C44C11C12C12000 (3.34)

其中

Xx?Txx?C11exx?C12(eyy?ezz); Yy?Tyy?C11eyy?C12(exx?ezz)Zz?C11ezz?C12(exx?eyy)X?Txy?C44exy;

y;

Yz?Tyz?C44eyz;

Xz?Zx?C44exz (3.35)

式(3.34)即为式(3.15)化简得出的结果,也就是硅基应变材料的双轴应力T与Ge组分的转化关系模型。

3.5 (101)面双轴应力与Ge组分的关系

从上可以得到(101)晶向 硅基应变材料的6个应变分量与Ge组分的关系

exx?ezz?0.0102313Xeyy?0.0418X;

;exy?0.03157X;

eyz?ezx?0 (3.36) 由此,得到了各应变力分量与Ge组分的关系。需要注意,实际引入的双轴力

34 双轴应变材料温度特性研究

是通过将得到的各分量必须变换到(x’, y’, z’)坐标系中才能得到。如图3.4.3所示,新坐标下x'和y'方向即为双轴应力方向。

经过系数矩阵U变换,在新坐标下分量x'和y'通过下式得到,

T??UT (3.37)

Xx'?Yy'?式中

?2?2? U??0???2?2?01022022????????22(Xx?Zx) (3.38)

(3.39)

图3.4.3 坐标转换示意图

由式(3.35)、(3.36)可得

Xz?Zx?C44exz?0 (3.40)

112Xx?C11exx?C12(eyy?ezz)?0.0502X(10N/m)

?5.0X2Gp a (3.41) 再由式(3.38),得到(101)方向的双轴应力

Xx?Yy?''22(Xx?Zx)?3.55XGpa (3.42)

第三章 应变SiGe模型的仿真验证及Ge组分对应力的影响 35

X?0.28Xx' (3.43)

式(3.43)中,X为该模型中的Ge组份,XX’为施加给硅基材料的应力。如此一来,只需将式(3.43)代入到硅基应变材料相关物理模型,就可以用应力来直接表征。

3.6 结果分析与讨论

考虑Ge组分对应变SiGe中应力的影响,保持其他模型参数不变,300K下,将Ge组分从0.2逐渐增大到0.9,并提取仿真结果,如图和表

图3.6.1 Ge组分为0.2时应变SiGe中XX方向的应力分布

图3.6.1中,Y=0以下的红色部分表示Si底,Y=0以上紫色部分表示SiGe层,Y=0

处为Si衬底与SiGe层的界面,从图中可以很明显看到应力在界面附近发生显著变化。

36 双轴应变材料温度特性研究

图3.6.2 Ge组分为0.2时Cutline中x=0处的XX方向应力曲线

图3.6.2显示的是起点为(0 -0.05)的x=0处XX方向的应力的曲线图,中黑线表示Si衬底与SiGe层的界面,黑线左侧的红色曲线显示的是Ge组分为0.2时应变SiGe层中的应力大小,黑线右侧的红色曲线部分显示的是Si衬底中的应力大小的变化趋势。

可以读出,Ge组分为0.2时应变SiGe层中的应力大小为-1.17GPa。

图3.6.3 Ge组分为0.3时Cutline中x=0处的XX方向应力曲线

图3.6.3显示的是起点为(0 -0.05)的x=0处XX方向的应力的曲线图,从左侧红色曲线可以读出Ge组分为0.3时应变SiGe中的应力大小为-1.70GPa。与图3.4.6相比,很明显应变SiGe中的XX方向的应力变大了。


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