电子技术基础 试题
此可判断：
1）U1=3.5V，U2=2.8V，U3 = 12V 因为 U2＜U1＜U3,且U12=0.7V
所以 它是NPN型硅管。1极为b极，2极为e极，3极为c极 2）U1= 3V，U2=2.8V，U3 = 12V
因为 U2＜U1＜U3,且U12=0.2V
所以 它是NPN型锗管。1极为b极，2极为e极，3极为c极 3）U1= 6V，U2=11.3V，U3=12V 因为 U1＜U2＜U3,且U23= –0.7V
所以 它是PNP型硅管。1极为c极，2极为b极，3极为e极 4） U1= 6V，U2=11.8V，U3=12V 因为 U1＜U2＜U3,且U23= –0.2V
所以 它是PNP型硅管。1极为c极，2极为b极，3极为e极
18．断图中各晶体管的工作状态 (饱和、放大、截止)。设管子均是硅管。
解：
（a）图中，U BE= 0.1-(-0.2)=0.3V>0，UBC=0.1-6= –5.9V＜0，T1工作在放大状态。 （b）图中，若发射结正偏，则UB=UE+UBE=3.6+0.7=4.3V，UBC=UB-UC=4.3-1.4=2.9V，集电结将烧毁；所以三极管集电结正偏，发射结反偏，T2工作在倒置放大状态。 （c）图中，0.7V的电压不能使两个PN结导通，所以T3截止。 (d) 图 IB
6 0.76 (1 ) 1k
12 0.3
5.327
0.196mA
IBS
ICS
420
0.146mA
由于IB＞IBS，所以T4饱和。
19．分别标出如图电路中电压VDD的极性，并指出管子类型。