运算放大器(4)

2019-06-17 14:29

12 高带宽高增益衬底驱动跨导运算放大器

而栅驱动下[20]

(2-17)

其中:k为玻尔兹曼常数;T为热力学温度;K’为工艺跨导参数,等于μ0COX;KF为闪烁噪声系数,约等于3×10-24V2F。

可见在衬底驱动下,式(2-16)两项的分母中都出现了η2项(η=gmb/gm<1)即衬底驱动下的等效输入沟道白噪声和闪烁噪声比栅驱动下增大了1/η2倍。由于第二项的分母中含有W×L项,而且低频下闪烁噪声为电路中的主要噪声,因此在应用衬底驱动技术时,最好选择大尺寸的MOS管以减小闪烁噪声;但是大尺寸MOS管的寄生电容较大,会导致频率特性变差,因此要综合考虑各方面因素合理选择MOS管的尺寸。

叉指状衬底驱动MOS结构中,由薄层电阻引起的输入等效均方根噪声电压为:

其中:N为叉指状MOS结构中栅的个数;Rbi为第i个栅沟道下的有效串联衬底电阻,Rgi为第i个栅的栅与金属间电阻。

式(2-18)中的二项分别描述了由阱与金属间、栅与金属间电阻所引起的白噪声。虽然栅电阻的噪声贡献(硅化物工艺下为5Ω/□,非硅化物工艺下为100Ω/□左右),增大了η-2倍,但是前面的N-2系数却是个令人鼓舞的结果,它表明可以利用叉指MOS结构来降低栅电阻所产生的噪声影响。由于叉指结构可能增加阱电阻,而单个栅电阻之和却保持不变,因此设计器件的物理版图时应该多用阱接触,而且阱接触应该尽量接近每个栅,以最小化衬底端薄层电阻的噪声影响,这样可以实现对阱电阻(阱区薄层电阻率1000Ω/□)的噪声贡献最小化。

综上所述,衬底驱动MOS管的总输入等效均方根噪声电压为:

衬底驱动电路噪声优化的主要方法:电路设计中合理选择较大尺寸的衬底驱动MOS管;物理版图实现上采用叉指MOS结构、多用阱接触,并且接触应该尽量接近每个栅[16]。

v (2-18)

(2-19)

第二章 衬底驱动技术的基本原理及特性分析 13

2.6衬底驱动MOSFET的超低压运算放大器设计

衬底驱动技术消除了信号通路上阈值电压的限制,有效降低了模拟电路对电源电压的要求,可以实现较大的共模输入电压范围和较低功耗,是充分利用现有CMOS工艺实现低压模拟IC设计的一种重要方法。利用衬底驱动技术设计实现的超低压运算放大器,结构简单,便于实现,在1.8V的电源电压下可以得到很大的电压输出范围和非常低的功耗[12]。在衬底驱动中,MOS管工作在耗尽模式下,不受阈值电压的限制,共模输入范围较大,而且在极低的电源电压下工作时,很难发生闩锁效应。因此在设计低电压低功耗运算放大器时经常会采用衬底驱动技术。

2.7 本章小结

本章首先基于衬底驱动技术的MOS管大信号和小信号模型,对衬底驱动MOSFET的基本工作原理进行了分析,同时介绍了衬底驱动MOSFET在差分对中的具体应用,并对其优缺点进行了具体分析,接下来对衬底驱动MOSFET的频率特性与噪声特性进行了分析和讨论,说明了衬底驱动技术适用于超低压运算放大器的设计,为下面章节的运算放大器的设计奠定了理论基础。

14 高带宽高增益衬底驱动跨导运算放大器

第三章 运算跨导放大器的设计与实现 15

第三章 运算跨导放大器的设计与实现

跨导运算放大器是一种通用性很强的标准器件,应用非常广泛,主要用途可以分为两方面。一方面,在多种线性和非线性模拟电路和系统中进行信号运算和处理;另一方面,在电压模式信号系统和电流模式信号系统之间作为接口电路,将待处理的电压信号变换为电流信号,再送入电流模式系统进行处理。运算跨导放大器现在被普遍称为“运放”,其中“无缓冲放大器”表示高输出电阻(运算放大器或者OTAs),而“缓冲放大器”表示低输出电阻放大器(电压运算放大器)

[21]

3.1典型运算放大器概述

运算放大器是模拟电路设计中最重要的、用途最广泛的部件之一[1],多数CMOS运算放大器采用两级或多级增益。图3.1是常用的两级运算放大器的结构框图。

补偿电路 + - 差分跨导级 高增益级 输出缓冲级 偏置电路

图3.1 常用两级运算放大器结构框图

运算放大器的输入级通常采用差分输入,利用差分输入的对称性,可以改善噪声、失调性能,提高整个电路的共模抑制比。第二级为高增益级,这一级的主要工作是提高电压的增益。通常该级为一反相器,完成差分输入级由差分输入至单端输出的转换。第二级后增加一级缓冲级,该缓冲级一般由推挽放大器或源极跟随器组成,它能使电路的输出电阻变小,使输出信号摆幅增大。偏置电路能够为电路中的每个器件提供合适的静态工作点。补偿电路的作用就是保持整个电路工作稳定[22]。

16 高带宽高增益衬底驱动跨导运算放大器

+V1++V2Vo---

图3.2 电压控制电压源符号

理论上说,运放的差模电压增益为无限大,输入电阻也是无限大,输出为零,但实际的运放的性能只能接近这些值。在大多数采用无缓冲CMOS运放的实例中,开环增益达5000多就足够大了。图3.2是运放的符号,在非理想的情况下,输出电压为Vo=AV(V1-V2)。其中AV是开环差模电压增益,V1和V2分别为加到同相端和反相端的输入电压。

3.2运放基本的参数性能

1.增益

运放的开环增益(Gain)确定了使用运放的反馈系统的精度,根据应用所要求的增益可以有四个数量级的变化,增益越大,精度越高。而且高的开环增益可以抑制电路的非线性。 2.相位裕度

相位裕度(Phase Margin,PM)定义为在回路增益等于0dB时,反馈信号总的相位偏移与-180°的差,是表征运放稳定性能的重要参数。使环路增益的幅值等于1和使环路增益的相位等于-180°的两个频率分别称为“增益交点”和“相位交点”,在多极点系统中,“增益交点”和“相位交点”的间距越大,同时保持“增益交点”小于“相位交点”,则反馈系统越稳定。由于反馈系统的阶跃响应应会出现小的减幅震荡,大的相位裕度可以提供快速稳定的阶跃响应,对于更大的相位裕度,系统更加稳定,但时间响应减慢了。因此,相位裕度等于60°时,


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